变压器型移相器、移相电路以及通信终端装置的制作方法

本实用新型涉及连接在天线与供电电路之间的变压器型移相器、移相电路以及具备变压器型移相器、移相电路的通信终端装置。

背景技术：

例如，在以便携式电话为代表的通信终端装置中，一般希望构成小型且高效率的高频电路。

在高频电路中，为了以给定的相位将传输信号提供给后级(下一级)的电路，作为一个电路要素而利用使相位角旋转的相位移动电路，即，移相电路。

例如，在设置于发送电路的高频功率放大器与天线之间设置移相电路和天线匹配电路，并适当地设定移相电路的移相量，谋求功率放大器与天线匹配电路的匹配，从而能够提高功率放大器的效率并抑制高次谐波的产生。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-32003号公报

技术实现要素：

实用新型要解决的课题

以往，例如如专利文献1所示的传输线路型的移相器虽然在插入损耗特性和频率依赖性方面优异，但是存在当想要得到大的移相量时会大型化的缺点。此外，传输线路型的移相器的移相量具有频率依赖性，因此难以应用于宽频带的高频电路。

另一方面，在使用了分布常数型延迟线等部件的移相电路中，因为移相量的频率依赖性大，所以难以应用于宽频带的高频电路。因此，难以利用于正在发展宽频带化的便携式电话终端等。此外，存在当想要增大移相量时信号的插入损耗增大的缺点。

图15是示出设置了现有的利用了分布常数型延迟线的移相器的传输线路的移相特性的图。其中，横轴为频率，纵轴为移相量。特性线A是传输线路单体中的特性，特性线B是设置了移相器的状态下的特性。两者的移相量之差为由移相器引起的移相量。在该例子中，由传输线路引起的移相量在频率1GHz处为-30°，在频率1.9GHz处为-60°，连接了移相器的状态下的移相量在频率1GHz处为-90°，在频率1.9GHz处为-180°。因此，移相器单体的移相量在频率1GHz处为-60°，在频率1.9GHz处为-120°。

像这样，无论是在传输线路中还是在分布常数型延迟线等移相器中，频率依赖性都大。即，所需的移相量越大，越难以在宽频带中使用。此外，无论是在传输线路中还是在分布常数型延迟线中，越是高频，插入损耗越大，特别是，在分布常数型延迟线中，高频下的插入损耗的增大尤为显著。因此，越想增大移相量，插入损耗也越增大。

本实用新型的目的在于，提供一种有利于小型化、低损耗化、降低移相量的频率依赖性的变压器型移相器、移相电路以及具备变压器型移相器、移相电路的通信终端装置。

用于解决课题的技术方案

(1)本实用新型的变压器型移相器的特征在于，具备：

变压器，具有第一线圈和以小于1的耦合系数与所述第一线圈进行磁场耦合的第二线圈，且包含并联电感成分和串联电感成分；以及

阻抗调整用电路，包含用于使所述变压器的阻抗匹配的电抗元件。

(2)优选的是，在上述(1)中，所述阻抗调整用电路包含：

第一电容元件，与所述第一线圈并联连接；

第二电容元件，与所述第二线圈并联连接；以及

第三电容元件，连接在所述第一线圈与所述第二线圈之间。所述第一电容元件、所述第二电容元件以及所述第三电容元件中的至少任一个可以由所述变压器的杂散电容构成，也可以由杂散电容和实体部件构成。

(3)本实用新型的变压器型移相器的特征在于，具备：

变压器，具有第一线圈和以小于1的耦合系数与所述第一线圈进行磁场耦合的第二线圈，且连接在第一端口与第二端口之间；

第一电容元件，连接在所述变压器的第一端口与接地线之间；

第二电容元件，连接在所述变压器的第二端口与接地线之间；以及

第三电容元件，连接在所述变压器的第一端口与第二端口之间。所述第一电容元件、所述第二电容元件以及所述第三电容元件中的至少任一个可以由所述变压器的杂散电容构成，也可以由杂散电容和实体部件构成。

