，P型开关管TR2 ;电压检测芯片ICl至少包括四个引脚:接地脚1、输出脚2、输入脚3，电源脚4 ；B00ST控制芯片IC2至少包括五个引脚:ON/OFF、EXT、Vdd、Vss、Vout ;其连接关系为:输入端I依此经电阻Rl和电阻R2后至接地端2 ;电压检测芯片ICl的接地脚I连接接地端2，电压检测芯片ICl的输出脚2连接BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚，电压检测芯片ICl输入脚3连接在电阻Rl和电阻R2的连接点上，电压检测芯片ICl电源脚4接输入端I ;输入端I连接开关管TR2的源极，开关管TR2的漏极连接电感LI，电感LI另一端连接至开关管TRl的集电极，开关管TRl的发射极连接至接地端2，开关管TRl的基级连接至BOOST控制芯片IC2的EXT脚；二极管Dl的阳极连接至开关管TRl的集电极、二极管Dl的阴极依此经电阻R3和电阻R4后至接地端2 ；B00ST控制芯片IC2的Vj却连接至开关管TR2的漏极、Vss脚连接至接地端2、Vout脚连接至电阻R3和电阻R4的连接点上；输出端3串接电容Cl至接地端2。
[0064]电压检测芯片ICl为PT7M6102CH，当其第3脚的分压大于200mV时，其第2脚才输出低电平；B00ST控制芯片IC2为S-8356M50，为了试验，0N/0FF前面加了一级CD4069中的一个反相器，作为BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚，这样，就实现了低电平开通。
[0065]开关管TR2为CSD25483F4为P沟道的MOS管，其开启电压为负0.95V,最大漏极电流为1.6A，通态电阻较大，为0.53 Ω，也足以胜任。
[0066]实测同样实现发现目的，同样，可以用S8550这种P型三极管，基极串入电阻，在要求不高的场合替代上述的开关管TR2，为P沟道MOS。
[0067]电压检测芯片ICl的输出脚2连接开关管TR2的栅极，连接点也连接BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚，若连接点与BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚断开，中间串入电阻R5，BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚对Vj却并联一只电容C2，这样形成一个启动延时电路，即ICl先工作，然后再让IC2工作，用于对上电时序要求较高的场合。
[0068]P沟道MOS管和PNP型的双极型开关三极管，简称为P型、P型开关管。
[0069]以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本发明的限制。
[0070]对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，如在供电回路中串入电感、并上电容以平滑供电纹波，分压电阻、反馈电阻上并联抗干忧电容，来提高电路的抗干扰能力，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围，这里不再用实施例赘述，本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种可控升压器电路，包括:输入端1，输出端3，接地端2，以及电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，电压检测芯片ICUBOOST控制芯片IC2、电感L1、二极管D1、电容Cl和N型开关管TR1、N型开关管TR2 ;所述的电压检测芯片ICl至少包括四个引脚:接地脚1、输出脚2、输入脚3，电源脚4 ;所述的BOOST控制芯片IC2至少包括五个引脚:0N/0FF、EXT、VDD、Vss、Vout ;其连接关系为:所述的输入端I依次经所述的电阻Rl和所述的电阻R2后至所述的接地端2 ;所述的电压检测芯片ICl的接地脚I连接所述的接地端2，所述的电压检测芯片ICl的输出脚2连接所述的BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚，所述的电压检测芯片ICl输入脚3连接在所述的电阻Rl和所述的电阻R2的连接点上，所述的电压检测芯片ICl电源脚4接所述的输入端I ;所述的输入端I还经所述的电感LI后连接至所述的开关管TRl的集电极，所述的开关管TRl的发射极连接至所述的开关管TR2的漏极，所述的开关管TRl的基级连接至所述的BOOST控制芯片IC2的EXT脚；所述的二极管Dl的阳极连接至所述的开关管TRl的集电极、所述的二极管Dl的阴极依此经所述的电阻R3和所述的电阻R4后至所述的接地端2 ;所述的BOOST控制芯片IC2的VDD脚连接至所述的输入端1、Vss脚连接至所述的开关管TR2的漏极、Vout脚连接至所述的电阻R3和所述的电阻R4的连接点上；所述的输出端3串接所述的电容Cl至所述的开关管TR2的漏极，所述的开关管TR2的栅极连接至所述的电压检测芯片ICl的输出脚2，所述的开关管TR2的源极连接至所述的接地端2。