专利名称：接收器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种接收器，诸如例如包括能够应用于电视调谐器等等的低噪声放大 器的无线通信设备。
背景技术：
低噪声放大器用于以电视调谐器为代表的无线接收器中。日本专利特许公开No. 2008-17058公开了一种用于低噪声放大器等等的线性化 的失真(strain)补偿电路。图1是示出实现构成低噪声放大器的差分放大器、及失真补偿功能二者的配置的 例子的电路图。如图1所示，低噪声放大器1包括构成差分对晶体管11的η沟道MOS (NMOS)晶体 管NTl和ΝΤ2、及电流源12。失真补偿器2包括构成差分对晶体管21的NMOS晶体管ΝΤ3和ΝΤ4、和电流源22。下面，将描述图1所示的电路的操作原理。在由两个MOS晶体管(每个MOS晶体管作为符合平方特性的绝缘栅场效应晶体 管)构成的差分对中，在恒定输入振幅下，三阶失真(three orderstrain)分量的振幅IM3、 过驱动电压(Vgs-Vth)、及晶体管尺寸W之间的关系由表达式(1)表示
————- ……(1)其中α为器件工艺(device process)特有的比例系数。关于失真补偿建立条件，由失真补偿器2生成的三阶失真分量的振幅IM3等于由 低噪声放大器1生成的三阶分量的振幅IM3。因此，当失真补偿器2的晶体管尺寸与低噪声 放大器1的晶体管尺寸的比率根据表达式(1)设置为1 M时，在电流比率之间建立下面 的关系表达式(表达式(2))Ic = IdXM3 ......(2)其中Id是补偿电路中的消耗电流，Ic是低噪声放大器中的消耗电流。而且，补偿建立状态中的总增益根据电路配置而如表达式(3)所示地减小
……(3)其中G是比率补偿阶段中的增益。
发明内容
图1所示电路中的固有问题是，由于生成的器件(device)噪声通过使用失真补偿 器2而增大，而增益根据表达式(3)而减小，因此噪声因子(noisefactor)特性通过执行失 真补偿而劣化。另外，表面上，从表达式(3)看起来似乎增益的减小能够通过最小化数值M来避
然而，当在实际电路中实现这样的条件时，如根据表达式(2)明显的是，过驱动 电压在失真补偿器2和低噪声放大器1之间显著不同。由此，数值M的下限受工艺离散 (process dispersion)、温度特性、或频率特性的限制。作为结果，可能无法避免噪声因子 特性的劣化。为了解决上述问题而做出本发明，因而可以希望提供一种接收器，其中，失真补偿 能够精确执行，而噪声因子特性的劣化被抑制，由此接收器的动态范围能够提高。为了实现上述的希望，根据本发明实施例，提供一种接收器，包括放大器，用于放 大所接收信号；失真补偿器，具有从来自放大器的输出信号中根据基于偏置信号控制的失 真补偿量来补偿在来自放大器的输出信号中生成的失真的功能；以及失真补偿量控制部 分，用于生成偏置信号并向失真补偿器输出该偏置信号，从而以与所接收信号的强度相对 应的补偿量来执行失真补偿。如上所述，根据本发明，失真补偿能够精确执行，而噪声因子特性的劣化被抑制， 因此接收器的动态范围能够提高。
图1是示出实现构成低噪声放大器的差分放大器、及失真补偿功能二者的电路的 配置的例子的示意电路图；图2是部分地以模块示出根据本发明实施例的接收器的配置的电路图；图3是示出增益控制信号的电压和所接收信号的电功率之间的关系的图形表示；图4是示出构成根据本发明实施例的接收器的接收部分的低噪声放大器、失真补 偿器、及失真补偿量控制部分的具体配置的电路图；图5是示出被使得流经失真补偿器的电流对于所接收信号的电功率的依赖性的 曲线图；图6是示出噪声因子对于所接收信号的电功率的依赖性的曲线图；图7是示出当使希望波的电功率对于干扰波的电功率的比率恒定时信号相对于 拍子(beat)的比率的曲线图；以及图8A至8C分别是解释当本发明应用于在图2所示的接收器接收电视广播波的情 况时的效果的示意图。