在上述(1)、(2)、(3)中的任一种结构中，均能够进行将所述变压器电路的对所述第一线圈的输入输出信号与对所述第二线圈的输入输出信号的相位差(180°)和由所述变压器电路的并联电感成分和串联电感成分引起的移相量相加的移相，即，能够进行超过180°的移相。

此外，由于所述变压器具有的并联寄生电感成分和串联寄生电感成分的存在，变压器的阻抗会偏离规定值(例如50Ω)，但是通过具备所述电抗元件(电容元件)，从而能够对阻抗进行调整。

(4)优选的是，在上述(2)或(3)中，所述变压器设置在层叠有多个基材层的单个层叠体内，所述第一线圈和所述第二线圈由形成在所述基材层的导体图案构成。由此，仅将作为单个部件的移相器安装在印刷布线板等即可，容易安装到通信终端装置等。

(5)优选的是，在上述(4)中，所述第一线圈和所述第二线圈具有实质上相同的内径和外径，线圈轴为同轴关系。由此，虽然第一线圈和第二线圈的卷绕数少，即，虽然是小型的，但是也可得到耦合系数适度高的变压器。

(6)优选的是，在上述(2)至(5)中的任一项中，所述第三电容元件主要由在所述第一线圈与所述第二线圈之间产生的线圈间电容构成。由此，不需要第三电容元件形成用的图案，或者不需要作为部件的第三电容元件，因此能够小型化、低成本化。

(7)优选的是，在上述(2)至(6)中的任一项中，所述第一电容元件主要由所述第一线圈的线间电容构成，所述第二电容元件主要由所述第二线圈的线间电容构成。由此，不需要第一电容元件和第二电容元件形成用的图案，或者不需要作为部件的第一电容元件和第二电容元件，因此能够小型化、低成本化。

(8)在上述(1)至(7)中的任一项中，也能够使所述第一线圈与所述第二线圈的变压比设为1∶n(n为1以外的值)。由此，能够在进行移相的同时通过变压器进行阻抗变换，能够兼具连接到第一端口的电路与连接到第二端口的电路的阻抗匹配电路的功能。

(9)本实用新型的移相电路的特征在于，具备：上述(1)至(8)中的任一项所述的变压器型移相器；以及移相线路，与所述变压器型移相器串联连接，且移相量小于90°。通过该结构，能够在超过180°的宽范围进行移相，且能够进行微调后的给定的移相。当然，所述移相线路也可以由基板和形成在该基板的导体图案构成。

(10)本实用新型的通信终端装置具备：供电电路，具有功率放大电路；以及天线元件，与所述供电电路连接，所述通信终端装置的特征在于，

在所述供电电路与所述天线元件之间具备上述(1)至(8)中的任一项所述的变压器型移相器或上述(9)所述的移相电路。由此，可在包括天线的发送电路系统中谋求高效率化或小型化。

实用新型效果

根据本实用新型的变压器型移相器，在小型、低损耗的同时可得到超过180°的大的移相量。此外，可得到移相量的频率依赖性小的移相特性。此外，通过具备阻抗调整用电路，从而能够对移相量进行微调。

