高隔离度单刀双掷开关的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了高隔离度单刀双掷开关，包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3；所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接；所述第一电路包括电容C1、二极管V3、由电感L1和电容C2接地形成的第二支路，由电阻R1和二极管V1形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路；所述电容C1、第三支路和二极管V3依次连接；所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路；所述电容C1与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。单刀双掷开关通过增加的两级由电感L1和电容C2接地形成的第二支路来实现对射频信号的抑制，以最终解决开关线路产生谐振的问题。
【专利说明】高隔离度单刀双掷开关
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及开关【技术领域】，具体涉及高隔离度单刀双掷开关。
【背景技术】
[0002]目前，单刀双掷开关的隔离度要求达到了IlOdB,要达到这个指标是相当困难的，为了完成该产品的生产，在装配产品时选用了串并联形式的基本电路；为了提高隔离度，部分厂家总共并联了 6只PIN管芯，理论上这样就能满足要求，但在实际的生产中，由于二极管芯本身的寄生参量，管芯焊接所用键合金丝的寄生电感，都会使线路产生谐振而导致工作曲线波动较大，从而无法满足技术指标的要求。
实用新型内容
[0003]针对现有技术中的上述不足，本实用新型提供的高隔离度单刀双掷开关解决了线路产生谐振的问题。
[0004]为了达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案为:提供一种高隔离度单刀双掷开关，其包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3 ;所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接；
[0005]所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、由电感LI和电容C2接地形成的第二支路，由电阻Rl和二极管Vl形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路；
[0006]所述电容Cl、第三支路和二极管V3依次连接；所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路；所述电容Cl与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。
[0007]设计时，优选相邻两个第四支路之间的间距等于单刀双掷开关工作频率的四分之一波长。
[0008]设计时，进一步优选所述第三支路和二极管V3之间串联有六级第四支路。
[0009]设计时，再进一步所述单刀双掷开关的工作频率为5GHz?6 GHz0
[0010]本实用新型的有益效果为:单刀双掷开关通过增加的两级由电感LI和电容C2接地形成的第二支路来实现对射频信号的抑制，以最终解决开关线路产生谐振的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型高隔离度单刀双掷开关一个实施例的电路图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】进行详细地说明:
[0013]参考图1，图1为本实用新型高隔离度单刀双掷开关一个实施例的电路图；如图1所述，本实施例的技术方案为:包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3 ;所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接；
[0014]所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、由电感LI和电容C2接地形成的第二支路，由电阻Rl和二极管Vl形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路；
[0015]所述电容Cl、第三支路和二极管V3依次连接；所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路；所述电容Cl与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。
[0016]本实施例的刀双掷开关通过增加的两级由电感LI和电容C2接地形成的第二支路来实现对射频信号的抑制，以最终解决开关线路产生谐振的问题。
[0017]在本实用新型的一个实施例中，将微波电路的路径尽量地拉长，有了足够的路径，相邻两个第四支路的间距就能尽可能地接近工作频率的λ /4，这样做的原因在于两只并联的第四支路之间在微带传输线上相距约四分之一波长时，能够得到较大的隔离度。
[0018]在本实用新型的一个实施例中，为了进一步优化单刀双掷开关的隔离度，所述第三支路和二极管V3之间串联有六级第四支路。
[0019]在本实用新型的一个实施例中，为了确保单刀双掷开关拥有最好的工作状态，将其工作频率设置为5GHz?6 GHz0
[0020]虽然结合附图对本实用新型的【具体实施方式】进行了详细地描述，但不应理解为对本专利的保护范围的限定。在权利要求书所描述的范围内，本领域技术人员不经创造性劳动即可做出的各种修改和变形仍属本专利的保护范围。
【权利要求】
1.一种高隔离度单刀双掷开关，其特征在于:包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3 ;所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接； 所述第一电路包括电容Cl、二极管V3、由电感LI和电容C2接地形成的第二支路，由电阻Rl和二极管Vl形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路； 所述电容Cl、第三支路和二极管V3依次连接；所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路；所述电容Cl与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。
2.根据权利要求1所述的高隔离度单刀双掷开关，其特征在于:相邻两个第四支路之间的间距等于单刀双掷开关工作频率的四分之一波长。
3.根据权利要求2所述的高隔离度单刀双掷开关，其特征在于:所述第三支路和二极管V3之间串联有六级第四支路。
4.根据权利要求1-3任一所述的高隔离度单刀双掷开关，其特征在于:所述单刀双掷开关的工作频率为5GHz?6 GHz。
【文档编号】H03K17/687GK204046561SQ201420150042
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年3月31日 优先权日:2014年3月31日
【发明者】周开斌, 毛艳 申请人:成都创新达微波电子有限公司