具体实施例方式下面参照附图详细描述本发明的优选实施例。注意，描述将按照下列顺序在下面给出。1.接收器的整体配置2.失真补偿系统的具体配置1.接收器的整体配置图2是部分地以模块示出根据本发明实施例的接收器的配置的电路图。本实施例的接收器100包括RF信号输入到的接收部分110、和解调部分120。接收部分110包括低噪声放大器111、失真补偿器112、本地振荡器113、用作频率转换部分的混频器114、IF滤波器115、IF可变增益放大器116、及失真补偿量控制部分 117。低噪声放大器111以预定增益放大具有例如46至886MHz的频率并且在天线(未 示出)处接收的RF信号，并将如此放大的RF信号输出至混频器114。低噪声放大器111的增益根据从解调部分120供给的增益控制信号SGC而被调整 到最佳值。低噪声放大器111布置在接收部分110的第一级中。由此，具体地，具有优异S/N 比的放大器，即具有低噪声因子(NF)的低噪声放大器被用作低噪声放大器111，以用于即 使当输入信号电平低时仍然确保声音质量、图像质量等等。失真补偿器112具有如下功能通过从来自低噪声放大器111的输出电流中，减去 根据从失真补偿量控制部分117供给的偏置信号S117控制的补偿电流(失真补偿量)，来 补偿在来自低噪声放大器111的输出电流中生成的三阶失真。本实施例的接收器100具有根据所接收信号的强度来改变对其进行失真补偿的 低噪声放大器111的失真补偿量的功能，由此使得可以确保接收器100的更宽的动态范围。另外，本实施例的无线通信设备(接收器)100具有使得与所接收信号的强度相对 应的补偿量可变的功能，由此使得可以优化与接收环境相对应的动态范围。注意，稍后将详细描述用于实现上述功能的低噪声放大器111、失真补偿器112、 及失真补偿量控制部分117的具体配置及功能。本地振荡器113生成与具有预定频率且从PLL电路(未示出)发送的振荡信号相 对应的本地振荡信号SL0，将由此生成的本地振荡信号SLO供给至混频器114。混频器114导出在从低噪声放大器111供给的所接收的RF信号和从本地振荡器 113供给的本地振荡信号SLO之间的频率差，将如此导出的频率差通过频率转换而转换为 基带，生成中频(IF)信号，并将如此生成的IF信号输出至IF滤波器115。IF滤波器115从IF信号中衰减具有除IF信号的频带之外的频带的任何信号，减 小IF信号中包含的任何噪声，并把所获得的模拟基带信号输出至IF可变增益放大器116。IF可变增益放大器116以与在解调部分120中生成的增益控制信号SGC相对应 的增益来放大输入到其中的模拟基带信号，并将如此放大的模拟基带信号输出至解调部分 120。解调部分120对于基带信号执行数字信号处理，由此把从接收部分110输出的模 拟基带信号SllO转换为数字信号，把所得的数字信号作为视频/音频信号输出至在解调部 分120的下一级中的信号处理系统。解调部分120具有以下功能基于根据从接收部分110输出的模拟基带信号SllO 而被转换为数字信号的基带信号，检测所接收信号的电功率的电平(level)。解调部分120根据所接收信号的电功率的电平的检测结果，以模拟信号的形式把 据以控制IF可变增益放大器116的可变增益的增益控制信号SGC输出至接收部分110。输入至接收部分110的增益控制信号SGC然后输入至低噪声放大器111、IF可变 增益放大器116、及失真补偿量控制部分117的每个。2.失真补偿系统的具体配置如已经描述的，对于本实施例的无线通信系统(接收器)100，对其执行失真补偿的低噪声放大器111的失真补偿量根据所接收信号的强度而改变，从而使得可以提高接收 器100的动态范围。用于主要实现上述功能的低噪声放大器111、失真补偿器112、及失真补偿量控制 部分117的具体配置和功能将在下文详细描述。对于接收器100，当所接收信号的电功率的电平被检测为低时，对于接收部分110 要求低噪声因子。另一方面，当所接收信号的电功率的电平被检测为高时，对于接收部分 110要求高线性。