技术特征：
技术总结
一种可变衰减器可与高压射频信号联用。该衰减器可以最低的衰减水平提供几乎不具有损耗的宽动态范围。该衰减器可被实现在数字集成电路工艺中并占用小的集成电路面积。另外，可减小对SoC外部的电路元件的使用。该衰减器使用并联连接到RF输入(RFp、RFn)和RF输出(OUTp、OUTn)的多个衰减器单元(100、110、120、130)。每个衰减器单元使用电容性分压器，这些电容性分压器包括耦合电容器(101、102、111、112、121、122、131、132)以及通过开关(107、108、117、118、127、128、137、138)连接到接地的分压电容器(103、104、113、114、123、124、133、134)。耦合电容器和分压电容器布局在相同的集成电路区域中。电容器还被布局为使得RF输入将RF输出与接地屏蔽以避免RF输出上的寄生电容。
技术研发人员：B·J·卡钦斯基;E·特洛弗茨
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2015.10.21
技术公布日：2017.08.18