[0031]所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻Rl ;请参阅图2，所述第一级浪涌电流抑制电路利用NTC热敏电阻的特性；NTC热敏电阻具有电阻值随温度的升高而降低的特性；在电路设计中，将NTC热敏电阻串入电源输入回路中；设备刚上电瞬间，NTC热敏电阻的本身阻值能抑制浪涌电流，在抑制浪涌电流完成以后，持续的电流流过热敏电阻产生热量，从而热敏电阻电阻将变小，降低热敏电阻上的功耗。
[0032]请参阅图4，延时开关电路包括并联的第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Ql。
[0033]具体地，NTC热敏电阻Rl的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Ql的源极；第一电容Cl的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Ql的源极，第一电容Cl的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Ql的栅极，第三电阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏极连接负载，P-MOS管Ql的漏极还连有第三电容C3的第一端，第三电容的第二端接地。
[0034]所述延时开关电路利用电容特性、RC电路充放电原理，MOS管的开启电压特性来实现。设备上电瞬间，利用第一电容Cl、第二电容C2不能突变的特性，输入的电源电压加载在P-MOS管Ql的G级，让MOS管处于关闭状态；紧接着，第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2组成充电电路，P-MOS管Ql上G级的电压随着RC上充电电压值变化，当VGS电压由等效于电源输入电压，过渡到第一电阻Rl与第二电阻R2分压后的电压；P_M0S管Ql内部等效导通电阻Rdson也由最大值慢慢减小，从而抑制浪涌电流的大小，对P-MOS管进行延时开启。
[0035]请参阅图3，所述第二级浪涌电流抑制电路通过延时开关电路，以及利用MOS的内阻与Ves电压之间的特性来实现。
[0036]综上所述，本实用新型提出的电流抑制电路，对浪涌电流有调节作用，提高电子产品的可靠性。同时，考虑到目前环保趋势，对用电设备功耗要求更加严苛，该电路在效率上具有优势。
[0037]这里本实用新型的描述和应用是说明性的，并非想将本实用新型的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本实用新型的精神或本质特征的情况下，本实用新型可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本实用新型范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。
【主权项】
1.一种电流抑制电路，其特征在于，所述电流抑制电路包括:第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接； 所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流； 所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻Rl ;延时开关电路包括并联的第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS 管 Ql ; NTC热敏电阻Rl的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Ql的源极；第一电容Cl的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Ql的源极，第一电容Cl的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Ql的栅极，第三电阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏极连接负载，P-MOS管Ql的漏极还连有第三电容C3的第一端，第三电容的第二端接地。
2.一种电流抑制电路，其特征在于，所述电流抑制电路包括:第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接。
3.根据权利要求2所述的电流抑制电路，其特征在于: 所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻Rl。
4.根据权利要求2所述的电流抑制电路，其特征在于: 延时开关电路包括并联的第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路。
5.根据权利要求2所述的电流抑制电路，其特征在于: 第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Ql。
6.根据权利要求2所述的电流抑制电路，其特征在于: 所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻Rl ;延时开关电路包括并联的第一电容Cl、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS 管 Ql ; NTC热敏电阻Rl的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Ql的源极；第一电容Cl的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Ql的源极，第一电容Cl的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Ql的栅极，第三电阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏极连接负载。
【专利摘要】本实用新型揭示了一种电流抑制电路，包括第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；所述延时开关电路与第二级浪涌电流抑制电路连接，第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流。所述第一级浪涌电流抑制电路设计基于高分子化合物的固有特性来实现；第二级浪涌电流抑制电路利用MOS管的特性，通过延时电路来控制MOS管G极电压，调整MOS管内部电阻，实现浪涌电流的抑制。本实用新型提出的电流抑制电路，对浪涌电流有调节作用，提高电子产品的可靠性。同时，考虑到目前环保趋势，对用电设备功耗要求更加严苛，该电路在效率上具有优势。
【IPC分类】H02H9-02
【公开号】CN204376395
【申请号】CN201420852016
【发明人】邹红光
【申请人】引通通讯科技（上海）有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年12月24日