一种低噪声放大器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种低噪声放大器，采用两级级联的方式，前级采用低噪声放大芯片，后级采用放大芯片，同时采用微带匹配电路，级间匹配采用电容和电阻并联的RC低通网络来完成阻抗变换，本实用新型采用两级结构，对信号进行逐级放大，保证信号的放大程度，且有效的控制低噪声放大器的功率，同时采用微带线匹配，有效降低低噪声放大器的噪声系数，采用微带线匹配，也可有效的降低低噪声放大器的体积，更加实用，应用更加广泛。
【专利说明】一种低噪声放大器
【技术领域】
[0001]本实用新型公开了一种低噪声放大器，涉及微波信号放大【技术领域】。
【背景技术】
[0002]在微波信号处理领域，低噪声放大器作为最重要的器件之一，对信号中的杂波进行有效的过滤，增加信号的纯度，提高信号的信噪比，尤其在雷达天线中有着不可替代的作用，低噪声放大器是无线接收机的重要组成部分，其性能的好坏将直接影响整个接收机系统的性能，低噪声放大器广泛地应用于微波通信、雷达、电子对抗、遥测遥控、射电天文、大地测绘等无线电通信系统中。
[0003]低噪声放大器是指噪声系数很低的放大器，一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，在微波信号领域，低噪声放大器是必不可少的期间之一，滤除信号，降低噪声是低噪声放大器的主要功能。
[0004]低噪声放大器带有限幅功能，可有效的削减无关公大幅度信号的增益，保证后续器件的安全，但是现有的低噪声放大器，其滤除噪声的能力与进行信号放大的能力成反比，不能做到对信号进行足够放大的同时，从而无法保证后级电路接收到信号的纯度和功率。
实用新型内容
[0005]本实用新型所要解决的技术问题是:针对现有技术的缺陷，提供一种低噪声放大器，采用两级结构，对信号进行逐级放大，保证信号的放大程度，且有效的控制低噪声放大器的功率，同时采用微带线匹配，有效降低低噪声放大器的噪声系数，采用微带线匹配，也可有效的降低低噪声放大器的体积，更加实用，应用更加广泛。
[0006]本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案:
[0007]—种低噪声放大器，包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一电感、第二电感、第三电感、第四电感，第一放大芯片和第二放大芯片，其中，第一电容的一端与第二电容的一端相连，第二电容的另一端分别与第一放大芯片的输入端和第一电感的一端相连，所述第一电感的另一端分别连接第七电容的一端和第一电阻的一端，所述第七电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端分别连接第二电阻的一端和第三电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地，所述第三电阻的另一端分别连接第二电感的一端和第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端连接第八电容的一端，所述第八电容的一端接地，所述第二电感的另一端分别连接第一放大芯片的输出端和第三电容的一端，所述第三电容的另一端分别连接第四电容的一端和第五电阻的一端，所述第四电容的另一端分别连接第五电阻的另一端和第五电容的一端，所述第五电容的另一端分别连接第三电感的一端和第二放大芯片的输入端，所述第三电感的另一端分别连接第九电容的一端和第六电阻的一端，所述第九电容的另一端接地，所述第六电阻的另一端分别连接第七电阻的一端和第八电阻的一端，所述第七电阻的另一端接地，所述第八电阻的另一端分别连接第九电阻的一端和第四电感的一端，所述第九电阻的另一端连接第十电容的一端，所述第十电容的另一端接地，所述第四电感的一端分别连接第二放大芯片的输出端和第六电容的一端。
[0008]作为本实用新型的进一步优化方案，所述的第一放大芯片的型号为MA4L401。
[0009]作为本实用新型的进一步优化方案，所述的第二放大芯片的型号为MA4L022。
[0010]作为本实用新型的进一步优化方案，所述第一电容通过一个T型微带线与第二电容进行连接，第一电容的一端与T型微带线的输入端相连，所述T型微带线的输出端与第二电容的一端相连，T型微带线的第三端为具有一定长度的微带线，且T型微带线的第三端接地。
[0011]作为本实用新型的进一步优化方案，所述第二电阻、第三电阻、第四电阻的阻值分别与第七电阻、第八电阻、第九电阻的阻值相等。
[0012]作为本实用新型的进一步优化方案，所述第一放大芯片的工作点为3V，60mV。
[0013]本实用新型采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果:
[0014]第一:本实用新型采用两级结构，对信号进行逐级放大，保证信号的放大程度，且有效的控制低噪声放大器的功率；
[0015]第二:本实用新型采用微带线匹配，有效降低低噪声放大器的噪声系数；保证了信号的信噪比；
[0016]第三:。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1、本实用新型的电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面详细描述本实用新型的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。
[0019]本【技术领域】技术人员可以理解的是，本实用新型中涉及到的相关模块及其实现的功能是在改进后的硬件及其构成的装置、器件或系统上装载现有技术中常规的计算机软件程序或有关协议就可实现，并非是对现有技术中的计算机软件程序或有关协议进行改进。例如，改进后的计算机硬件系统依然可以通过装载现有的软件操作系统来实现该硬件系统的相关功能。例如，改进后的64位处理器的计算机硬件系统可以装载在32位处理器时代设计的windows XP软件操作系统来实现该64位处理器的相关功能。因此，可以理解的是，本实用新型的创新之处在于对现有技术中硬件模块的改进及其连接组合关系，而非仅仅是对硬件模块中为实现有关功能而搭载的软件或协议的改进。
[0020]下面结合附图对本实用新型的技术方案做进一步的详细说明:
[0021]本实用新型公开一种低噪声放大器，如图1所不，包括第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4，第一放大芯片Tl和第二放大芯片T2，其中，第一电容Cl的一端与第二电容C2的一端相连，第二电容C2的另一端分别与第一放大芯片Tl的输入端和第一电感LI的一端相连，所述第一电感LI的另一端分别连接第七电容C7的一端和第一电阻Rl的一端，所述第七电容C7的另一端接地，所述第一电阻Rl的另一端分别连接第二电阻R2的一端和第三电阻R3的一端，所述第二电阻R2的另一端接地，所述第三电阻R3的另一端分别连接第二电感L2的一端和第四电阻R4的一端，所述第四电阻R4的另一端连接第八电容CS的一端，所述第八电容CS的一端接地，所述第二电感L2的另一端分别连接第一放大芯片Tl的输出端和第三电容C3的一端,所述第三电容C3的另一端分别连接第四电容C4的一端和第五电阻R5的一端,所述第四电容C4的另一端分别连接第五电阻R5的另一端和第五电容C5的一端，所述第五电容C5的另一端分别连接第三电感L3的一端和第二放大芯片T2的输入端，所述第三电感L3的另一端分别连接第九电容C9的一端和第六电阻R6的一端，所述第九电容C9的另一端接地，所述第六电阻R6的另一端分别连接第七电阻R7的一端和第八电阻R8的一端，所述第七电阻R7的另一端接地，所述第八电阻R8的另一端分别连接第九电阻R9的一端和第四电感L4的一端，所述第九电阻R9的另一端连接第十电容ClO的一端，所述第十电容ClO的另一端接地，所述第四电感L4的一端分别连接第二放大芯片T2的输出端和第六电容C6的一端。
[0022]第四电容C4和第五电阻R5并联组成RC低通网络来完成阻抗变换减小增益并起到增加频段低端稳定性的作用。
[0023]作为本实用新型的进一步优化方案，所述的第一放大芯片Tl的型号为MA4L401。
[0024]作为本实用新型的进一步优化方案，所述的第二放大芯片T2的型号为MA4L022。
[0025]该低噪声放大器的使用频段为2.0GHz-2.4GHz，芯片MA4L401的频率可到9GHz，最高可承受1000W以上的脉冲功率的冲击，它可以将56dBm的脉冲输入限幅至45dBm以下，可以保证后级电路的安全。
[0026]作为本实用新型的进一步优化方案，所述第一电容Cl通过一个T型微带线与第二电容C2进行连接，第一电容Cl的一端与T型微带线的输入端相连，所述T型微带线的输出端与第二电容C2的一端相连，T型微带线的第三端为具有一定长度的微带线，且T型微带线的第三端接地。
[0027]匹配电路设计是低噪声放大器设计的重要问题之一，低频段一般采用集总参数匹配，但是由于集总参数匹配中的电感和电容等元器件的品质因数Q值有限，因而在频段上升时会有一定程度上的损耗，所以采用分布参数匹配结构，而一般的分布参数匹配有L型匹配结构、T型匹配结构或π型匹配结构，本电路中选用T型匹配，增加电路的带宽。
[0028]作为本实用新型的进一步优化方案，所述第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4的阻值分别与第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9的阻值相等。
[0029]作为本实用新型的进一步优化方案，所述第一放大芯片Tl的工作点为3V，60mV。
[0030]上面结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但是本实用新型并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化。
[0031]以上实施例仅为说明本实用新型的技术思想，不能以此限定本实用新型的保护范围。凡是按照本实用新型提出的技术思想，以及在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本实用新型保护范围之内。
【权利要求】
1.一种低噪声放大器,其特征在于:包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一电感、第二电感、第三电感、第四电感，第一放大芯片和第二放大芯片，其中，第一电容的一端与第二电容的一端相连，第二电容的另一端分别与第一放大芯片的输入端和第一电感的一端相连，所述第一电感的另一端分别连接第七电容的一端和第一电阻的一端，所述第七电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端分别连接第二电阻的一端和第三电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地，所述第三电阻的另一端分别连接第二电感的一端和第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端连接第八电容的一端，所述第八电容的一端接地，所述第二电感的另一端分别连接第一放大芯片的输出端和第三电容的一端，所述第三电容的另一端分别连接第四电容的一端和第五电阻的一端，所述第四电容的另一端分别连接第五电阻的另一端和第五电容的一端，所述第五电容的另一端分别连接第三电感的一端和第二放大芯片的输入端，所述第三电感的另一端分别连接第九电容的一端和第六电阻的一端，所述第九电容的另一端接地，所述第六电阻的另一端分别连接第七电阻的一端和第八电阻的一端，所述第七电阻的另一端接地，所述第八电阻的另一端分别连接第九电阻的一端和第四电感的一端，所述第九电阻的另一端连接第十电容的一端，所述第十电容的另一端接地，所述第四电感的一端分别连接第二放大芯片的输出端和第六电容的一端。
2.如权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于:所述的第一放大芯片的型号为 MA4L401。
3.如权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于:所述的第二放大芯片的型号为 MA4L022。
4.如权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于:所述第一电容通过一个T型微带线与第二电容进行连接，第一电容的一端与T型微带线的输入端相连，所述T型微带线的输出端与第二电容的一端相连，T型微带线的第三端为具有一定长度的微带线，且T型微带线的第三端接地。
5.如权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于:所述第二电阻、第三电阻、第四电阻的阻值分别与第七电阻、第八电阻、第九电阻的阻值相等。
6.如权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于:所述第一放大芯片的工作点为 3V，60mV。
【文档编号】H03F3/45GK203933557SQ201420334115
【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年6月21日 优先权日:2014年6月21日
【发明者】赖才丁 申请人:赖才丁