栅极限流型高效p-mosfet驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路。
【背景技术】
[0002]目前使用的一种太阳能贮电系统，要把高达24V的直流电压给不到13V的电池进行充电，由于线性降压方式损耗太大，通常采用DC-DC型开关降压方式。目前主要采用用单片机控制P-MOSFET的导通和关断，请参见图1，由于单片机的工作电压通常在5V以下，其I/O口不能直接连接高压的MOSFET端，需要增加驱动电路，由于输入的电压较高，经过Q2后，电压完全落在Q3的发射极，高电压经Q3对地导通后，同时产生大电流，使Q3处于过负荷工作状态，以致影响下一周期的截止，长期如此反复进行，Ql也不能工作在正常的通断状态，导致整个电路调制处于失控状态，满负载工作30分钟以上，Ql，Q2，Q3的温度超过80°C，易发热且电路损耗很大。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路，其具有节能、高效的特性。
[0004]本实用新型是这样实现的:一栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路，其包括:三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极连接，三级管Q2的发射极和三级管Q3的发射极之间通过一电阻R2连接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的基极连接至三极管Q4的集电极，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极用以接主控PWM，三极管Q2的集电极连接至一场效应管Ql的源极，三极管Q2的基极和所述场效应管Ql的源极之间接有电阻Rl，三极管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Ql的栅极，所述场效应管Ql的源极用以连接至太阳能电源，所述场效应管Ql的漏极用以连接至输出端。
[0005]本实用新型三极管Q2的发射极和三极管Q3的发射极之间通过一电阻R2连接，三极管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Ql的源极，增加了电阻R2后，经过Q3的电流大大降低，减少了三极管Q3的发热，Q3也能更好地实现开关效果，同时通过R2上的电压，有效控制场效应管Ql的开启和闭合，节省了电能，提高了工作效率，也大大减少了热量。
【附图说明】
[0006]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0007]图1为本实用新型实施例提供的【背景技术】的电路图；
[0008]图2为本实用新型实施例提供的电路图。
【具体实施方式】
[0009]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0010]如图2，本实用新型实施例提供一栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路，其包括:三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极连接，三极管Q2的发射极和三极管Q3的发射极之间通过一电阻R2连接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的基极连接至三极管Q4的集电极，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极用以接主控PWM，三极管Q2的集电极连接至一场效应管Ql的源极，三级管Q2的基极和所述场效应管Ql的源极之间接有电阻Rl，三极管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Ql的栅极，所述场效应管Ql的源极用以连接至太阳能电源，所述场效应管Ql的漏极用以连接至输出端。
[0011]使用时，增加了电阻R2后，R2主要分担经过三级管Q2的发射基出来的电压，使得经过Q3的电流大大降低，降低了驱动电流，Q3也能周期性地开启和关闭，对于场效应管Ql，只要有电压能够开启即可实现场效应管Ql的导通和截至，大大提高了电路的充电效率，使电路能够长时间处于良好的工作状态。此电路能实现太阳能电压6-24V范围的恒流恒压充电调制功能。并且，在电路板的应用上，不需额外增加散热器，降低了整个电路的成本。
[0012]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路，其特征在于，其包括:三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极连接，三极管Q2的发射极和三极管Q3的发射极之间通过一电阻R2连接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的基极连接至三极管Q4的集电极，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极用以接主控PWM，三极管Q2的集电极连接至一场效应管Ql的源极，三极管Q2的基极和所述场效应管Ql的源极之间接有电阻Rl，三极管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Ql的栅极，所述场效应管Ql的源极用以连接至太阳能电源，所述场效应管Ql的漏极用以连接至输出端。
【专利摘要】本实用新型提供了一种栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路，其包括：三极管Q2的基极和三极管Q3的基极连接，三极管Q2的发射极和三极管Q3的发射极之间通过电阻R2连接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的基极连接至三极管Q4的集电极，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极用以接主控PWM，三极管Q2的集电极连接至场效应管Q1的源极，三极管Q2的基极和所述场效应管Q1的源极之间接有电阻R1，三级管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Q1的栅极，场效应管Q1的漏极用以连接至输出端，上述构造使经过Q3的电流大大降低，减少了三极管Q3的发热，同时通过R2上的电压，有效控制场效应管Q1的开启和闭合，提高了工作效率，也大大减少了热量。
【IPC分类】H02M1/08
【公开号】CN205212688
【申请号】CN201520984338
【发明人】耿啟琛
【申请人】耿啟琛
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年11月27日