一种中频模拟信号的滤波电路的制作方法

本实用新型属于中频模拟信号滤波技术领域，尤其涉及一种中频模拟信号的滤波电路。

背景技术：

关于中频滤波现有技术在使用中存在的问题主要体现在滤波器带内插损较大，导致设备上边带输出信号幅度和下边带输出信号幅度差距较大，特别在环境温度升高后，滤波器特性发生改变，中心频率向上偏移，对下边带中频信号衰减过大，无法满足产品使用需求。

技术实现要素：

针对上述现有技术的缺点，本实用新型提供一种中频模拟信号的滤波电路，可有效解决现有中频模拟信号滤波器在实际使用过程中存在的上边带输出信号幅度和下边带输出信号差距大的问题，保证中频滤波器通带内中频模拟信号的输出信号幅度保持一致。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案予以实现。

一种中频模拟信号的滤波电路，所述滤波电路包括：输入匹配电路，晶体滤波器，输出匹配电路；

所述晶体滤波器的中心频率为70MHz；

所述输入匹配电路的输入端连接中频模拟信号的输入端，所述输入匹配电路的输出端连接所述晶体滤波器的信号输入端，所述晶体滤波器的信号输出端连接所述输出匹配电路的输入端，所述输出匹配电路的输出端输出滤波后的中频模拟信号。

本实用新型技术方案的特点和进一步的改进为：

(1)所述输入匹配电路包含第一电容，第二电容和第一电阻；

所述输入匹配电路的输入端连接所述第一电容的一端，所述第一电容的另一端分别与所述第二电容的一端和所述第一电阻的一端连接，且所述第一电容的另一端作为所述输入匹配电路的输出端；所述第二电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端接地。

(2)所述输出匹配电路包含第二电阻，第三电阻，第四电阻和第三电容；

所述输出匹配网络的输入端分别与所述第二电阻和所述第三电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第三电阻的另一端分别与所述第四电阻的一端和所述第三电容的一端连接，所述第四电阻的另一端接地，所述第三电容的另一端作为所述输出匹配电路的输出端。

(3)所述第一电容的电容值范围为10pF至50pF，所述第二电容的电容值范围为10pF至50pF，所述第一电阻的电阻值范围为10Ω至68Ω，所述第二电阻的电阻值范围为1KΩ至3KΩ，所述第三电阻的电阻值范围为1Ω至5Ω，所述第四电阻的电阻值为1KΩ至3KΩ，所述第三电容的电容值范围为0.01F至0.5F；

其中，pF表示电容的单位皮法，Ω表示电阻的单位欧姆，KΩ表示电阻的单位千欧，F表示电容的单位法拉。

本实用新型提供的一种中频模拟信号的滤波电路，可有效解决中频模拟信号滤波器在实际使用过程中存在的上边带输出信号幅度和下边带输出信号幅度差距大的问题，保证中频滤波器通带内中频模拟信号的输出信号幅度保持一致。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种中频模拟信号的滤波电路的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种中频模拟信号的滤波电路的电路连接示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种中频滤波器通带内增益曲线与现有中频滤波器通带内增益曲线的对比示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种中频模拟信号的滤波电路，如图1所示，所述滤波电路包括：输入匹配电路，晶体滤波器，输出匹配电路；

所述输入匹配电路的输入端连接中频模拟信号的输入端，所述输入匹配电路的输出端连接所述晶体滤波器的信号输入端，所述晶体滤波器的信号输出端连接所述输出匹配电路的输入端，所述输出匹配电路的输出端输出滤波后的中频模拟信号。

进一步的，如图2所示，所述输入匹配电路包含第一电容C1，第二电容C2和第一电阻R1；

所述输入匹配电路的输入端连接所述第一电容的一端，所述第一电容的另一端分别与所述第二电容的一端和所述第一电阻的一端连接，且所述第一电容的另一端作为所述输入匹配电路的输出端；所述第二电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端接地。

进一步的，如图2所示，所述输出匹配电路包含第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4和第三电容C3；

所述输出匹配网络的输入端分别与所述第二电阻和所述第三电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第三电阻的另一端分别与所述第四电阻的一端和所述第三电容的一端连接，所述第四电阻的另一端接地，所述第三电容的另一端作为所述输出匹配电路的输出端。

具体的，所述晶体滤波器的中心频率为70MHz，所述晶体滤波器的所有接地端分别接地；

所述第一电容的电容值范围为10pF至50pF，所述第二电容的电容值范围为10pF至50pF，所述第一电阻的电阻值范围为10Ω至68Ω，所述第二电阻的电阻值范围为1KΩ至3KΩ，所述第三电阻的电阻值范围为1Ω至5Ω，所述第四电阻的电阻值为1KΩ至3KΩ，所述第三电容的电容值范围为0.01F至0.5F；

其中，pF表示电容的单位皮法，Ω表示电阻的单位欧姆，KΩ表示电阻的单位千欧，F表示电容的单位法拉。

晶体滤波器是用晶体振荡器组成的滤波器，与LC谐振回路构成的滤波器相比，晶体滤波器在频率选择性、频率稳定性、过渡带陡度和插入损耗等方面都优越的多。

由于本实用新型技术在实际使用时的有效带宽为3KHz，中心频率在69.999MHz～70.001MHz，因此拟定晶体滤波器的技术指标要求如下：

中心频率：70MHz；

通带：15KHz

带内插损：≤2dB

带外抑制：≥60dB

频率偏移：≤2KHz

具体的，所述第一电容的电容值范围为15pF至33pF，所述第二电容的电容值为24pF，所述第一电阻的电阻值为68Ω，所述第二电阻的电阻值为1.5KΩ，所述第三电阻的电阻值为3.3Ω，所述第四电阻的电阻值为1.5KΩ，所述第三电容的电容值为0.1F；

其中，pF表示电容的单位皮法，Ω表示电阻的单位欧姆，KΩ表示电阻的单位千欧，F表示电容的单位法拉。

示例性的，如图3所示，为现有70MHz中频滤波器通带内增益曲线(图3(a))和本实用新型70MHz中频滤波器通带内增益曲线(图3(b))对比示意图。

本实用新型实施例提供的一种中频模拟信号的滤波电路，经过工厂在产品设备上的调试和高温验证，该中频模拟信号的滤波电路工作正常，且上下边带差异≤1dB，并且无需调试。

本实用新型提供的一种中频模拟信号的滤波电路，可有效解决中频模拟信号滤波器在实际使用过程中存在的上、下边带激励电平差距大的问题，保证通带内中频模拟信号的幅度保持一致。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。