1.一种高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：包括普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件及温控电路，所述的半导体致热/冷元件置于普通恒温晶体振荡器之上，测温元件置于半导体致热/冷元件元件之下；所述普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件封装于真空封装外壳内且均与温控电路电连接；所温控电路外置于真空封装外壳。
2.根据权利要求1所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的高稳定度恒温晶振荡器还包括转接电路板，该转接电路板置于普通恒温晶体振荡器下并封装于真空封装外壳中，所述真空封装外壳设置有引脚，所述普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件及测温元件的各引脚通过转接电路板与真空封装外壳上相对应的引脚相连，所述温控电路通过真空封装外壳上的引脚与普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件及测温元件电连接。
3.根据权利要求1或2所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的半导体致热/冷元件模块大小大于所述的普通恒温晶体振荡器的顶部平面尺寸并完全覆盖住所述的普通恒温晶体振荡器的顶部。
4.根据权利要求1或2所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的半导体致热/冷元件为二引脚式元件。
5.根据权利要求3所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的测温元件位于所述的半导体致热/冷元件覆盖所述的普通恒温晶体振荡器顶部平面后剩余在外的部分。
6.根据权利要求5所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的测温元件为负温度系数电阻式测温元件和二引脚式元件。
7.根据权利要求1或2所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的真空封装外壳为金属外壳；封装后的真空度低于10Pa。
8.根据权利要求7所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的真空封装外壳封装后的真空度为0.1～10Pa。
9.根据权利要求或2所述的高稳定度恒温晶体振荡器，其特征在于：所述的真空封装外壳设置有8个引脚。