一种提高pwm脉冲驱动能力的电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于PWM控制技术领域，特别涉及一种提高PWM脉冲驱动能力的电路。
【背景技术】
[0002]PWM(脉冲宽度调制)简单的讲是一种变频技术之一，是靠改变脉冲宽度来控制输出电压，通过改变周期来控制其输出频率，应用范围非常广，但是，目前驱动芯片中的PWM驱动信号是直接连在MOS管上的，导致在驱动信号驱动gs寄生电容较大的MOS管时，导致Vgs驱动波形边沿变缓，电源效率较低。
【发明内容】
[0003]为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提高PWM脉冲驱动能力的电路，通过增加推挽MOS管用于提升PWM的驱动能力。
[0004]为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是:
[0005]一种提高PWM脉冲驱动能力的电路，包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的P沟道MOS管Q3和N沟道MOS管Q2，P沟道MOS管Q3的栅极和N沟道MOS管Q2的栅极接PWM脉冲驱动芯片输出端，P沟道MOS管Q3的漏极和N沟道MOS管Q2的源极相接并连接至N沟道MOS管Ql的栅极，P沟道MOS管Q3的源极接地，N沟道MOS管Q2的漏极接VCC，N沟道MOS管Ql的源极接地，漏极接变压器的一次绕组，变压器的二次绕组一端接二极管Dl的阳极，另一端通过电容Cl接地，二极管Dl的阴极接地。
[0006]与现有技术相比，本发明采用推挽MOS管的方式，增加了 PWM信号的驱动能力，提升了 MOS管的开通关闭速度，提升了效率。
【附图说明】
[0007]图1是本发明结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图和实施例详细说明本发明的实施方式。
[0009]如图1所示，一种提高PWM脉冲驱动能力的电路，包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的P沟道MOS管Q3和N沟道MOS管Q2，P沟道MOS管Q3的栅极和N沟道MOS管Q2的栅极接PWM脉冲驱动芯片输出端，P沟道MOS管Q3的漏极和N沟道MOS管Q2的源极相接并连接至N沟道MOS管Ql的栅极，P沟道MOS管Q3的源极接地，N沟道MOS管Q2的漏极接VCC，N沟道MOS管Ql的源极接地，漏极接变压器的一次绕组，变压器的二次绕组一端接二极管Dl的阳极，另一端通过电容CI接地，二极管DI的阴极接地。
[0010]本方案中当PWM脉冲为高时，Q2导通，电流快速通过Q2驱动Ql的栅极，MOS管导通，变压器充电过程；
[0011]当PWM脉冲为低时，Q3快速导通，Ql栅极快速通过Q3回路放电，Ql截止，此时Tl的次级续流，保证Vout的稳定。
[0012]Q2\Q3的瞬时电流比原来的驱动电路大很多，可以使用大电流来冲电放电，即增加了驱动能力。
【主权项】
1.一种提高PWM脉冲驱动能力的电路，其特征在于，包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的P沟道MOS管Q3和N沟道MOS管Q2，P沟道MOS管Q3的栅极和N沟道MOS管Q2的栅极接PWM脉冲驱动芯片输出端，P沟道MOS管Q3的漏极和N沟道MOS管Q2的源极相接并连接至N沟道MOS管Ql的栅极，P沟道MOS管Q3的源极接地，N沟道MOS管Q2的漏极接VCC，N沟道MOS管Ql的源极接地，漏极接变压器的一次绕组，变压器的二次绕组一端接二极管Dl的阳极，另一端通过电容Cl接地，二极管Dl的阴极接地。
【专利摘要】一种提高PWM脉冲驱动能力的电路，包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的P沟道MOS管Q3和N沟道MOS管Q2，P沟道MOS管Q3的栅极和N沟道MOS管Q2的栅极接PWM脉冲驱动芯片输出端，P沟道MOS管Q3的漏极和N沟道MOS管Q2的源极相接并连接至N沟道MOS管Q1的栅极，P沟道MOS管Q3的源极接地，N沟道MOS管Q2的漏极接VCC，N沟道MOS管Q1的源极接地，漏极接变压器的一次绕组，变压器的二次绕组一端接二极管D1的阳极，另一端通过电容C1接地，二极管D1的阴极接地，本发明采用推挽MOS管的方式，增加了PWM信号的驱动能力，提升了MOS管的开通关闭速度，提升了效率。
【IPC分类】H02M1-08
【公开号】CN104682675
【申请号】CN201310632693
【发明人】沈建荣
【申请人】西安国龙竹业科技有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年11月28日