1.一种双向MOSFET开关，包括输入端（A）和输出端（B）以及两个MOSFET晶体管（T1，T2），两个所述MOSFET晶体管（T1，T2）源极彼此连接且栅极彼此连接，其中，输入端（A）和与其中一个所述MOSFET晶体管（T1）的漏极连接，输出端（B）与另一个所述MOSFET晶体管（T2）的输出端连接，一具有电绝缘装置（I1）的电绝缘控制输入端（D）与一控制器（C1）连接，控制器（C1）通过第三个MOSFET晶体管（T4）接通一FET晶体管（T3），一与输入端（A）连接的浮动电源（V1）通过所述第三个MOSFET晶体管（T4）向FET晶体管（T3）提供控制电流，栅极（G）和源极（S）之间通过的控制电流形成了所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）的栅源电压，浮动电源（V1）用于产生两个所述MOSFET晶体管（T1，T2）的栅极控制电流。
2.根据权利要求1所述的一种双向MOSFE开关，其特征在于，FET晶体管（T3）将栅-源电压下的控制电流转换成饱和电流，产生高阻抗状态，导通所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）。
3. 根据权利要求1或2 所述的一种双向MOSFE开关，其特征在于，FET晶体管（T3）在无控制电流的状态下使所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）的栅极与源极低阻抗连接，以断开两个MOSFET晶体管（T1，T2）。
4.根据前述权利要求中任一项所述的双向MOSFE-开关，其特征在于，浮动电源（V）与所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）之一的漏极电连接。
5. 根据前述权利要求中任一项所述的双向MOSFE开关，其特征在于，浮动电源（V1）为控制器（C1）供电。
6. 根据前述权利要求中任一项所述的双向MOSFE开关，其特征在于，浮动电源（V1）可产生控制电流， 对FET晶体管（T3）高阻抗控制以及给所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）的栅极电容充电。
7. 根据前述权利要求中任一项所述的双向MOSFE开关，其特征在于，控制器（C1）存储有所述第三个MOSFET晶体管（T4）的控制信号编码并可解码。
8. 根据前述权利要求中任一项所述的双向MOSFE开关，其特征在于，所述第三个MOSFET晶体管（T4）根据控制器（C1）控制信号编码接通浮动电源（V1）传输栅极控制电流。
9. 根据前述权利要求中任一项所述的双向MOSFET开关，其特征在于，所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）为N沟道类型，带负电势的浮动电源（V1）与所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）之一的漏极连接，或所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）为P沟道类型，带正电势的浮动电源（V1）与所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）之一的漏极连接。
10. 根据前述权利要求中任一项所述的双向MOSFET开关，其特征在于， 所述第三个MOSFET晶体管（T4）为P沟道类型，所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）为N沟道类型；或所述第三个MOSFET晶体管（T4）为N沟道类型，所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）为P沟道类型。
11. 一种带有至少两个任一前述权利要求所述的双向MOSFET开关的多路复用器，其中，所有双向MOSFET开关共用一个所述电绝缘装置（I1）和所述浮动电源（V1）。