专利名称：一种基于谐振保护的异或门电路结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电路结构，具体是指一种基于谐振保护的异或门电路结构。
背景技术：
目前，人们在生活中会用到各种电子设备，而大多数的电子设备中都具有异或门电路，以通过识别高、底电平来对电子设备进行控制。但目前市面上的异或门电路均不具有谐振保护功能，因此当输入的电压出现大量的电泳时，不仅会极大的影响到异或门电路的
正常使用，而且还会减少异或门电路的使用寿命。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服目前的异或门电路不具有谐振保护功能的缺陷，提供一种基于谐振保护的异或门电路结构。本实用新型通过以下技术方案来实现一种基于谐振保护的异或门电路结构，主要由两个相互连接的异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，以及与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路组成。所述的谐振保护电路由场效应晶体管Q，一端与场效应晶体管Q的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q的漏极相连接的电容Cl，串接在电容Cl与电容C2的连接点与场效应晶体管Q的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L组成。所述异或门集成芯片Ul的输出端与电容Cl和电容C2的连接点相连接，异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。为了较好的实现本实用新型，所述电阻R的阻值为4. 7 ΚΩ，所述的电容Cl、电容C2、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果(I)本实用新型能彻底解决传统的异或门电路不具有谐振保护功能的缺陷。(2)本实用新型整体性能非常稳定，功耗较低，利于推广和使用。(3)本实用新型不仅制作成本较为低廉，而且其体积非常小。
图I为本实用新型的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例[0013]如图I所示，本实用新型的电路结构包括异或门集成芯片U1、异或门集成芯片U2，电阻R和谐振保护电路。其中，电阻R分别与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的任一个输入端相连接，谐振保护电路则分别与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输出端相连接。所述的谐振保护电路由场效应晶体管Q，一端与场效应晶体管Q的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q的漏极相连接的电容Cl，串接在电容Cl与电容C2的连接点与场效应晶 体管Q的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L组成。其中，异或门集成芯片Ul的输出端与电容Cl和电容C2的连接点相连接，异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。考虑到实际的运行情况，本实施例中的电阻R的阻值优先为4. 7 K Ω，而电容Cl、电容C2、电容C3及电容C4均采用高压贴片电容，以确保其使用效果。如上所述，便可较好的实现本实用新型。
权利要求1.一种基于谐振保护的异或门电路结构，其特征在于，主要由两个相互连接的异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，以及与异或门集成芯片Ul和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路组成。
2.根据权利要求I所述的一种基于谐振保护的异或门电路结构，其特征在于所述的谐振保护电路由场效应晶体管Q，一端与场效应晶体管Q的栅极相连接、另一端依次经电容C2、电容C4后与场效应晶体管Q的漏极相连接的电容Cl，串接在电容Cl与电容C2的连接点与场效应晶体管Q的漏极之间的电容C3，以及与电容C4相并联的电感L组成；所述异或门集成芯片Ul的输出端与电容Cl和电容C2的连接点相连接，异或门集成芯片U2的输出端则与电容C2与电容C4的连接点相连接。
3.根据权利要求I或2所述的一种基于谐振保护的异或门电路结构，其特征在于所述电阻R的阻值为4. 7 ΚΩ。
4.根据权利要求3所述的一种基于谐振保护的异或门电路结构，其特征在于所述的电容Cl、电容C2、电容C3及电容C4均为高压贴片电容。
专利摘要本实用新型公开了一种基于谐振保护的异或门电路结构，其特征在于，主要由两个相互连接的异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2，与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输入端均相连接的电阻R，以及与异或门集成芯片U1和异或门集成芯片U2的输出端相连接的谐振保护电路组成。本实用新型不仅能彻底解决传统的异或门电路不具有谐振保护功能的缺陷，而且其性能非常稳定，功耗较低，利于推广和使用。
文档编号H03K19/21GK202798667SQ20122042425
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月25日 优先权日2012年8月25日
发明者王艳 申请人:成都方拓科技有限公司