另外，图2所示的接收部分110的增益根据从解调部分120输出的增益控制信号 (电压信号)SGC而被控制，以便变为根据所接收信号的强度的合适的值。因此，能够根据增益控制信号SGC的电压来区分所接收信号的强度。图3是示出增益控制信号的电压和所接收信号的电功率之间的关系的图形表示。在图3中，横轴代表增益控制信号SGC的电压，纵轴代表所接收信号的电功率。在本实施例的接收器100中，根据图3所示的增益控制信号SGC的电压和所接收 信号的电功率之间的关系，通过把增益控制信号SGC的电压用作所接收信号的强度的判断 基准，来控制失真补偿量。下面将参照图4详细描述低噪声放大器111、失真补偿器112、及失真补偿量控制 部分117的具体配置及功能。图4是示出构成根据本实施例的接收器的接收部分的低噪声放大器、失真补偿 器、及失真补偿量控制部分的具体配置的电路图。图4所示的低噪声放大器111包括构成第一差分对晶体管DTlll的NMOS晶体管 MNl和MN2、及电流源1111。NMOS晶体管MNl对应于第一晶体管，NMOS晶体管MN2对应于第二晶体管。注意，在图4中，参考标号TIl和TI2分别表示输入端子，参考标号TOl和T02分 别表示输出端子。NMOS晶体管丽1的源极端子和NMOS晶体管丽2的源极端子彼此连接，从而构成第 一差分对晶体管DTlll。NMOS晶体管丽1和丽2的源极端子之间的连接点连接至电流源Illl的一个端子， 电流源Illl的另一端子连接至基准电势，例如地GND。NMOS晶体管MNl的栅极端子连接至输入端子TI2，NMOS晶体管MN2的栅极端子连 接至输入端子TIl。低噪声放大器111的第一输入端子由NMOS晶体管MNl的栅极端子形成，低噪声放 大器111的第二输入端子由NMOS晶体管丽2的栅极端子形成。NMOS晶体管丽1的漏极端子连接至输出端子TOl，NMOS晶体管丽2的漏极端子连 接至输出端子T02。低噪声放大器111的第一输出端子由NMOS晶体管MNl的漏极端子形成，低噪声放 大器111的第二输出端子由NMOS晶体管MN2的漏极端子形成。失真补偿器112包括构成第二差分对晶体管DTl 12的NMOS晶体管丽3和MN4、以 及构成电流源1112的NMOS晶体管丽5。NMOS晶体管MN3对应于第三晶体管，NMOS晶体管MN4对应于第四晶体管，NMOS晶体管MN5对应于第五晶体管。而且，NMOS晶体管MN5的栅极端子对应于控制端子。NMOS晶体管丽3的源极端子和NMOS晶体管MN4的源极端子彼此连接，从而构成第 二差分对晶体管DT112。NMOS晶体管丽3和MN4的源极端子之间的连接点连接至构成电流源1112的NMOS 晶体管丽5的漏极端子。而且，NMOS晶体管丽5的源极端子连接至基准电势，例如地GND。NMOS晶体管MN3的栅极端子连接至输入端子TI1，NMOS晶体管MN4的栅极端子连 接至输入端子TI2。失真补偿器112的第一输入端子由NMOS晶体管MN3的栅极端子形成，失真补偿器 112的第二输入端子由NMOS晶体管MN4的栅极端子形成。NMOS晶体管丽3的漏极端子连接至输出端子TOl，NMOS晶体管MN4的漏极端子连 接至输出端子T02。失真补偿器112的第一输出端子由NMOS晶体管MN3的漏极端子形成，失真补偿器 112的第二输出端子由NMOS晶体管MN4的漏极端子形成。而且，构成电流源1112的NMOS晶体管丽5的栅极端子(控制端子)连接至电源 线，通过该电源线，偏置信号S117从失真补偿量控制部分117而被供给至失真补偿器112。如先前所述，失真补偿器112通过从来自低噪声放大器111的输出电流中减去根 据从失真补偿量控制部分117供给的偏置信号S117来控制的补偿电流(失真补偿量)，来 补偿在低噪声放大器111的输出电流中生成的三阶失真。具体地，在失真补偿器112中，根据偏置信号Sl 17控制用作电流源1112的NMOS 晶体管MN5的栅极端子处的电平，从而控制电流量。