一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及高隔离放大器陶瓷管壳的【技术领域】，尤其是一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳，包括陶瓷壳体、可伐引线、金属盖板，陶瓷壳体的开口端上设金属封接环，陶瓷壳体上对称的设有金属屏蔽层形成三端隔离，输入地、输出地和电源地引出脚为模块三端独立地引出脚。本实用新型将外罩屏蔽盒与陶瓷管壳合为一体，节省产品的体积和重量，实现隔离放大器屏蔽层三地端隔离分布，过程控制及信号采集系统，消除接地环路，完成浮地信号测量功能，且有效抑制噪声泄出和侵入，电磁兼容性明显提高。外壳采用陶瓷壳体，陶瓷绝缘性能好，通过绝缘距离的设计保证，满足高隔离性能指标。
【专利说明】一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高隔离放大器陶瓷管壳的【技术领域】，尤其是一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳。
【背景技术】
[0002]隔离放大器由信号隔离放大器及DC/DC电源变换器组成，所谓三端电源隔离放大器要求输入(I)和输出(O)地端隔离(即高绝缘阻抗，≥2000V),电源(P)与输出(或输入)地端隔离，当电源浮地时，谓之三端(I / O / P端)隔离，实现浮地信号测量。
[0003]美国BB公司生产的隔离放大器BB3656，外壳是采用陶瓷外壳，在实际应用中，为了电磁兼容，需要外套100MS型屏蔽盒，本实用新型技术将屏蔽层与外壳合而为一，屏蔽层一分为二，分别连接输入“地”及输出“地”，旨在有效抑制噪声泄出和侵入，有效提升电磁兼容性能；其次，BB3656采用的纯陶瓷外壳，密封工艺采用的是密封胶粘结封装结构，不能用于军品级(_55°C~+125°C)环境温度条件，而这种带金属屏蔽层、带金属焊接环的陶瓷管壳，采用平行缝焊技术封装，密封性≥1 X 10_9 Pa.cm3/s (He)，满足军品(_55°C~+125°C )环境温度要求；如果采用全金属壳密封封装，气密性能和军品级环境温度完全能达到要求，则不能实现三端电源地隔离、屏蔽目的，实验发现，当金属外壳悬空时，通过金属外壳引入的高频交流干扰直接影响隔离放大器信号输出幅度下降，采用金属外壳接输入地或输出地可以屏蔽通过金属外壳引入的干扰，但会导致输入地和输出地之间的分布电容明显增加，不能满足隔离放大器的性能指标。
实用新型内容
[0004]为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供了一种带三端屏蔽的高隔离放大器
陶瓷管壳。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳，包括陶瓷壳体、可伐引线和金属盖板，所述陶瓷壳体开口端设有金属封接环，所述陶瓷壳体底面上相对平行的两端设有可伐引线，所述可伐引线穿过陶瓷壳体底面且伸入陶瓷壳体内，所述陶瓷壳体内侧壁上设有金属导带，所述金属导带一端连接金属封接环，另一端连接可伐引线，所述陶瓷壳体的侧面和底面在平行于可伐引线方向上对称的设有金属屏蔽层，所述侧面包括侧面一和侧面二，所述侧面一和侧面二上的金属屏蔽层最上端留有绝缘段，垂直于可伐引线方向的侧面二和底面上的金属屏蔽层在中间的对称位置上留有绝缘段，所述底面上的金属屏蔽层在设有可伐引线的两端留有绝缘段，所述底面两端留有的绝缘段的中间位置上分别设有输入地引出脚和输出地引出脚，所述输入地引出脚的一端连接侧面一上的金属屏蔽层，另一端连接底面上一侧的金属屏蔽层，所述输出地引出脚一端连接在相对另一侧面一上的金属屏蔽层，另一端连接在底面另一侧的金属屏蔽层，所述金属盖板设置在陶瓷壳体上。
[0006]根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括所述金属盖板、金属封接环和可伐引线和的材料为铁镍合金。
[0007]根据本实用新型的另一个实施例，进一步包括所述陶瓷壳体采用95%氧化铝陶瓷。
[0008]本实用新型的有益效果是，将外罩屏蔽盒与陶瓷管壳合为一体，节省产品的体积和重量，能够实现隔离放大器屏蔽层三地端隔离分布，以实现过程控制及信号采集系统，消除接地环路，完成浮地信号测量功能，且有效抑制噪声泄出和侵入，电磁兼容性较整体外套金属屏蔽盒和纯金属外壳产品有明显提高。陶瓷绝缘性能好，通过绝缘距离的设计保证，满足闻隔尚性能指标。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0010]图1是本实用新型的结构示意图；
[0011]图2是本实用新型侧面一 6的结构示意图；
[0012]图3是本实用新型侧面二 7的结构示意图；
[0013]图4是本实用新型的底面12的结构示意图。
[0014]图中1.金属盖板，2.金属封接环，3.陶瓷壳体，4.可伐引线，5.金属屏蔽层，
6.侧面一，7.侧面二，8.输入地引出脚，9.输出地引出脚，10.绝缘段，11.金属导带，12.底面。
【具体实施方式】
