专利名称：一种过流自锁桥式驱动电路的制作方法
技术领域：
一种过流自锁桥式驱动电路[技术领域]本实用新型涉及一种电路，特别涉及一种过流自锁桥式驱动电路。 [背景技术]图1是现有技术中的包括2个M0S管的一种桥式驱动电路的原理衝，第一 M0S管Ml和第二 M0S管M2交替工作。当第一信号源Vgl为正时，第一 M0S管Ml 工作，此时第二信号源Vg2为负，第二M0S管M2不工作；当第一信号源Vgl为 负时，第一M0S管M1不工作，此时第二信号源Vg2为正，第二MOS管M2工作。但该桥式驱动电路没有相应的保护电路，当出现过流现象时，驱动电路MOS 管就有可能被烧坏，致使电路无法正常工作， 一方面降低了工作效率，另一方面 也增加了系统的维护难度。[发明内容]本实用新型要解决的技术问题是提供一种带有过流自锁保护功能的桥式驱 动电路。为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是 一种过流自锁桥式 驱动电路，包括第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第一三极管Ql和第二三极管 Q2，第一信号源Vgl分别与隔离二极管Dl的阳极和第一三极管Ql的基极连接， 隔离二极管Dl的阴极分别与第一 MOS管Ml的栅极和第一三极管Ql的发射极连 接，第一三极管Ql的集电极和第一 MOS管Ml的源极分别接第一信号源Vgl对应 的地Gl;第二信号源Vg2分别与隔离二极管D2的阳极和第二三极管Q2的基极连接， 隔离二极管D2的阴极分别与第二 MOS管M2的栅极和第二三极管Q2的发射极连
接，第二三极管Q2的集电极和第二 MOS管M2的源极分别接第二信号源Vg2对 应的地G2，第二M0S管M2的漏极与第一M0S管M1的源极连接；还包括采样电阻R6、晶闸管Sl和光耦Pl,采样电阻R6连接在第二M0S管 M2的漏极和第二信号源Vg2对应的地G2之间，晶闸管Sl的控制极与第二 MOS 管M2的漏极连接，晶闸管Sl的阴极接第二信号源Vg2对应的地G2，晶闸管S1 的阳极与隔离二极管D3的阴极连接，隔离二极管D3的阳极与第二三极管Q2的 基极连接；开关电源VCC与光耦Pl发射端发光二极管的阳极连接，光耦Pl发射端发光 二极管的阴极与晶闸管Sl的阳极连接，光耦Pl接收端的集电极与三极管Ql的 基极连接，光耦Pl接收端的发射极与第一三极管Ql的集电极连接。进一步地，所述过流自锁桥式驱动电路还包括限流电阻R5，其一端与第二 MOS管M2的源极连接，另一端与晶闸管Sl的控制极连接。进一步地，所述过流自锁桥式驱动电路还包括滤波电容C1，滤波电容C1连 接在晶闸管Sl的控制极和第二信号源Vg2对应的地G2之间。进一步地，所述过流自锁桥式驱动电路还包括限流电阻R0，其连接在开关 电源VCC和光耦P1发射端发光二极管的阳极之间。进一步地，所述过流自锁桥式驱动电路还包括限流电阻Rl，其连接在第一 信号源Vgl和隔离二极管D1的阳极之间。进一步地，所述过流自锁桥式驱动电路还包括限流电阻R2，其连接在第一 信号源Vgl和第一三极管Ql的基极之间。进一步地，所述过流自锁桥式驱动电路还包括限流电阻R3,其连接在第二 信号源Vg2和隔离二极管D2的阳极之间。进一步地，所述过流自锁桥式驱动电路还包括限流电阻R4，其连接在第二 信号源Vg2和第二三极管Q2的基极之间。本实用新型的过流自锁桥式驱动电路，能检测采样电阻R6和第二 MOS管M2 的源极之间的电流，电路出现过流时，晶闸管S1导通，第二三极管Q2导通，这
样第二MOS管M2的栅极被钳位在低电平，第二MOS管实现自锁保护；并且此时 光耦P1导通，第一三极管Q1导通，第一M0S管M1的栅极也被钳位在低电平， 第一M0S管M1也实现自锁保护；所以本实用新型能很好的保护MOS管，实现电 路的过流自锁保护功能。[