失真补偿量控制部分117包括第一和第二基准电流源1113和I114、NM0S晶体管 丽6至MN14，ρ沟道MOS (PMOS)晶体管MPl和MP2、电阻器Rl至R5、及运算放大器OPAl。而且，补偿量控制电路1171由基准电流源1113和1114、匪OS晶体管丽6至丽10、 及PMOS晶体管MPl构成。另外，所接收信号强度判断部分1172由NMOS晶体管丽11至丽14、PMOS晶体管 MP2、电阻器Rl至R5、及运算放大器OPAl构成。参照图4，参考标号TGl表示用于栅极控制信号SGC的输入端子，参考标号TRl表 示用于参考电压Vref的输入端子。而且，参考标号TCl表示用于控制信号A的输入端子， 参考标号TC2表示用于控制信号B的输入端子，参考标号TC3表示用于控制信号C的输入 端子，参考标号TC4表示用于控制信号D的输入端子。补偿量控制电路1171的构成元件被布置为以后文所述方式相连接。基准电流源1113的一个端子和基准电流源1114的一个端子中的每一个连接至电 源 VDD。NMOS晶体管MN6的漏极端子和栅极端子的每个连接至基准电流源1113的另一端 子，NMOS晶体管MN6的漏极端子和栅极端子之间的连接点连接至构成失真补偿器112的电 流源1112的NMOS晶体管MN5的栅极端子。NMOS晶体管MN5的源极端子连接至作为基准电 势的地GND。而且，电流镜电路⑶Rl由匪OS晶体管丽6和匪OS晶体管丽5构成。NMOS晶体管MN7的漏极端子连接至第一基准电流源1113的另一端子与NMOS晶体管MN6的漏极端子和栅极端子之间的连接点。而且，NMOS晶体管丽7的源极端子连接至地 GND。NMOS晶体管MN7的栅极端子连接至NMOS晶体管MN8的栅极端子和漏极端子的每 个。NMOS晶体管MN8的栅极端子和漏极端子的每个连接至第二基准电流源1114的另一端 子。而且，NMOS晶体管MN8的源极端子连接至地GND。电流镜电路⑶R2由匪OS晶体管丽7和匪OS晶体管丽8构成。NMOS晶体管MN9的漏极端子连接至第二基准电流源1114的另一端子与NMOS晶体 管MN8的漏极端子和栅极端子之间的连接点。而且，NMOS晶体管MN9的源极连接至地GND。NMOS晶体管MN9的栅极端子连接至NMOS晶体管MNlO的栅极端子和漏极端子的每 个。NMOS晶体管丽10的栅极端子和漏极端子的每个连接至用作电流源的PMOS晶体管MPl 的漏极端子。而且，NMOS晶体管丽10的源极端子连接至地GND。PMOS晶体管MPl的漏极 端子连接至电源VDD。电流镜电路⑶R3由匪OS晶体管MN9和匪OS晶体管MNlO构成。在补偿量控制电路1171中，使来自第一基准电流源1113的第一基准电流IRl分 散地(divergingly)流经在电流镜电路⑶Rl侧的路径a和在电流镜电路⑶R2侧的路径b。而且，当来自路径b侧上的电流镜电路⑶R2的电流量降低时，来自路径a侧上的 电流镜电路CURl的电流量增大。另一方面，当来自路径b侧上的电流镜电路CUR2的电流量增大时，来自路径a侧 上的电流镜电路CURl的电流量降低。使来自第二基准电流源1114的第二基准电流IR2分散地流经在电流镜电路⑶R2 侧的路径c和在电流镜电路CUR3侧的路径d。而且，当来自路径d侧上的电流镜电路⑶R3的电流量降低时，来自路径c侧上的 电流镜电路CUR2的电流量增大。另一方面，当来自路径d侧上的电流镜电路CUR3的电流量增大时，来自路径c侧 上的电流镜电路CUR2的电流量降低。另外，从构成电流源的PMOS晶体管MPl至电流镜电路⑶R3的电流量根据来自运 算放大器OPAl的输出而增大或减小。所接收信号强度判断部分1172的构成元件被布置为以后文所述方式相连接。运算放大器OPAl的反相输入端子(_)连接至用于增益控制信号SGC的输入端子 TG1，运算放大器OPAl的非反相输入端子(+)连接至电阻器Rl的一个端子。而且，节点NDl 由运算放大器OPAl的非反相输入端子(+)和电阻器Rl的一个端子之间的连接点形成。