，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本实用新型H桥式换流驱动控制电路一种实施例的电路图。
【具体实施方式】
[0017]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用来限定本实用新型。
[0018]如图1所示，其为一种实施例H桥式换流驱动控制电路的电路图。该H桥式换流驱动控制电路包括场效应晶体管Q9、场效应晶体管Q10、场效应晶体管Q11、场效应晶体管Ql1、半导体制冷器Jl、第一控制电路1、第二控制电路2、第三控制电路3、第四控制电路4、电容Cl、电容C2、双向稳压管Dl、双向稳压管D2、第一驱动信号、第二驱动信号、驱动电源正极、驱动电源负极，驱动电源负极接地。
[0019]第一控制电路I的输入端分别连接第一驱动信号、驱动电源正极，第一控制电路I的输出端接地且分别与场效应晶体管Qll的栅极、场效应晶体管Qll的源极连接。
[0020]第二控制电路2的输入端连接第一驱动信号，第二控制电路2的输出端分别与场效应晶体管Q9的栅极、场效应晶体管Q9的源极连接。
[0021]电容Cl的一端经双向稳压管Dl分别与驱动电源正极、场效应晶体管Q9的漏极连接，电容Cl的另一端与场效应晶体管Q9的源极连接。
[0022]第三控制电路3的输入端分别连接第二驱动信号、驱动电源正极，第三控制电路3输出端接地且分别与场效应晶体管QlO的栅极、场效应晶体管QlO的源极连接。
[0023]电容C2的一端经双向稳压管D2分别与驱动电源正极、场效应晶体管Q12的漏极连接，电容C2的另一端与场效应晶体管Q12的源极连接。
[0024]半导体制冷器Jl 一端与场效应晶体管Q9的源极、场效应晶体管QlO的漏极连接，半导体制冷器Jl另一端与场效应晶体管Q12的源极、场效应晶体管Qll的漏极连接。
[0025]当第一驱动信号为高电平且第二驱动信号为低电平时，第一控制电路I控制场效应晶体管Qll导通，驱动电源正极经第一控制电路1、场效应晶体管Q11、半导体制冷器Jl为电容Cl充电，以致场效应晶体管Q9导通，驱动电源正极、场效应晶体管Q9、半导体制冷器J1、场效应晶体管Q11、驱动电源负极构成一个左上右下供电回路，半导体制冷器Jl处于制冷状态。
[0026]当第一驱动信号为低电平且第二驱动信号为高电平时，第三控制电路3用于控制场效应晶体管QlO的导通，驱动电源正极经第三控制电路3、场效应晶体管Q10、半导体制冷器Jl为电容C2充电，以致场效应晶体管Q12导通，驱动电源正极、场效应晶体管Q12、半导体制冷器J1、场效应晶体管Q10、驱动电源负极构成一个右上左下供电回路，半导体制冷器Jl处于制热状态。
[0027]首先，本实用新型通过第一驱动信号和第二驱动信号即实现了场效应晶体管Q9、场效应晶体管Q10、场效应晶体管Ql 1、场效应晶体管Q12的驱动。
[0028]其次，本实用新型不需要采用昂贵的集成芯片与隔离变压器，因此，减少了电子元件需求量。
[0029]再次，没有采用集成芯片，因此不存在集成芯片与H桥式换流驱动控制电路之间的电路设计，以及隔离变压器与H桥式换流驱动控制电路之间的电路设计，因此，降低换流驱动控制电路的复杂度。
[0030]最后，换流驱动控制电路的复杂度的降低，电子元件需求量的减少，致使换流驱动控制电路的设计成本、生成成本、原料成本均减少。
[0031]驱动电源的电压为48V。
[0032]本实用新型中驱动电源为空调的工作电压，因此，不需要设置辅助电压。
[0033]第一控制电路I包括三极管Q5、三极管Q6、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13和电阻R14。