2.根据权利要求1所述的可控升压器电路，其特征在于:所述的可控升压器电路开关管TR2为N沟道MOS管。3.根据权利要求1所述的可控升压器电路，其特征在于:所述的电压检测芯片ICl还包括一个参考电压脚，对外提供高精度的电压基准。4.根据权利要求1所述的可控升压器电路，其特征在于:所述的电压检测芯片ICl还包括一个信号输入脚，所述的信号输入脚收到约定的信号，其内部的电压基准和对外提供高精度的电压基准按约定改变。5.根据权利要求1所述的可控升压器电路，其特征在于:可控升压器电路还包括启动延时电路，使得所述的电压检测芯片ICl先工作，然后再让所述的BOOST控制芯片IC2工作。6.根据权利要求5所述的可控升压器电路，其特征在于:所述的启动延时电路包括电阻R5和电容C2，所述的电阻R5的一端连接于所述的开关管TR2的栅极，所述的电阻R5的另一端连接于所述的开关管TR2的栅极和所述的BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚的连接点，所述的电容C2连接于所述的BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚和Vss脚之间。7.一种可控升压器电路，包括:输入端1，输出端3，接地端2，以及电阻Rl、R2、R3、R4，电压检测芯片IC1、BOOST控制芯片IC2、电感L1、二极管D1、电容Cl和N型开关管TR1，P型开关管TR2 ;所述的电压检测芯片ICl至少包括四个引脚:接地脚1、输出脚2、输入脚3，电源脚4 ;所述的BOOST控制芯片IC2至少包括五个引脚:0N/0FF、EXT、VDD、Vss、Vout ;其连接关系为:所述的输入端I依次经所述的电阻Rl和所述的电阻R2后至所述的接地端2 ;所述的电压检测芯片ICl的接地脚I连接所述的接地端2，所述的电压检测芯片ICl的输出脚2连接所述的BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚，所述的电压检测芯片ICl输入脚3连接在所述的电阻Rl和所述的电阻R2的连接点上，所述的电压检测芯片ICl电源脚4接所述的输入端I ;所述的输入端I连接所述的开关管TR2的源极，所述的开关管TR2的漏极连接所述的电感LI，所述的电感LI另一端连接至所述的开关管TRl的集电极，所述的开关管TRl的发射极连接至所述的接地端2，所述的开关管TRl的基级连接至所述的BOOST控制芯片IC2的EXT脚；所述的二极管Dl的阳极连接至所述的开关管TRl的集电极、所述的二极管Dl的阴极依此经所述的电阻R3和所述的电阻R4后至所述的接地端2 ;所述的BOOST控制芯片IC2的VDD脚连接至所述的开关管TR2的漏极、Vss脚连接至所述的接地端2、Vout脚连接至所述的电阻R3和所述的电阻R4的连接点上；所述的输出端3串接所述的电容Cl至所述的接地端2。8.根据权利要求7所述的可控升压器电路，其特征在于:所述的开关管TR2为P沟道MOS 管。9.根据权利要求7所述的可控升压器电路，其特征在于:所述的电压检测芯片ICl还包括一个参考电压脚，对外提供高精度的电压基准。10.根据权利要求7所述的可控升压器电路，其特征在于:所述的电压检测芯片ICl还包括一个信号输入脚，所述的信号输入脚收到约定的信号，其内部的电压基准和对外提供高精度的电压基准按约定改变。11.根据权利要求7所述的可控升压器电路，其特征在于:所述的可控升压器电路还包括启动延时电路，使得所述的电压检测芯片ICl先工作，然后再让所述的BOOST控制芯片IC2工作。12.根据权利要求11所述的可控升压器电路，其特征在于:所述的启动延时电路包括所述的电阻R5和所述的电容C2，所述的电阻R5的一端连接于所述的BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚，所述的电阻R5的另一端连接于所述的开关管TR2的栅极和所述的BOOST控制芯片IC2的0N/0FF脚的连接点，所述的电容C2连接于所述的BOOST控制芯片IC2的ON/OFF脚和Vdd脚之间。
【专利摘要】一种可控升压器电路，输入端1，输出端3，接地端2，以及电阻R1、R2、R3、R4，电压检测芯片IC1、BOOST控制芯片IC2、电感L1、二极管D1、电容C1和开关管TR1、开关管TR2，开关管TR1和开关管TR2都为N型；电压检测芯片IC1当输入电压达第一预设值时，输出高电平，打开TR2这只MOS管，同时打开后续的BOOST电路，获得一个稳定的升压电压，实现可控升压器电路，具有静态功耗低至10uA以下，电路简单，调试方便，降低了与之并联工作电池或超级电容的自放电。
【IPC分类】H02M3/155
【公开号】CN105207479
【申请号】CN201510705152
【发明人】王保均
【申请人】广州金升阳科技有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年10月26日