[0015]如图1、图2、图3和图4所示，一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳，包括陶瓷壳体3、可伐引线4和金属盖板1，陶瓷壳体3开口端设有金属封接环2，陶瓷壳体3底面12上相对平行的两端设有可伐引线4，可伐引线4穿过陶瓷壳体3底面12且伸入陶瓷壳体3内，陶瓷壳体3内侧壁上设有金属导带11，金属导带11 一端连接金属封接环2，另一端连接可伐引线4，陶瓷壳体3的侧面和底面12在平行于可伐引线4方向上对称的设有金属屏蔽层5,侧面包括侧面一 6和侧面二 7,侧面一 6和侧面二 7上的金属屏蔽层5最上端留有绝缘段10，垂直于可伐引线4方向的侧面二 7和底面12上的金属屏蔽层5在中间的对称位置上留有绝缘段10，底面12上的金属屏蔽层5在设有可伐引线4的两端留有绝缘段10，底面12两端留有的绝缘段10的中间位置上分别设有输入地引出脚8和输出地引出脚9，输入地引出脚8的一端连接侧面一 6上的金属屏蔽层5，另一端连接底面12上一侧的金属屏蔽层5，输出地引出脚9 一端连接在相对另一侧面一 6上的金属屏蔽层5，另一端连接在底面12另一侧的金属屏蔽层5，金属盖板I设置在陶瓷壳体3上。
[0016]其中较优的，金属盖板1、金属封接环2和可伐引线4的材料为铁镍合金。陶瓷壳体3米用95%氧化招陶瓷。
[0017]本实用新型的陶瓷壳体3、可伐引线4和铁镍合金盖板I组成针栅结构的陶瓷管壳壳体；壳体铁镍合金封接环2和铁镍合金盖板I通过平行缝焊形成气密性封装结构；对称的金属屏蔽层5形成输入部分和输出部分的独立屏蔽层；输入地引出脚8、输出地引出脚9和电源地弓I出脚可伐弓I线4为模块三端独立地弓I出脚。
[0018]另外，在使用过程中，三端屏蔽绝缘段距离10按设计要求保证各引出脚端高隔离(隔离电压> 2000V)性能。本实用新型设计基体绝缘段距离为2.09mm，表面绝缘段距离为
1.54mm，其中，设计基体绝缘段距离为可伐引线4中心线之间的距离为2.09mm，表面绝缘段距离为侧面一 6和侧面二 7上的金属屏蔽层5最上端留有绝缘段10的距离，垂直于可伐引线4方向的侧面二 7和底面12上的金属屏蔽层5在中间的对称位置上留有绝缘段10的距离，则V陶瓷=1 / (I / V陶瓷表面+1 / V陶瓷基体)=
[0019]I / {I / (2000X1.54)+1 / (8000X2.09) } =2600.89V O 2000V),满足设计要求；绝缘电阻设计计算:理论上陶瓷体绝缘电阻可以达到1012 Ω / mm，表面绝缘电阻为1Χ1010Ω / mm，根据该产品设计的基体绝缘段距离和表面绝缘段距离，即 R 总=1 / (I / R 陶瓷表面+1 / R 陶瓷基体)=I / {I / (1X1012X1.54)+1 /(1X1010X2.09) }=1.53Χ1010Ω (> I X 109 Ω )，满足设计要求；
[0020]本实用新型将外罩屏蔽盒与陶瓷管壳合为一体即本实用新型中的金属屏蔽层5与陶瓷壳体3合为一体，节省产品的体积和重量，实现隔离放大器屏蔽层三地端隔离分布，过程控制及信号采集系统，消除接地环路，完成浮地信号测量功能，且有效抑制噪声泄出和侵入，电磁兼容性明显提高。外壳采用陶瓷壳体，陶瓷绝缘性能好，通过绝缘距离的设计保证，?两足闻隔尚性能 指标。
【权利要求】
1.一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳，其特征是，包括陶瓷壳体(3)、可伐引线(4)和金属盖板(1)，所述陶瓷壳体(3)开口端设有金属封接环(2)，所述陶瓷壳体(3)底面(12)上相对平行的两端设有可伐引线(4)，所述可伐引线(4)穿过陶瓷壳体(3)底面(12)且伸入陶瓷壳体(3)内，所述陶瓷壳体(3)内侧壁上设有金属导带(11)，所述金属导带(11)一端连接金属封接环(2)，另一端连接可伐引线(4)，所述陶瓷壳体(3)的侧面和底面(12)在平行于可伐引线(4)方向上对称的设有金属屏蔽层(5)，所述侧面包括侧面一(6)和侧面二(7)，所述侧面一(6)和侧面二(7)上的金属屏蔽层(5)最上端留有绝缘段(10)，垂直于可伐引线(4)方向的侧面二(7)和底面(12)上的金属屏蔽层(5)在中间的对称位置上留有绝缘段(10)，所述底面(12)上的金属屏蔽层(5)在设有可伐引线(4)的两端留有绝缘段(10)，所述底面(12)两端留有的绝缘段(10)的中间位置上分别设有输入地引出脚(8)和输出地引出脚(9)，所述输入地引出脚(8)的一端连接侧面一(6)上的金属屏蔽层(5)，另一端连接底面(12)上一侧的金属屏蔽层(5)，所述输出地引出脚(9)一端连接在相对另一侧面一(6)上的金属屏蔽层(5)，另一端连接在底面(12)另一侧的金属屏蔽层(5)，所述金属盖板(I)设置在陶瓷壳体(3)上。
2.根据权利要求1所述的一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳，其特征是，所述金属盖板(I)、金属封接环(2)和可伐引线(4)的材料为铁镍合金。
3.根据权利要求1所述的一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳，其特征是，所述陶瓷壳体(3)采用95%氧化铝陶瓷。
【文档编号】H03F1/00GK203596797SQ201320721118
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2013年11月15日 优先权日:2013年11月15日
【发明者】宋哲浩, 陆寿茂, 余建, 赵雪梅, 王林, 赵彦飞 申请人:常州市华诚常半微电子有限公司, 中国运载火箭技术研究院