一种智能igbt的制作方法

文档序号:7519819阅读:237来源:国知局
专利名称:一种智能igbt的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种绝缘栅双极型晶体管,通称为IGBTansulatedGate Bipolar Transistor),特别涉及一种具有智能保护的IGBT,属于IGBT的改进技术领域。
背景技术
常规的IGBT可见图1,可看作是一个简单的晶体管,由G极输入信号,控制C极与 E极的截止与开通。此电子器件没有任何保护功能,因此抗干扰能力非常差,在使用过程中 发生任何一些异常如超温、过流、过压、欠压等状况都有可能烧坏而失效。现在也出现了具 有保护功能的IGBT,IGBT保护的技术方案一般是在IGBT的外围电路中加入各种保护电路, 但这种外围保护电路的灵敏度不高,且电路连接关系复杂、涉及较多昂贵的电子元器件,因 此往往因成本高昂而难以真正有效应用。

实用新型内容本实用新型的目的在于考虑现有技术的不足,提供一种成本低廉、安全可靠、内部 具备智能保护模块的IGBT。本实用新型的技术方案是一种智能IGBT,其特征在于包括电源电路(1)、C极过 压侦测电路O)、温度侦测电路(3)、E极过流侦测电路G)、输入过压欠压侦测电路(5)、驱 动控制IGBT电路(6),所述电源电路⑴输入端分别与C极引脚和G极引脚连接,C极过 压侦测电路( 输入端连接C极引脚、温度侦测电路(3)、E极过流侦测电路的输入端 分别连接E极引脚、输入过压欠压侦测电路(5)的输入端连接G极引脚,C极过压侦测电路 O)、温度侦测电路(3)、E极过流侦测电路G)、输入过压欠压侦测电路(5)的输出端连接 驱动控制IGBT电路(6)输入端。所述驱动控制IGBT电路(6),包括逻辑或门U4、逻辑与门U5、比例晶体管Q1,逻辑 或门U4的输出端Y连接逻辑与门U5的输入端B,逻辑与门U5的输入端A连接G极引脚,输 出端Y连接比例晶体管Ql的基极,比例晶体管Ql的栅极连接C极引脚,发射极接地。所述C极过压侦测电路(2)包括电阻R1、电阻R2、比较器U3、逻辑非门U2、RS锁 存器TO,比较器U3的正输入端分别连接电阻Rl与R2,负输入端连接参考电压ref3,输出端 连接逻辑非门U2的输入端A以及RS锁存器U6的输入端S ;电阻Rl另一端连接C极引脚, 电阻R2的另一端接地;RS锁存器TO的输入端R接收输入过压欠压侦测电路( 输出的比 较信号,输出端S连接驱动控制IGBT电路(6)中逻辑或门U4的输入端A。所述电源电路(1)包括电阻R6、二极管D1、二极管D2、恒流源U12、电源U1,电阻 R6 一端连接C极引脚,另一端连接恒流源U12输入端,恒流源U12输出端连接二极管Dl正 极,二极管D2的正极与G极引脚连接,二极管Dl与二极管D2的负极分别连接电源Ul,恒流 源U12的控制端连接C极过压侦测电路(2)中逻辑非门U2的输出端。所述温度侦测电路C3)包括热敏元件NTC、比较器Ull和电阻R3,热敏元件NTC — 端连接电源VCC,另一端分别连接于电阻R3 —端以及比较器Ull的正输入端,电阻R3另一端接地,比较器Ull的输出端连接驱动控制IGBT电路(6)中逻辑或门U4的输入端D。所述E极过流侦测电路(4)包括比较器U8、电阻R5,比较器U8的正输入端连接驱 动控制IGBT电路(6)中的比例晶体管Q1,负输入端接参考电压ref2,输出端连接驱动控制 IGBT电路(6)中逻辑或门U4输入端E ;电阻R5 —端连接比较器U8的正输入端,另一端接 地。于所述输入过压欠压侦测电路( 包括窗口比较器U7、比较器U9和RS锁存器 U10,窗口比较器U7的正输入端连接参考电压ref4,负输入端连接G极引脚,输出端分别连 接RS锁存器UlO的输入端R、C极过压侦测电路O)中RS锁存器U6的输入端R以及驱动 控制IGBT电路(6)中逻辑或门U4的输入端B ;比较器U9的正输入端连接G极引脚,负输 入端连接参考电压ref5,输出端连接RS锁存器UlO的S输入端;RS锁存器UlO的输出端Q 连接驱动控制IGBT电路(6)中逻辑或门U4的输入端C。