专利名称：低功耗、高隔离单刀双掷开关电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种低功耗、高隔离单刀双掷开关电路。
背景技术：
在目前的微波通讯系统中，功率开关通常采用两种形式(1)采用分立的硅材料的PIN 二极管，采用混合电路的方式实现，其缺点是体积大，工作频率窄且控制电路复杂。采用砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管单片开关，高电子迁移率晶体管开关具有体积小、应用频带宽等特点，但是，通过的功率相对较小。除此之外，现有的功率开关还具有 功耗大、隔离度不理想等缺点，随着现代通信技术的不断发展和人们对通信质量要求地日益苛刻，传统的功率开关已不能满足实际使用的需求。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术的不足，提供一种隔离度可达SOdB的低功耗、高隔离单刀双掷开关电路。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的低功耗、高隔离单刀双掷开关电路，单刀双掷开关的两个输入臂分别与功分器的两个输出连接，它由两个互为对称的串联支路组成，串联支路包括第一 PIN 二极管D1、第二 PIN 二极管D2、第三PIN 二极管D3、第四PIN 二极管D4、第五PIN 二极管D5和匹配电阻R1，第五PIN 二极管D5与匹配电阻Rl并联后于第
一PIN 二极管Dl串联，第二 PIN 二极管D2、第三PIN 二极管D3和第四PIN 二极管D4依次并联在第一 PIN 二极管Dl的负极与第五PIN 二极管D5的正极之间，第二 PIN 二极管D2、第三PIN 二极管D3和第四PIN 二极管D4的负极分别接地。本发明所述的PIN 二极管是结电容为O. 05pF、串联电阻为2Ω的二极管。本发明的有益效果是单刀双掷开关的两个输入端做成吸收式，解决了功分器两个输出端口的匹配问题；增设的并联型PIN 二极管，采用一串三并式二极管分布，提高了开关电路的隔离度；此外，本开关电路还具有结构简单、功耗低、使用方便且成本低等特点。
图I为本发明电路原理示意图。
具体实施例方式下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案如图I所示，低功耗、高隔离单刀双掷开关电路，单刀双掷开关的两个输入臂分别与功分器的两个输出连接，它由两个互为对称的串联支路组成，串联支路包括第一 PIN 二极管D1、第二 PIN 二极管D2、第三PIN 二极管D3、第四PIN 二极管D4、第五PIN 二极管D5和匹配电阻R1，第五PIN 二极管D5与匹配电阻Rl并联后于第一 PIN 二极管Dl串联，第二 PIN 二极管D2、第三PIN 二极管D3和第四PIN 二极管D4依次并联在第一 PIN 二极管Dl的负极与第五PIN 二极管D5的正极之间，第二PIN 二极管D2、第三PIN 二极管D3和第四PIN 二极管D4的负极分别接地。PIN 二极管 采用SkyWorks公司的ADP0805-000 二极管，该二极管的结电容为O. 05pF、串联电阻为2 Ω。微波基材采用罗杰斯公司的Duroid5880型基材，板厚为O. 508mm，介电常数为2. 2。
权利要求
1.低功耗、高隔离单刀双掷开关电路，单刀双掷开关的两个输入臂分别与功分器的两个输出连接，其特征在于它由两个互为对称的串联支路组成，串联支路包括第一 PIN 二极管D1、第二 PIN 二极管D2、第三PIN 二极管D3、第四PIN 二极管D4、第五PIN 二极管D5和匹配电阻R1，第五PIN 二极管D5与匹配电阻Rl并联后于第一 PIN 二极管Dl串联，第二 PIN二极管D2、第三PIN 二极管D3和第四PIN 二极管D4依次并联在第一 PIN 二极管Dl的负极与第五PIN 二极管D5的正极之间，第二 PIN 二极管D2、第三PIN 二极管D3和第四PIN 二极管D4的负极分别接地。
2.根据权利要求I所述的低功耗、高隔离单刀双掷开关电路，其特征在于所述的PIN二极管是结电容为O. 05pF、串联电阻为2 Ω的二极管。
全文摘要
本发明公开了一种低功耗、高隔离单刀双掷开关电路，它由两个互为对称的串联支路组成，第五PIN二极管D5与匹配电阻R1并联后于第一PIN二极管D1串联，第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3和第四PIN二极管D4依次并联在第一PIN二极管D1的负极与第五PIN二极管D5的正极之间，第二PIN二极管D2、第三PIN二极管D3和第四PIN二极管D4的负极分别接地。本发明单刀双掷开关的两个输入端做成吸收式，解决了功分器两个输出端口的匹配问题；增设的并联型PIN二极管，采用一串三并式二极管分布，提高了开关电路的隔离度；此外，本开关电路还具有结构简单、功耗低、使用方便且成本低等特点。
文档编号H03K17/687GK102647171SQ20121012809
公开日2012年8月22日 申请日期2012年4月28日 优先权日2012年4月28日
发明者陈平栾 申请人:成都泰格微波技术股份有限公司