LED驱动电路及其开路保护方法与流程

文档序号:12502694阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种LED驱动电路,其特征在于,所述LED驱动电路包括开路保护控制器,所述开路保护控制器包括控制芯片及采样电阻;其中,

所述控制芯片包括功率开关脚SW、电流采样端CS、芯片供电模块、过压保护模块、控制模块及晶体开关管;

所述功率开关脚SW与所述芯片供电模块电连接,通过所述芯片供电模块为所述控制芯片内部供电并产生阈值电压;

所述采样电阻一端与所述电流采样端CS电连接,另一端接地;

所述过压保护模块与所述控制模块、所述晶体开关管及所述电流采样端CS电连接,设定预定时间Td,并将所述预定时间Td内采集的所述采样电压与阈值电压Vth进行比对,并将比对结果反馈至所述控制模块;

所述控制模块与所述芯片供电模块、所述过压保护模块及所述晶体开关管电连接,根据所述过压保护模块反馈的比对结果控制所述晶体开关管的导通与关断。

2.根据权利要求1所述的LED驱动电路,其特征在于:所述过压保护模块包括时间设定单元及第一运算放大器:

所述时间设定单元与所述控制模块、所述晶体开关管及所述第一运算放大器的输出端电连接,所述晶体开关管导通时,所述时间设定单元开始计时;

所述第一运算放大器的第一输入端与所述电流采样端CS电连接,所述第一运算放大器的第二输入端与所述芯片供电模块电连接,适于将电流采样端CS在所述预定时间Td时间内采集的所述采样电压与阈值电压Vth进行比对。

3.根据权利要求2所述的LED驱动电路,其特征在于:所述晶体开关管的栅极与所述时间设定单元电连接,所述晶体开关管的源极与所述电流采样端CS相连接,所述晶体开关管的漏极与所述功率开关脚SW相连接。

4.根据权利要求1所述的LED驱动电路,其特征在于:若在预定时间Td内所述采样电压未达到阈值电压Vth,所述控制模块关断所述晶体开关管。

5.根据权利要求1所述的LED驱动电路,其特征在于:所述开路保护控制器还包括第一电容,所述第一电容的一端与所述芯片供电模块电连接,另一端接地。

6.根据权利要求1所述的LED驱动电路,其特征在于:所述控制芯片还包括第二运算放大器,所述第二运算放大器的第一输入端与所述电流采样端CS电连接,第二输入端与所述芯片供电模块电连接,适于对所述LED驱动电路进行恒流控制。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的LED驱动电路,其特征在于:所述LED驱动电路还包括电压输入模块及负载电路;所述负载电路的输入端与所述电压输入模块电连接,所述负载电路的输出端与所述功率开关脚SW电连接。

8.根据权利要求7所述的LED驱动电路,其特征在于:所述电压输入模块包括交流电源、整流器及第二电容;所述整流器的一端与所述交流电源电连接,所述整流器的另一端与所述第二电容的一端电连接,所述第二电容的另一端接地。

9.根据权利要求7所述的LED驱动电路,其特征在于:所述负载电路为降压式变换电路、线性驱动电路或隔离反激拓扑结构电路。

10.一种LED驱动电路的开路保护方法,适用于无输出电容的LED驱动电路,所述LED驱动电路包括晶体开关管及采样电阻,其特征在于,所述LED驱动电路的开路保护方法包括:

1)所述晶体开关管导通的同时,采集所述采样电阻的采样电压;

2)将所述采样电压与阈值电压Vth比对,若在预定时间Td内所述采样电压未达到阈值电压Vth,则关断所述晶体开关管;

3)关断所述晶体开关管SW的同时,启动所述LED驱动电路的开路保护。

11.根据权利要求10所述的LED驱动电路的开路保护方法,其特征在于:步骤2)与步骤3)之间还包括重复至少一次如下步骤:

21)再次导通所述晶体开关管,重新计时并重新采集所述采样电阻的采样电压;

22)将所述采样电压与阈值电压Vth比对,若在预定时间Td内所述采样电压仍未达到阈值电压Vth,再次关断所述晶体开关管。

12.根据权利要求10所述的LED驱动电路的开路保护方法,其特征在于:所述预定时间Td满足如下关系式:

TBlank<Td<<Ton_max

其中,Tblank为采样点检测的消隐时间,Ton_max为所述晶体开关管导通的最大时间。

13.根据权利要求12所述的LED驱动电路的开路保护方法,其特征在于:所述阈值电压Vth满足如下关系式:

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其中,Vref为采样点触发所述晶体开关管关断的电压。

14.根据权利要求10所述的LED驱动电路的开路保护方法,其特征在于:所述LED驱动电路的开路保护方法还包括:所述开路保护的时间为TOVP_set,启动所述开路保护的时间TOVP_set之后,再次导通所述晶体开关管。

15.根据权利要求14所述的LED驱动电路的开路保护方法,其特征在于:所述预定时间Td为μs数量级,所述开路保护的时间TOVP_set为数百ms数量级。

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