]图1是现有技术中桥式驱动电路的电路原理图。图2是本实用新型过流自锁桥式驱动电路的电路原理图。[具体实施方式
]下面根据附图和具体实施例对本实用新型作进一步地阐述。本实用新型带有自锁保护电路，图2是本实用新型的过流自锁桥式驱动电路 的电路原理图，该过流自锁桥式驱动电路，包括第一M0S管M1、第二MOS管M2、 第一三极管Q1、第二三极管Q2、采样电阻R6、晶阐管S1和光耦P1，第一信号 源Vgl通过限流电阻Rl连接到隔离二极管Dl的阳极，第一信号源Vgl还通过限 流电阻R2连接到第一三极管Ql的基极，隔离二极管Dl的阴极分别与第一 MOS 管M1的栅极和第一三极管Q1的发射极连接，第一三极管Q1的集电极和第一MOS 管Ml的源极分别接第一信号源Vgl对应的地Gl;第二信号源Vg2通过限流电阻R3连接到隔离二极管D2的阳极，第二信号源 Vg2还通过限流电阻R4连接到第二三极管Q2的基极，隔离二极管D2的阴极分 别与第二 MOS管M2的栅极和第二三极管Q2的发射极连接，第二三极管Q2的集 电极接第二信号源Vg2对应的地G2，第二 MOS管M2的漏极与第一 MOS管Ml的 源极连接，第二 MOS管M2的源极通过采样电阻R6接第二信号源Vg2对应的地 G2;晶阑管Sl的控制极通过限流电阻R5与第二 MOS管M2的漏极连接，晶闸管 Sl的阴极接第二信号源Vg2的地G2，滤波电容Cl连接在晶闸管Sl的控制极和 第二信号源Vg2的地G2之间，晶闸管S1的阳极与隔离二极管D3的阴极连接， 隔离二极管D3的阳极与第二三极管Q2的基极连接；开关电源VCC通过限流电阻R0与光耦Pl发射端发光二极管的阳极连接，光 耦Pl发射端发光二极管的阴极与晶闸管Sl的阳极连接，光耦Pl接收端的集电 极与第一三极管Ql的基极连接，光耦Pl接收端的发射极与第一三极管Ql的集 电极连接。本实用新型的工作原理是两个MOS管交替工作，当第一信号源Vgl为正时 (大于3V),其达到第一M0S管M1的工作电压，第一M0S管M1工作，第一三极 管Q1截止，此时第二信号源Vg2为负，第二M0S管M2就不工作，第二三极管 Q2导通，此时第二M0S管M2通过第二三极管Q2和限流电阻R4放电；当第一信 号源Vgl为负时，第一 MOS管Ml不工作，第一三极管Ql导通，此时第一 MOS 管Ml就会通过第一三极管Ql和限流电阻R2放电，但此时第二信号源Vg2为正， 第二M0S管M2工作，第二三极管Q2截止。当电路出现过流时，晶闸管S1导通，此时第二三极管Q2也导通，第二MOS 管M2的栅极的电位就被钳位到低电平，使其电位达不到第二 MOS管的导通电压， 此时第二MOS管就截止不工作，实现了自锁保护；同时开关电源VCC依次通过限 流电阻RO、光耦Pl和晶闸管Sl接第二信号源Vg2对应的地G2，光耦P1导通， 此时第一三极管Ml也导通，这样第一MOS管的栅极电位也被钳位到低电平，第 一M0S管M1就截止工作，也实现了自锁保护。如果需要重新启动该过流自锁桥 式驱动电路时，通过开关电源VCC就能实现电路的复位。综上所述，本实用新型的过流自锁桥式驱动电路，能检测采样电阻R6和第 二M0S管M2的源极之间的电流，电路出现过流时，晶闸管S1导通，第二三极管 Q2导通，这样第二 MOS管M2的栅极被钳位在低电平，第二 MOS管实现自锁保护; 并且此时光耦P1导通，第一三极管Q1导通，第一M0S管M1的栅极也被钳位在 低电平，第一 MOS管Ml也实现自锁保护；所以本实用新型能很好的保护MOS管， 实现电路的过流自锁保护功能。
