一种带有使能功能的电阻电容振荡器电路的制作方法

文档序号:11112120阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种带有使能功能的电阻电容振荡器电路,其特征在于:第一PMOS管(MP1)的源极分别与第二PMOS管(MP2)的源极,第八PMOS管(MP8)的源极,第九PMOS管(MP9)的源极,第十PMOS管(MP10)的源极,第六PMOS管(MP6)的源极,第七PMOS管(MP7)的源极和电源(VDD)相接;第一PMOS管(MP1)漏极分别与第一NMOS管(MN1)的漏极,第二PMOS管(MP2)的栅极,第二NMOS管(MN2)的栅极,第八NMOS管(MN8)的栅极,第九NMOS管(MN9)的栅极和第十NMOS管(MN10)的栅极相连;第一PMOS管(MP1)的栅极分别与使能控制端(EN)和第一NMOS管(MN1)的栅极相接;第一NMOS管(MN1)的源极分别与第二NMOS管(MN2)的源极,第八NMOS管(MN8)的源极,第九NMOS管(MPN)的源极,第十NMOS管(MN10)的源极,第六NMOS管(MN6)的源极,第七NMOS管(MN7)的源极和地(GND)相接;第二PMOS管(MP2)的漏极分别与第二NMOS管(MN2)的漏极,第八PMOS管(MP8)的栅极,第九PMOS管(MP9)的栅极和第十PMOS管(MP10)的栅极相接;第八PMOS管(MP8)的漏极与第三PMOS管(MP3)的源极相接;第三PMOS管(MP3)的栅极分别与第三NMOS管(MN3)的栅极和第二电阻(R2)的一端相接;第二电阻(R2)的另一端分别与第一电容(C1)的一端和第四电阻(R4)的一端相接;第三PMOS管(MP3)的漏极分别与第三NMOS管(MN3)的漏极和第一电阻(R1)的一端相接;第三NMOS管(MN3)的源极与第八NMOS管(MN8)的漏极相接;第九PMOS管(MP9)的漏极与第四PMOS管(MP4)的源极相接;第四PMOS管(MP4)的栅极分别与第四NMOS管(MN4)的栅极和第一电阻(R1)的另一端相接;第四PMOS管(MP4)的漏极分别与第四NMOS管(MN4)的漏极,第三电阻(R3)的一端和第一电容(C1)的另一端相接;第四NMOS管(MN4)的源极与第九NMOS管(MN9)的漏极相接;第十PMOS管(MP10)的漏极与第五PMOS管(MP5)的源极相接;第五PMOS管(MP5)的栅极分别与第五NMOS管(MN5)的栅极和第三电阻(R3)的另一端相接;第五PMOS管(MP5)的漏极分别与第五NMOS管(MN5)的漏极,第六NMOS管(MN6)的栅极,第六PMOS管(MP6)的栅极和第四电阻(R4)的另一端相接;第五NMOS管(MN5)的源极与第十NMOS管(MN10)的漏极相接;第六PMOS管(MP6)的漏极分别与第六NMOS管(MN6)的漏极,第七PMOS管(MP7)的栅极和第七NMOS管(MN7)的栅极相接;第七PMOS管(MP7)的漏极分别与第七NMOS管(MN7)的漏极和输出端(Vout)相接。

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