一种声表面波滤波器反射栅结构的制作方法

本实用新型涉及声表面波滤波器，具体涉及一种声表面波滤波器反射栅结构。

背景技术：

随着摩尔定律放缓，近年来市场以那种力图小型化来降低产品成本方法已接近极限，所以需要不断提高产品良率以提升企业竞争力。现有技术中，滤波器产品频率段提高到2.7G，滤波器芯片线条也由以前的几微米提高到0.25微米，这就对我们的工艺水平有了更高的要求。

在现有技术中，在对声表面波滤波器芯片进行光刻工艺时，例如，使用波长248纳米的光源做单层光刻负胶剥离工艺时，对于芯片上0.25微米极限线条会出现出现剥离后光阻剥离(peeling)现象。在发明前原有滤波器芯片设计方案在集成电路反射栅边缘部位为无遮挡透光，光刻显影工艺后产生光阻剥离现象(peeling)。

造成线条剥离的可能原因的其中一点是，是图形的表面积过小，同样的图形高度，表面积越小越容易倒塌，图1是现有技术的反射栅的示意图。图2是现有技术的反射栅倒塌剥离现象示意图。如图1、图2所示，显示了在基底6a之上的反射栅2a的容易倒塌与图形的分布也有关系，在空旷区的独立图形在显影阶段受显影液水力冲击的力道比较大且在旋转步骤受力较大，比较容易倒塌。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种声表面波滤波器反射栅结构。

本实用新型的技术方案如下：

一种声表面波滤波器反射栅结构，包括压电基底；所述压电基底之上制作有叉指换能器；所述叉指换能器两侧为反射栅；还包括连接所述叉指换能器和所述反射栅的汇流条；在所述反射栅的外侧、所述汇流条的末端还连接有多根补偿反射栅；所述补偿反射栅平行于所述反射栅；所述补偿反射栅的宽度宽于 所述反射栅。

其进一步的技术方案为，所述补偿反射栅有2～6根。

其进一步的技术方案为，多根所述补偿反射栅的宽度相等，相邻的补偿反射栅的间隔距离相等。

其进一步的技术方案为，由靠近所述反射栅到远离所述反射栅的方向，相邻的补偿反射栅的间隔距离越来越宽。

其进一步的技术方案为，所述补偿反射栅的宽度是所述反射栅的宽度的5～10倍。

其进一步的技术方案为，所述反射栅的宽度为0.25um，所述补偿发射栅的宽度为4um。

本实用新型的有益技术效果是：

本实用新型在滤波器芯片设计中，反射栅边缘部位增加了数根补偿发射栅，加大了图形表面积同时减小了反射栅在显影阶段受水力冲击的力道，保证了图形的完整性。稳定实现了在对25微米极限线条的光刻工艺，经过验证，可提高成品良率约10％左右。

附图说明

图1是现有技术的反射栅的示意图。

图2是现有技术的反射栅倒塌剥离现象示意图。

图3是本实用新型的示意图。

图4是图3中A部分的放大图。

图5是本实用新型中的反射栅的示意图。

具体实施方式

图3是本实用新型的示意图。包括压电基底6。压电基底6之上制作有叉指换能器1。叉指换能器1两侧为反射栅2。还包括连接叉指换能器1和反射栅2的汇流条4。在反射栅2的外侧、汇流条4的末端还连接有多根补偿反射栅3。补偿反射栅3平行于反射栅2。补偿反射栅3的宽度宽于反射栅2。补偿反射栅3可以设置2～6根。多根补偿反射栅3的宽度相等，相邻的补偿反射栅3的间隔距离相等。

优选的，由于越靠近外侧，所受的显影液的冲击力越大，所以由靠近反射栅2到远离反射栅2的方向，相邻的补偿反射栅3的间隔距离越来越宽，可进一步分散显影剂的冲击力。

图4是图3中A部分的放大图。为了显示清晰，在图4中，反射栅2和补偿反射栅3均用阴影标出。由图4可看出，补偿反射栅3的宽度宽于反射栅2。由申请人多次试验发现，优选补偿反射栅3的宽度是反射栅2的宽度的5～10倍时，效果最好。

图5是本实用新型中的反射栅的示意图。在本实施例中，反射栅2的宽度a为0.25um，补偿发射栅3的宽度b为4um。

以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。