其中,所述C极过压侦测电路O)的RS锁存器TO的输入端R连接输入过压欠压 侦测电路(5)中窗口比较器U7的输出端。本实用新型的工作原理为,电源电路由C与G极取得电压输入,经过转换得到系统 电源电压,C极过压侦测电路、温度侦测电路、E极过流侦测电路G)、输入过压欠压侦测电 路输出信号连接到驱动控制IGBT电路的输入端,驱动控制IGBT电路经过运算处理,以决定 开通或关闭IGBT。本实用新型的有益效果是,在不改变IGBT当前封装的情况下,在其内部规划设计 智能电路模块,在出现异常时及时关断IGBT,不仅省去了复杂的外围保护电路,且所加入 的电路模块设计简洁明了、布装简便,由于多用比较器、锁存器等常规IC组成,因此成本低 廉、易于实现,特别适用于电磁炉、开关电源或变频产品领域。

图1为现有IGBT器件的电路符号图。图2为本实用新型的电路框图。图3为本实用新型实施例的电路原理图。图4为本实用新型实施例的RS逻辑电路图。图5为本实用新型实施例的RS逻辑真值表。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型的具体实施方式
作进一步说明。如图2、图3所示,一种智能IGBT,包括电源电路1、C极过压侦测电路2、温度侦测 电路3、E极过流侦测电路4、输入过压欠压侦测电路5、驱动控制IGBT电路6,其中电源电 路1的输入端分别与C极引脚和G极引脚连接,C极过压侦测电路2、温度侦测电路3及E 极过流侦测电路4、输入过压欠压侦测电路5的输入端分别连接C极引脚、E极引脚和G极 引脚,输出端连接驱动控制IGBT电路6输入端。具体来说,电源电路1包括电阻R6、二极管D1、二极管D2、恒流源U12、电源U1,电 阻R6 —端连接C极引脚,另一端连接恒流源U12输入端,恒流源U12输出端连接二极管Dl 正极,二极管D2的正极与G极引脚连接,二极管Dl与二极管D2的负极分别连接电源Ul,恒流源U12的控制端连接C极过压侦测电路2中逻辑非门U2的输出端。C极过压侦测电路2包括电阻R1、电阻R2、比较器U3、逻辑非门U2、RS锁存器U6, 比较器U3的正输入端分别连接电阻Rl与R2,负输入端连接参考电压ref3,输出端连接逻 辑非门U2的输入端A以及RS锁存器U6的输入端S ;电阻Rl另一端连接C极引脚,电阻R2 的另一端接地;RS锁存器U6的输入端R连接输入过压欠压侦测电路5中窗口比较器U7的 输出端,输出端S连接驱动控制IGBT电路6中逻辑或门U4的输入端A。温度侦测电路3包括热敏元件NTC、比较器Ul 1和电阻R3,热敏元件NTC —端连接 电源VCC,另一端分别连接于电阻R3 —端以及比较器Ull的正输入端,电阻R3另一端接地, 比较器Ull的输出端连接驱动控制IGBT电路6中逻辑或门U4的输入端D。E极过流侦测电路4包括比较器U8、电阻R5,比较器U8的正输入端连接驱动控制 IGBT电路6中的比例晶体管Q1,负输入端接参考电压ref2,输出端连接驱动控制IGBT电路 6中逻辑或门U4输入端E ;电阻R5 —端连接比较器U8的正输入端,另一端接地。输入过压欠压侦测电路5包括窗口比较器U7、比较器U9和RS锁存器U10,窗口比 较器U7的正输入端连接参考电压ref4,负输入端连接G极引脚,输出端分别连接RS锁存器 UlO的输入端R、C极过压侦测电路2中RS锁存器U6的输入端R以及驱动控制IGBT电路 6中逻辑或门U4的输入端B ;比较器W的正输入端连接G极引脚,负输入端连接参考电压 ref5,输出端连接RS锁存器UlO的S输入端;RS锁存器UlO的输出端Q连接驱动控制IGBT 电路6中逻辑或门U4的输入端C。