电阻器Rl的另一端子连接至参考电压Vref的输入端子TR1。运算放大器OPAl的输出端子连接至PMOS晶体管MPl和MP2的栅极的每个。PMOS晶体管MP2的源极端子连接至电源VDD，PMOS晶体管MP2的漏极端子连接至 节点NDl。PMOS晶体管MP2使得与来自运算放大器OPAl的输出信号的电平相对应的电流 IVR2 ( = IVR1)流经节点NDl侧。电阻器R2的一个端子连接至节点ND1，电阻器R2的另一端子连接至用作开关的 匪OS晶体管丽14的漏极端子。匪OS晶体管丽14的源极端子连接至地GND，匪OS晶体管 MN14的栅极端子连接至用于控制信号A的输入端子TCl。
电阻器R3的一个端子连接至节点ND1，电阻器R3的另一端子连接至用作开关的 匪OS晶体管丽13的漏极端子。匪OS晶体管丽13的源极端子连接至地GND，匪OS晶体管 MN13的栅极端子连接至用于控制信号B的输入端子TC2。电阻器R4的一个端子连接至节点ND1，电阻器R4的另一端子连接至用作开关的 匪OS晶体管丽12的漏极端子。匪OS晶体管丽12的源极端子连接至地GND，匪OS晶体管 MN12的栅极端子连接至用于控制信号C的输入端子TC3。电阻器R5的一个端子连接至节点ND1，电阻器R5的另一端子连接至用作开关的 匪OS晶体管丽11的漏极端子。匪OS晶体管丽11的源极端子连接至地GND，匪OS晶体管 MNll的栅极端子连接至用于控制信号D的输入端子TC4。在本实施例的接收器100中，电阻器R2、R3、R4、及R5的电阻值分别设置为不同的值。另外，控制信号A、B、C、及D的任意一个例如根据规格(specification)设置为高 电平(H)。而且，NMOS晶体管丽11至丽14的任意一个根据设置为高电平的控制信号A、B、 C、及D的任意一个而导通。参考电压Vref由具有连接至其中任何一个导通的NMOS晶体管 丽14、丽13、丽12、及丽11的漏极端子的另一端子的电阻器R2、R3、R4、及R5的任意一个分 压，通过该分压获得的作为结果的电压被输入至运算放大器OPAl的非反相输入端子(+)。下面，包括以上述方式配置的低噪声放大器111、失真补偿器112、及失真补偿量 控制部分117的电路的操作将关注于失真补偿量控制部分117的操作。注意，图5是示出被使得流经失真补偿器的电流对于所接收信号的电功率的依赖 性的曲线图。在图5中，横轴表示所接收信号的电功率，纵轴表示被使得流经失真补偿器112的 电流。将输入至运算放大器OPAl的反相输入端子㈠的增益控制信号SGC与通过以由 电阻器Rl和电阻器R2至R5的组构成的电阻分压器的分压比来对参考电压Vref进行分压 而获得并在节点NDl出现的电压相比较。当增益控制信号SGC大于经分压的参考电压时，使与增益控制信号SGC成比例的 电流IVRl流经PMOS晶体管MPl和MP2的每个。NMOS晶体管丽10和MN9 二者从来自第二基准电流源1114的第二基准电流IR2中 减去电流IVRl。另外，NMOS晶体管丽7和MN8 二者从来自第一基准电流源1113的第一基准电流 IRl中减去通过相减而获得的第二基准电流。作为结果，使图5的曲线图中所示的电流流经失真补偿器112，以便与所接收信号 的强度相对应。例如，当被使得流经PMOS晶体管MPl的电流根据在运算放大器OPAl中进行的比 较的结果而增大时，被使得流经路径d的电流减小，而被使得经由路径c流经电流镜电路 ⑶R2的电流增大。作为结果，被使得流经路径b的电流减小，而被使得经由路径a流经电流镜电路 ⑶Rl的电流增大。