权利要求1、一种过流自锁桥式驱动电路，包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)，第一信号源(Vg1)分别与隔离二极管D1的阳极和第一三极管(Q1)的基极连接，隔离二极管D1的阴极分别与第一MOS管(M1)的栅极和第一三极管(Q1)的发射极连接，第一三极管(Q1)的集电极和第一MOS管(M1)的源极分别接第一信号源(Vg1)对应的地(G1)；第二信号源(Vg2)分别与隔离二极管D2的阳极和第二三极管(Q2)的基极连接，隔离二极管D2的阴极分别与第二MOS管(M2)的栅极和第二三极管(Q2)的发射极连接，第二三极管(Q2)的集电极和第二MOS管(M2)的源极分别接第二信号源(Vg2)对应的地(G2)，第二MOS管(M2)的漏极与第一MOS管(M1)的源极连接；其特征在于还包括采样电阻R6、晶闸管(S1)和光耦(P1)，采样电阻R6连接在第二MOS管(M2)的漏极和第二信号源(Vg2)对应的地(G2)之间，晶闸管(S1)的控制极与第二MOS管(M2)的漏极连接，晶闸管(S1)的阴极接第二信号源(Vg2)对应的地(G2)，晶闸管(S1)的阳极与隔离二极管D3的阴极连接，隔离二极管D3的阳极与第二三极管(Q2)的基极连接；开关电源(VCC)与光耦(P1)发射端发光二极管连接，光耦(P1)发射端发光二极管的阴极与晶闸管(S1)的阳极连接，光耦(P1)接收端的集电极与三极管(Q1)的基极连接，光耦(P1)接收端的发射极与第一三极管(Q1)的集电极连接。
2、 根据权利要求l所述的过流自锁桥式驱动电路，其特征在于还包括限 流电阻R5，其一端与第二MOS管(M2)的源极连接，另一端与晶闸管(Sl)的 控制极连接。
3、 根据权利要求2所述的过流自锁桥式驱动电路，其特征在于还包括滤 波电容(Cl)，滤波电容(Cl)连接在晶闸管(Sl)的控制极和第二信号源(Vg2) 对应的地(G2)之间。
4、 根据权利要求3所述的过流自锁桥式驱动电路，其特征在于还包括限 流电阻R0，其连接在开关电源(VCC)和光耦(Pl)发射端发光二极管的阳极之 间。
5、 根据权利要求4所述的过流自锁桥式驱动电路，其特征在于还包括限 流电阻R1，其连接在第一信号源(Vgl)和隔离二极管D1的阳极之间。
6、 根据权利要求5所述的过流自锁桥式驱动电路，其特征在于还包括限 流电阻R2，其连接在第一信号源(Vgl)和第一三极管(Ql)的基极之间。
7、 根据权利要求6所述的过流自锁桥式驱动电路，其特征在于还包括限 流电阻R3，其连接在第二信号源(Vg2)和隔离二极管D2的阳极之间。
8、 根据权利要求7所述的过流自锁桥式驱动电路，其特征在于还包括限 流电阻R4，其连接在第二信号源(Vg2)和第二三极管(Q2)的基极之间。
专利摘要本实用新型公开了一种过流自锁桥式驱动电路，其包括第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)，还包括晶闸管(S1)、采样电阻R6和光耦(P1)，开关电源(VCC)与光耦(P1)发射端发光二极管连接，光耦(P1)发射端发光二极管的阴极与晶闸管(S1)的阳极连接，光耦(P1)接收端的集电极与三极管(Q1)的基极连接，光耦(P1)接收端的发射极与第一三极管(Q1)的集电极连接。本实用新型能检测采样电阻R6和第二MOS管M2的源极之间的电流，电路出现过流时，第一MOS管(M1)和第二MOS管M2都会截止工作，实现了自锁保护，所以本实用新型能很好的保护MOS管，实现电路的过流自锁保护功能。
文档编号H03K17/687GK201044436SQ20072012043
公开日2008年4月2日 申请日期2007年5月30日 优先权日2007年5月30日
发明者杨东平 申请人:深圳市麦格米特电气技术有限公司