技术特征：
技术总结
一种装置(400)包括：第一和第二晶体管(410，412)，第一和第二晶体管(410，412)中的每个晶体管包括栅极端子、源极端子和漏极端子；以及变压器(420)，包括初级绕组(422)以及第一和第二次级绕组(424，426)，初级绕组(422)耦合到被配置为接收输入信号的第一输入节点和被配置为接收电势的第二输入节点，第一和第二次级绕组(424，426)耦合到第一和第二晶体管(410，412)的栅极端子，并且交叉耦合到第一和第二晶体管(410，412)的源极端子。
技术研发人员：O·M·乔克斯;范斌;B·哈纳菲
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2015.09.29
技术公布日：2017.09.08