驱动控制IGBT电路6,包括逻辑或门U4、逻辑与门TO、IGBT Q1,逻辑或门U4的输 出端Y连接逻辑与门U5的输入端B,逻辑与门U5的输入端A连接G极引脚,输出端Y连接 比例晶体管Ql的基极,比例晶体管Ql的栅极连接C极引脚,发射极接地。图4和图5分别为上述实施例输入过压欠压侦测电路中RS锁存器UlO的逻辑电 路图和RS逻辑真值表。通过以上电路的配置设计,IGBT内部形成一系列保护电路,对IGBT实时监控。 IGBT工作时一旦发生异常,内部电路立刻输出相应信号,马上关断IGBT,保护IGBT,待异常 消除后。IGBT仍可正常工作。相比较常规的IGBT,带内部保护模块的IGBT其可靠性与寿 命大幅提升,为IGBT的应用推广提供了更加坚实的保障。
权利要求1.一种智能IGBT,其特征在于包括电源电路(1)、C极过压侦测电路O)、温度侦测电 路(3)、E极过流侦测电路(4)、输入过压欠压侦测电路( 、驱动控制IGBT电路(6),所述 电源电路(1)输入端分别与C极引脚和G极引脚连接,C极过压侦测电路( 输入端连接 C极引脚、温度侦测电路(3)、E极过流侦测电路的输入端分别连接E极引脚、输入过压 欠压侦测电路(5)的输入端连接G极引脚,C极过压侦测电路O)、温度侦测电路(3)、E极 过流侦测电路G)、输入过压欠压侦测电路(5)的输出端连接驱动控制IGBT电路(6)输入 端。
2.根据权利1所述的一种智能IGBT,其特征在于所述驱动控制IGBT电路(6),包括逻 辑或门U4、逻辑与门U5、比例晶体管Q1,逻辑或门U4的输出端Y连接逻辑与门U5的输入端 B,逻辑与门U5的输入端A连接G极引脚,输出端Y连接比例晶体管Ql的基极,比例晶体管 Ql的栅极连接C极引脚,发射极接地。
3.根据权利2所述的一种智能IGBT,其特征在于所述C极过压侦测电路⑵包括电阻 R1、电阻R2、比较器U3、逻辑非门U2、RS锁存器U6,比较器U3的正输入端分别连接电阻Rl 与R2,负输入端连接参考电压ref3,输出端连接逻辑非门U2的输入端A以及RS锁存器U6 的输入端S ;电阻Rl另一端连接C极引脚,电阻R2的另一端接地;RS锁存器U6的输入端R 接收输入过压欠压侦测电路( 输出的比较信号,输出端S连接驱动控制IGBT电路(6)中 逻辑或门U4的输入端A。
4.根据权利3所述的一种智能IGBT,其特征在于所述电源电路⑴包括电阻R6、二极 管D1、二极管D2、恒流源U12、电源U1,电阻R6 —端连接C极引脚,另一端连接恒流源U12 输入端,恒流源U12输出端连接二极管Dl正极,二极管D2的正极与G极引脚连接,二极管 Dl与二极管D2的负极分别连接电源U1,恒流源U12的控制端连接C极过压侦测电路(2) 中逻辑非门U2的输出端。
5.根据权利2所述的一种智能IGBT,其特征在于所述温度侦测电路C3)包括热敏元件 NTC、比较器Ul 1和电阻R3,热敏元件NTC —端连接电源VCC,另一端分别连接于电阻R3 —端 以及比较器Ull的正输入端,电阻R3另一端接地,比较器Ull的输出端连接驱动控制IGBT 电路(6)中逻辑或门U4的输入端D。
6.根据权利2所述的一种智能IGBT,其特征在于所述E极过流侦测电路(4)包括比较 器U8、电阻R5,比较器U8的正输入端连接驱动控制IGBT电路(6)中的比例晶体管Q1,负 输入端接参考电压ref2,输出端连接驱动控制IGBT电路(6)中逻辑或门U4输入端E ;电阻 R5 一端连接比较器U8的正输入端,另一端接地。
7.根据权利3所述的一种智能IGBT,其特征在于所述输入过压欠压侦测电路( 包括 窗口比较器U7、比较器U9和RS锁存器U10,窗口比较器U7的正输入端连接参考电压ref4, 负输入端连接G极引脚,输出端分别连接RS锁存器UlO的输入端R、C极过压侦测电路(2) 中RS锁存器U6的输入端R以及驱动控制IGBT电路(6)中逻辑或门U4的输入端B ;比较 器U9的正输入端连接G极引脚,负输入端连接参考电压ref5,输出端连接RS锁存器UlO的 S输入端;RS锁存器UlO的输出端Q连接驱动控制IGBT电路(6)中逻辑或门U4的输入端 C0