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另一方面，当被使得流经PMOS晶体管MPl的电流根据在运算放大器OPAl中进行 的比较的结果而减小时，被使得流经路径d的电流增大，而被使得经由路径c流经电流镜电 路⑶R2的电流减小。作为结果，被使得流经路径b的电流增大，而被使得经由路径a流经电流镜电路 ⑶Rl的电流减小。另外，控制信号A至D是每个均设置在CMOS电平(level)的信号，并且除上述操 作外，还具有改变由电阻器Rl和电阻器R2至R5构成的电阻分压器的分压比的作用。作为结果，例如，可以使失真补偿量对于输入电功率的依赖性具有取决于在所希 望的CN方面彼此不同的调制格式的适当值。图6是示出噪声因子对于所接收信号的电功率的依赖性的曲线图。在图6中，横轴表示所接收信号的电功率，纵轴表示噪声因子。另外，在图6中，分别由X、Y、Z表示的曲线与执行失真补偿的情况相对应，并且示 出失真补偿量对于电场的依赖性受控制的情况下的特性。当被使得流经失真补偿器112的电流减小时，电路的增益增大，如图6所示，噪声 因子特性随着所接收信号的强度降低而提高。另外，从图6的曲线图可以理解，通过改变失真补偿量对于输入信号电功率的依 赖性而改变噪声因子开始以上述机制提高时的输入信号的电平。注意，虽然失真补偿量随着所接收信号的强度的降低而减小，但是因为所接收信 号的强度降低，因此失真补偿本身同时减小。因此，由于噪声因子提高的贡献，信号质量未 受损。图7是示出当使希望波的电功率对于干扰波的电功率的比率恒定时信号相对于 拍子的比率的曲线图。在图7中，横轴表示所接收信号的电功率，纵轴表示信号相对于拍子的比率。另外，在图7中，分别由X、Y、Z表示的曲线与执行失真补偿的情况相对应，并且示 出失真补偿量对于电场的依赖性受控制的情况下的特性。从图7的曲线图可以理解，类似于噪声因子特性的情况，通过改变失真补偿量对 于输入信号电功率的依赖性而改变信号相对于拍子的比率开始以上述机制提高时的输入 信号的电平。图8A至8C分别是解释当本发明应用于在图2所示的接收器接收电视广播波的情 况时的效果的示意图。而且，图8A至8C示出当在接收器100接收电视广播波时的例子。在图8A至8C中，区域ARAl是因为接收器100位置接近电视广播塔200因此所接 收信号的强度高的区域。另外，区域ARA2是因为接收器100位置远离电视广播塔200因此所接收信号的强 度低的区域。而且，图8A示出当电视机210不具有失真补偿功能时电视机210中的图像的显示 状态。图8B示出当电视机210具有失真补偿功能时电视机210中的图像的显示状态。图8C示出当电视机210如在本实施例中那样具有失真补偿和信号强度判断功能时电视机210中的图像的显示状态。当电视机210不具有失真补偿功能时，如图8A所示，在作为电视机210位置接近 广播塔200因而所接收信号的强度高的区域的区域ARAl中的电视机210中不显示图像(广 播状态不好)。在作为电视机210位置远离广播塔200因而所接收信号的强度低的区域的区域 ARA2中的电视机210的屏幕上显示图像。当电视机210具有失真补偿功能时，如图8B所示，在作为电视机210位置接近广 播塔200因而所接收信号的强度高的区域的区域ARAl中的电视机210的屏幕上显示图像。另一方面，在作为电视机210位置远离广播塔200因而所接收信号的强度低的区 域的区域ARA2中的电视机210中不显示图像。当电视机210具有所述失真补偿和信号强度判断功能时，如图8C所示，在作为电 视机210位置接近广播塔200因而所接收信号的强度高的区域的区域ARAl中的电视机210 的屏幕上显示图像。另外，在作为电视机210位置远离广播塔200因而所接收信号的强度低的区域的 区域ARA2中的电视机210的屏幕上也显示图像。如上文所述，根据本实施例，失真补偿技术应用于接收器，将失真补偿量与增益控 制电压相比较以便执行希望的控制。增益控制电压与所接收信号的强度成比例。由此，当所接收信号的强度低时，噪声 因子特性改进，而当所接收信号的强度高时，失真特性改进。作为结果，可以提高接收器的动态范围。本申请包含与2009年6月1日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-131849号中公开的主题相关的主题，其全部内容通过引用包含于此。本领域技术人员应当理解，可以根据设计要求和其它因素而进行各种修改、组合、 子组合及替换，只要它们在所附权利要求或其等同内容的范围内。
