一种带内匹配电路的声表面波滤波器的制作方法

文档序号:12739110阅读:480来源:国知局
一种带内匹配电路的声表面波滤波器的制作方法与工艺

本实用新型涉及声表面滤波器,具体涉及一种带内匹配电路的声表面波滤波器。



背景技术:

在声表面波滤波器的生产中,通过串联或并联谐振器达到

滤波的特性,声表面波滤波器的结构图如图1所示。当滤波器的中心频率达到1G到2.7G时,其输入输出阻抗则在50Ω所有,为了实现阻抗匹配,通常需要加匹配电路。常用的匹配电路就是串联或并联电容电感。由于滤波器的中心频率比较高,所以匹配电路到芯片间的微带线的分布参数的影响较大。



技术实现要素:

针对现有技术的不足,本实用新型公开了一种带内匹配电路的声表面波滤波器。

本实用新型的技术方案如下:

一种带内匹配电路的声表面波滤波器,包括滤波器芯片、分别连接在所述滤波器芯片的输入端和输出端之上的金属导线条以及与所述金属导线条末端相连接的电极;所述金属导线条为覆盖于绝缘基底之上的金属薄膜状;所述匹配电路包括电容和电感;所述电容的结构和所述电感的结构刻蚀在所述金属导线条之上;所述电容包括金属导线条形成的电容极板和位于所述金属导线条之下的绝缘基底形成的电容介质;所述电感为所述金属导线条形成的蛇形;所述电感分别连接在所述滤波器芯片的输入端与所述电极之间、输出端与所述电极之间;所述电容连接在所述电极和接地端之间。

其进一步的技术方案为,所述电容包括两根互相平行的第一电容极板、第二电容极板;在与所述第一电容极板和所述第二电容极板垂直的方向上、所述第一电容极板和所述第二电容极板之间,所述第一电容极板之上连接有多根相互平行的第三电容极板,所述第二电容极板之上连接有多根相互平行的第四电容极板;所述第三电容极板和所述第四电容极板相互交叉排列。

其进一步的技术方案为,所述电感包括n字形的第一电感结构和一字形的第二电感结构;所述第二电感结构两端连接两个相邻的所述第一电感结构。

本实用新型的有益技术效果是:

本实用新型讲滤波器芯片所需要的匹配电路制作在了芯片封装结构之内,减小了芯片体积,且消除了输入、输出阻抗对滤波器芯片的影响,也即减小分布参数对芯片的影响。

附图说明

图1是本实用新型的示意图。

图2是金属导线条部分的侧视图。

图3是本实用新型的电容结构的示意图。

图4是本实用新型的电感结构的示意图。

图5是本实用新型的等效电路的示意图。

具体实施方式

图1是本实用新型的示意图。如图1所示,本实用新型包括滤波器芯片1、分别连接在滤波器芯片1的输入端和输出端的金属导线条2以及与金属导线条2末端相连接的电极3。

金属导线条2为覆盖于绝缘基底之上的金属薄膜状。图2是金属导线条部分的侧视图。整个芯片结构都制作在绝缘基底之上,如图2所示,在金属导线条2的部分,其下端也是有金属绝缘基底6的结构的。

匹配电路包括电容4和电感5;电容4的结构和电感5的结构刻蚀在金属导线条2之上。电感5连接在滤波器芯片1的输入端或输出端与电极3之间;电容4连接在电极3和接地端之间。电容4包括金属导线条2形成的电容极板和位于金属导线条2之下的绝缘基底6形成的电容介质;电感5为金属导线条2形成的蛇形。

图3是本实用新型的电容结构的示意图。具体的,电容4可制作成为图3所示的结构,参见图3,电容4包括两根互相平行的第一电容极板41和第二电容极板42;在与第一电容极板41和第二电容极板42垂直的方向上、第一电容极板41和第二电容极板42之间,第一电容极板41之上连接有多根相互平行的第三电容极板43,第二电容极板42之上连接有多根相互平行的第四电容极板44。第三电容极板43和第四电容极板44相互交叉排列,类似于叉指状结构。由电路领域的公知常识可知,电容值与其极板的面积成正比,与其极板间的距离成反比。在图3所示的电容结构中,由于这样的叉指状结构,大大增加了极板面积,减小了极板间距离,所以可以蒋电容结构做的很小,但是不减小其电容值。

图4是本实用新型的电感结构的示意图。电感也制作为蛇形,即电感5包括n字形的第一电感结构51和一字形的第二电感结构52;第二电感结构52两端连接两个相邻的第一电感结构51。由电路领域的公知常识可知,在传输高频信号的线路中,导线的感抗大于导线的阻抗,即导线可以相当于一个电感,则蛇形结构可以在保证结构微小的前提下,增加电感值。且蛇形结构本身也可以等效于电感绕组。

图5是本实用新型的等效电路的示意图。在图1所示的金属导线条2上制作电容、电感结构之后,其最终的等效电路如图5所示,匹配电路制作在了芯片封装结构之内,在不影响芯片功能的前提下减小了芯片体积。电容、电感的具体数值可根据滤波芯片本身的输入输出阻抗设定。

以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式,本实用新型不限于以上实施例。可以理解,本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化,均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。

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