8.根据权利7所述的一种智能IGBT,其特征在于所述C极过压侦测电路( 的RS锁 存器U6的输入端R连接输入过压欠压侦测电路(5)中窗口比较器U7的输出端。
9.根据权利1所述的一种智能IGBT,其特征在于所述电源电路(1)包括电阻R6、二极管D1、二极管D2、恒流源U12、电源U1,电阻R6 — 端连接C极引脚,另一端连接恒流源U12输入端,恒流源U12输出端连接二极管Dl正极,二 极管D2的正极与G极引脚连接,二极管Dl与二极管D2的负极分别连接电源Ul,恒流源U12 的控制端连接C极过压侦测电路(2)中逻辑非门U2的输出端;所述C极过压侦测电路( 包括电阻R1、电阻R2、比较器U3、逻辑非门U2、RS锁存器 U6,比较器U3的正输入端分别连接电阻Rl与R2,负输入端连接参考电压ref 3,输出端连 接逻辑非门U2的输入端A以及RS锁存器U6的输入端S ;电阻Rl另一端连接C极引脚,电 阻R2的另一端接地;RS锁存器TO的输入端R连接输入过压欠压侦测电路(5)中窗口比较 器U7的输出端,输出端S连接驱动控制IGBT电路(6)中逻辑或门U4的输入端A;所述温度侦测电路C3)包括热敏元件NTC、比较器Ull和电阻R3,热敏元件NTC—端连 接电源VCC,另一端分别连接于电阻R3 —端以及比较器Ull的正输入端,电阻R3另一端接 地,比较器Ull的输出端连接驱动控制IGBT电路(6)中逻辑或门U4的输入端D ;所述E极过流侦测电路(4)包括比较器U8、电阻R5,比较器U8的正输入端连接驱动控 制IGBT电路(6)中比例晶体管Q1,负输入端接参考电压ref2,输出端连接驱动控制IGBT 电路(6)中逻辑或门U4输入端E;电阻R5—端连接比较器U8的正输入端,另一端接地;所述输入过压欠压侦测电路( 包括窗口比较器U7、比较器U9和RS锁存器U10,窗口 比较器U7的正输入端连接参考电压ref4,负输入端连接G极引脚,输出端分别连接RS锁存 器UlO的输入端R、C极过压侦测电路O)中RS锁存器U6的输入端R以及驱动控制IGBT 电路(6)中逻辑或门U4的输入端B ;比较器U9的正输入端连接G极引脚,负输入端连接参 考电压ref5,输出端连接RS锁存器UlO的S输入端;RS锁存器UlO的输出端Q连接驱动控 制IGBT电路(6)中逻辑或门U4的输入端C ;所述驱动控制IGBT电路(6),包括逻辑或门U4、逻辑与门U5、比例晶体管Q1,逻辑或门 U4的输出端Y连接逻辑与门U5的输入端B,逻辑与门U5的输入端A连接G极引脚,输出端 Y连接比例晶体管Ql的基极,比例晶体管Ql的栅极连接C极引脚,发射极接地。
专利摘要本实用新型涉及智能IGBT,包括电源电路、C极过压侦测电路、温度侦测电路、E极过流侦测电路、输入过压欠压侦测电路、驱动控制IGBT电路,电源电路输入端分别与C极引脚和G极引脚连接,C极过压侦测电路输入端连接C极引脚、温度侦测电路、E极过流侦测电路的输入端分别连接E极引脚、输入过压欠压侦测电路的输入端连接G极引脚,它们的输出端连接驱动控制IGBT电路输入端。本方案在不改变IGBT当前封装的情况下,在其内部设计智能电路模块,出现异常时及时关断IGBT,不仅省去了复杂的外围保护电路,且所加入的电路模块设计简洁明了、布装简便,由于多用比较器、锁存器等常规IC组成,因此成本低廉、易于实现,特别适用于电磁炉、开关电源或变频产品领域。
文档编号H03K17/567GK201928251SQ201020596858
公开日2011年8月10日 申请日期2010年11月5日 优先权日2010年11月5日
发明者洪尧枝, 谢波 申请人:佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
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