专利名称：基片级声表面波器件的频率修正方法
技术领域：
本发明涉及声表面波器件的前工序工艺制作，特别涉及一种基片级的声表面波器件频率修正方法。
背景技术：
在制作声表面波器件时，如滤波器、谐振器等各种部件，必须使声表面波器件达到需要的频率特性。但是，声表面波器件的频率特性由于各个压电基片之间物理性质的变化以及在形成IDT中的制造精密度差而偏离所设计的特性。所以声表器件的频率主要由金属膜厚度、金属指条宽度和基片材料声速等决定。声表面波器件前工序的工艺目的，是在基片表面上制作形成所需要的金属(一般为铝)图形。在完成金属图形制作的基片上，探针设备将对基片上的芯片图形进行频率、插损等电性能指标的在线检测和评估，并以此作为基片合格与否的判据。达到合格条件的基片，可流入后工序继续制作，未达到合格条件的基片， 则采取回收或报废的方式进行处理。但是如果能够对频率偏低不合格的基片进行频率调节，则能使基片的频率达到合格范围。因此急需一种基片级声表面波器件器件的频率修正方法。
发明内容
有鉴于此，为了解决上述问题，本发明提出一种稳定可靠的基片级声表面波器件的频率修正方法。通过减薄金属膜厚度和减细指条宽度来提高器件频率，使其频率达到合格范围。本方法对其他电性能指标影响较小，不引入新的不合格因素，有效提升前工序的合格率和生产效率。本发明的目的是提出一种基片级声表面波器件的频率修正方法。本发明的目的是这样实现的
本发明提供的基片级声表面波器件的频率修正方法，包括以下步骤
51在基片表面上制作金属膜；
52利用腐蚀液通过腐蚀法来减薄金属膜厚度；
53检测基片的电性能指标；
54判断基片的电性能指标是否合格；
55如果基片的电性能指标不合格，则返回步骤S2 ；
56如果基片的电性能指标合格，则结束腐蚀。进一步，所述腐蚀液为显影液，所述显影液为通过添加纯水进行稀释，其稀释比例 (体积比)控制在1 :1 1 :10之间；
进一步，所述稀释后的显影液置放于空气中，待其中气体成分挥发完毕后，再行使用；
进一步，所述基片腐蚀浸泡时间控制在0 10分钟内；
进一步，所述步骤Sl中在基片表面上还包括制作金属插指换能器；
进一步，所述步骤S2中还包括利用腐蚀液通过腐蚀法来减细金属插指换能器的宽度；进一步，所述金属材料采用铝材料；
进一步，所述腐蚀液为采用HF-HN03溶液、KOH溶液或TMAH四甲基氢氧化铵溶液。本发明的优点在于本发明通过较为均勻地减薄金属膜厚度和减细金属叉指换能器宽度来提高器件频率，使基片内器件频率稳定均勻的提高，从而达到合格范围，是一种稳定可靠的基片级声表面波器件的频率修正方法，本方法对其他电性能指标影响较小，插损、 波形等其他指标则变化不大，不引入新的不合格因素，基片内的频率一致性在操作前后变化不大，有效提升前工序的合格率和生产效率，修正幅度约在器件中心频率的0. 5%之内。本发明的其它优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其它优点可以通过下面的说明书，权利要求书，以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述，其中
图1为本发明提供的基片级声表面波器件的频率修正方法流程图。
具体实施例方式以下将结合附图，对本发明的优选实施例进行详细的描述；应当理解，优选实施例仅为了说明本发明，而不是为了限制本发明的保护范围。图1为本发明提供的基片级声表面波器件的频率修正方法流程图，如图所示本发明提供的基片级声表面波器件的频率修正方法，包括以下步骤
Sl 在基片表面上制作金属膜和金属插指换能器。S2:利用腐蚀液通过腐蚀法来减薄金属膜厚度和减细金属插指换能器的宽度。S3 检测基片的电性能指标；
54判断基片的电性能指标是否合格；
55如果基片的电性能指标不合格，则返回步骤S2 ；
56如果基片的电性能指标合格，则结束腐蚀。根据金属膜厚、器件中心频率以及频率偏低的程度，可以将选择显影液作为腐蚀液，所用显影液的浓度均为2. 38%，然后将显影液通过添加适当的纯水进行稀释，其稀释比例(体积比)控制在1 :1 1 :10之间。也可以根据具体情况，使用不同配比的液体，本发明实施例中稀释配比采用1 :2和1 :5进行实验。所述稀释后的显影液置放于空气中，本发明实施例采取敞放2小时和5小时，待其中气体成分挥发完毕后，再行使用。所述腐蚀液也可以采用HF-HN03溶液、KOH溶液或TMAH四甲基氢氧化铵溶液。所述基片腐蚀浸泡时间控制在0 10分钟内，本发明腐蚀时间分别采用2分钟，4 分钟，6分钟，8分钟进行实验。所述金属材料采用铝材料。以某型95M声表滤波器为例，在1 1配比的溶剂中浸泡2分钟后，铝膜减薄19. 4nm (2. 85%)，指宽减细 0. 305nm (7. 01%)，频率提高 0. 028M (0. 0295%)，插入损耗增加 0. 05db(0·245%)ο 以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于包括以下步骤51在基片表面上制作金属膜；52利用腐蚀液通过腐蚀法来减薄金属膜厚度；53检测基片的电性能指标；54判断基片的电性能指标是否合格；55如果基片的电性能指标不合格，则返回步骤S2 ；56如果基片的电性能指标合格，则结束腐蚀。
2.根据权利要求1所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于所述腐蚀液为显影液，所述显影液为通过添加纯水进行稀释，其稀释比例(体积比)控制在1 :1 1 10之间。
3.根据权利要求2所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于所述稀释后的显影液置放于空气中，待其中气体成分挥发完毕后，再行使用。
4.根据权利要求3所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于所述基片腐蚀浸泡时间控制在0 10分钟内。
5.根据权利要求4所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于所述步骤Sl中在基片表面上还包括制作金属插指换能器。
6.根据权利要求5所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于所述步骤S2中还包括利用腐蚀液通过腐蚀法来减细金属插指换能器的宽度。
7.根据权利要求6所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于所述金属材料采用铝材料。
8.根据权利要求1所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于所述腐蚀液为采用HF-HN03溶液、KOH溶液或TMAH四甲基氢氧化铵溶液。
全文摘要
本发明公开了一种基片级声表面波器件的频率修正方法，采用分段操作多次腐蚀浸泡的方法，通过减薄金属膜厚度和减细指条宽度来提高器件频率，使其达到合格范围，本发明的优点在于本发明通过较为均匀地减薄金属膜厚度和减细金属叉指换能器宽度来提高器件频率，使基片内器件频率稳定均匀的提高，从而达到合格范围，是一种稳定可靠的基片级声表面波器件的频率修正方法，本方法对其他电性能指标影响较小，插损、波形等其他指标则变化不大，不引入新的不合格因素，基片内的频率一致性在操作前后变化不大，有效提升前工序的合格率和生产效率，修正幅度约在器件中心频率的0.5%之内。
文档编号H03H3/04GK102412802SQ20111037843
公开日2012年4月11日 申请日期2011年11月24日 优先权日2011年11月24日
发明者唐代华, 张华 , 李燕, 李磊, 段伟, 赵建国 申请人:中国电子科技集团公司第二十六研究所