权利要求
一种接收器，包括放大器，用于放大所接收信号；失真补偿器，具有从来自所述放大器的输出信号中根据基于偏置信号控制的失真补偿量来补偿在来自所述放大器的输出信号中生成的失真的功能；以及失真补偿量控制部分，用于生成所述偏置信号并向所述失真补偿器输出该偏置信号，从而以与所接收信号的强度相对应的补偿量来执行失真补偿。
2.按照权利要求1所述的接收器，还包括解调部分，用于检测所接收信号的电平，根据所接收信号的电平来生成据以控制所接 收信号的放大增益的增益控制信号，以及至少向所述失真补偿量控制部分供给该增益控制 信号；其中，所述失真补偿量控制部分把可变增益信号的电平和与先前设置的参考电压相对 应的信号相互比较，生成偏置信号以便当可变增益信号的电平高于与参考电压相对应的信 号的电平时，以与所接收信号的强度相对应的补偿量来执行失真补偿，并且向所述失真补 偿器输出该偏置信号。
3.按照权利要求1所述的接收器，还包括频率转换部分，用于根据本地振荡信号来对由所述放大器放大的所接收信号进行频率 转换；可变增益放大器，用于以与增益控制信号相对应的增益来调整由所述频率转换部分进 行了频率转换的所接收信号的电平；以及解调部分，用于检测所接收信号的电平，根据所接收信号的电功率来生成据以控制所 接收信号的放大增益的增益控制信号，以及至少向所述可变增益放大器和所述失真补偿量 控制部分供给该增益控制信号；其中，所述失真补偿量控制部分把可变增益信号的电平和与先前设置的参考电压相对 应的信号相互比较，生成偏置信号以便当可变增益信号的电平高于与参考电压相对应的信 号的电平时，以与所接收信号的强度相对应的补偿量来执行失真补偿，并且向所述失真补 偿器输出该偏置信号。
4.按照权利要求2所述的接收器，其中，当可变增益信号的电平高于与所述参考电压 相对应的信号的电平时，所述失真补偿量控制部分生成与增益控制信号成比例的电流，并 且根据如此生成的电流来生成偏置信号。
5.按照权利要求4所述的接收器，其中，所述失真补偿量控制部分包括第一基准电流源，用于供给第一基准电流；以及第二基准电流源，用于供给第二基准电流；从第二基准电流中减去与增益控制信号成比例的电流，从第一基准电流减去如此减去 的第二基准电流，并且将与如此减去的第一基准电流相对应的电流作为偏置信号供给至所 述失真补偿器；以及使与所接收信号的强度相对应的电流流经所述失真补偿器。
6.按照权利要求2所述的接收器，其中，所述失真补偿量控制部分使与参考电压相对 应的信号的电平可变。
7.按照权利要求1所述的接收器，其中， 所述放大器包括第一差分对晶体管，由第一晶体管和第二晶体管构成，和 电流源，连接至所述第一差分对晶体管；以及 所述失真补偿器包括第二差分对晶体管，由第三晶体管和第四晶体管构成，和第五晶体管，连接至所述第二差分对晶体管，并用作具有控制端子的电流源，偏置信号 被供给至该控制端子；公共第一输入信号被供给至所述第一晶体管和所述第四晶体管的控制端子的每个； 公共第二输入信号被供给至所述第二晶体管和所述第三晶体管的每个； 所述第一晶体管的输出端子和所述第三晶体管的输出端子相互连接；以及 所述第二晶体管的输出端子和所述第四晶体管的输出端子相互连接。
全文摘要
在此公开一种接收器，包括放大器，用于放大所接收信号；失真补偿器，具有从来自放大器的输出信号中根据基于偏置信号控制的失真补偿量来补偿在来自放大器的输出信号中生成的失真的功能；以及失真补偿量控制部分，用于生成偏置信号并向失真补偿器输出该偏置信号，从而以与所接收信号的强度相对应的补偿量来执行失真补偿。
文档编号H03F1/32GK101902233SQ20101018940
公开日2010年12月1日 申请日期2010年5月25日 优先权日2009年6月1日
发明者吉川直人 申请人:索尼公司