[0034]三极管Q5的基极连接第一驱动信号，三极管Q5的基极经电阻Rll与三极管Q5的发射极连接，三极管Q5的发射极与接地，三极管Q5的集电极经电阻R13与三极管Q6的基极连接。
[0035]三极管Q6的基极经电阻R14与驱动电源正极连接，三极管Q6的发射极与驱动电源正极连接，三极管Q6的集电极经电阻R12与场效应晶体管Qll的栅极连接，三极管Q6的集电极经电阻R12、电阻RlO接地，且与场效应晶体管Qll的源极连接。
[0036]第二控制电路2包括三极管Ql、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和稳压二极管ZDl。
[0037]三极管Ql的基极连接第一驱动信号，三极管Ql的基极经电阻Rl与三极管Ql的发射极连接，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql的集电极经电阻R2与三极管Q2的基极连接。
[0038]三极管Q2的基极经电阻R5与三极管Q2的发射极、电容Cl的一端、双向稳压管Dl的一端连接，三极管Q2的集电极经电阻R3与场效应晶体管Q9的栅极连接，稳压二极管ZDl与电阻R4并联，并联后的一端分别与电阻R3、场效应晶体管Q9的栅极连接，并联后的另一端分别与半导体制冷器J1、场效应晶体管Q9的源极、电容Cl的另一端连接。
[0039]第三控制电路3三极管Q3、三极管Q4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9和电阻R20o
[0040]三极管Q3的基极连接第二驱动信号，三极管Q3的基极经电阻R20与三极管Q3的发射极连接，三极管的发射极接地，三极管的集电极经电阻R6与三极管Q4的基极连接。[0041 ] 三极管Q4的基极经电阻R7与驱动电源正极连接，三极管Q4的发射极与驱动电源正极连接，三极管Q4的集电极经电阻R8与场效应晶体管QlO的栅极连接，三极管Q4的集电极经电阻R8、电阻R9接地且与场效应晶体管QlO的源极连接。
[0042]第四控制电路4包括三极管Q7、三极管Q8、电阻町5、电阻1?16、电阻1?17、电阻1?18、电阻R19和稳压二极管ZD2。
[0043]三极管Q7的基极连接第二驱动信号，三极管Q7的基极经电阻R16与三极管Q7的发射极连接，三极管Q7的发射极接地，三极管Q7的集电极经电阻R17与三极管Q8的基极连接。
[0044]三极管Q8的基极经电阻R19与三极管Q8的发射极、电容C2的一端、双向稳压管D2的一端连接，三极管Q8的集电极经电阻R18与场效应晶体管Q12的栅极连接，稳压二极管ZD2与电阻R15并联，并联后的一端分别与电阻R18、场效应晶体管Q12的栅极连接，并联后的另一端分别与半导体制冷器J1、场效应晶体管Q12的源极、电容C2的另一端连接。
[0045]本实用新型H桥式换流驱动控制电路的工作原理:
[0046]当第一驱动信号为高电平且第二驱动信号为低电平时，电阻Rll为三极管Q5分压，致使三极管Q5的发射极与集电极之间产生压力差，因此，三极管Q5导通。
[0047]电阻R13和电阻R14为三极管Q6分压，致使三极管Q6的发射极与集电极之间产生压力差，因此，三极管Q6导通。
[0048]电阻R12和RlO为场效应晶体管Qll分压，致使场效应晶体管Qll的栅极与源极之间产生压力差，因此，场效应晶体管Qll导通。
[0049]场效应晶体管Qll导通后，驱动电源经三极管Q6、电阻R12、场效应晶体管Q11、半导体制冷器Jl为电容Cl充电。
[0050]电阻Rl为三极管Ql分压，致使三极管Ql的发射极与集电极之间产生压力差，因此，三极管Ql导通。
[0051]电阻R2和电阻R5为三极管Q2分压，致使三极管Q2的发射极与集电极之间产生压力差，因此，三极管Q2导通。
[0052]电阻R13和并联后的稳压二极管ZDl和电阻R4为场效应晶体管Q9分压。同时，电容C