根据本实用新型的移相电路，能够在确保小型化、低损耗化、降低移相量的频率依赖性的情况下容易地得到比180°更大的移相量。

根据本实用新型的通信终端装置，可在包括天线的发送电路系统中谋求高效率化或小型化。

附图说明

图1是第一实施方式涉及的变压器型移相器11的电路图。

图2(A)、图2(B)是变压器T的等效电路图。

图3是变压器型移相器11的外观立体图。

图4是变压器型移相器11的各层的俯视图。

图5是变压器型移相器11的纵剖视图。

图6(A)是变压器型移相器11的电路图。图6(B)是变压器型移相器11的等效电路图。

图7是在史密斯圆图上示出变压器T的移相作用的图。

图8是示出变压器型移相器11的移相量的频率特性的图。

图9是示出变压器型移相器11的插入损耗的频率特性的图。

图10(A)、图10(B)是示出第二实施方式涉及的移相电路30A、30B的结构的框图。

图11(A)、图11(B)、图11(C)、图11(D)是示出第二实施方式涉及的4个移相电路31、32、33、34的电路结构的图。

图12是第三实施方式涉及的变压器型移相器13的电路图。

图13是第四实施方式涉及的变压器型移相器14的电路图。

图14是第五实施方式涉及的通信终端装置200的框图。

图15是示出设置了现有的利用分布常数型延迟线的移相器的传输线路的移相特性的图。

具体实施方式

以下，参照附图举出几个具体的例子，示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中相同部分标注相同附图标记。在第二实施方式以后，对于与第一实施方式共同的事项，将省略说明，只对不同点进行说明。特别是，对于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次进行说明。

《第一实施方式》

图1是第一实施方式涉及的变压器型移相器11的电路图。变压器型移相器11具备变压器T。变压器T具有第一线圈L1和以小于1的耦合系数与第一线圈L1进行磁场耦合的第二线圈L2。此外，变压器型移相器11具备由第一电容元件C1、第二电容元件C2以及第三电容元件C3构成的阻抗调整用电路。

第一电容元件C1与第一线圈L1并联连接，第二电容元件C2与第二线圈L2并联连接。此外，第三电容元件C3连接在第一线圈L1与第二线圈L2之间。

图2(A)、图2(B)是上述变压器T的各种等效电路图。变压器T的等效电路能够用几种形式来表示。在图2(A)的图示中，表示为理想变压器IT、与其初级侧串联连接的电感器La、与初级侧并联连接的电感器Lb、以及与次级侧串联连接的电感器Lc。

在图2(B)的图示中，表示为理想变压器IT、与其初级侧串联连接的两个电感器La、Lc1、以及与初级侧并联连接的电感器Lb。

在此，将变压器T的变压比表示为1：n，将第一线圈L1与第二线圈L2(参照图1)的耦合系数表示为k，将第一线圈L1的电感表示为L1，将第二线圈L2的电感表示为L2，此时，上述电感器La、Lb、Lc的电感为如下关系。

La：L1(1-k)

Lb：k*L1

Lc：L2(1-k)

Lc1：n²*L2*(1-k)

理想变压器的变压比是基于第一线圈L1与第二线圈L2的卷绕数的变压比。

无论在哪种情况下，本实施方式的变压器T伴随着第一线圈L1与第二线圈L2的耦合系数k小于1，均会产生串联电感成分和并联电感成分。

图3是本实施方式的变压器型移相器11的外观立体图，图4是变压器型移相器11的各层的俯视图。此外，图5是变压器型移相器11的剖视图。变压器型移相器11具备多个绝缘性的基材S1～S9。在基材S1～S9形成有各种导体图案。“各种导体图案”不仅包括形成在基材的表面的导体图案，还包括层间连接导体。层间连接导体不仅包括过孔导体，还包括形成在层叠体100的端面的端面电极。

基材S1的上表面相当于层叠体100的安装面(下表面)。在基材S1形成有作为第一端口P1的端子T1、作为第二端口P2的端子T2、接地端子GND、空端子NC。

在基材S5、S4分别形成有导体L1A1、L1A2。在基材S3形成有导体L1A3、L1B1。在基材S2形成有导体L1B2、L1C。

导体L1A1的第一端与第一端口的端子T1连接。导体L1A1的第二端经由过孔导体V1而与导体L1A2的第一端连接。导体L1A2的第二端经由过孔导体V2而与导体L1A3的第一端连接。导体L1A3的第二端与导体L1B1的第一端连接。导体L1A3的第二端和导体L1B1的第一端经由过孔导体V3而与导体L1B2的第一端连接。导体L1B1的第二端经由过孔导体V4而与导体L1B2的第二端连接。导体L1B2的第二端与导体L1C的第一端连接。导体L1C的第二端与接地端子GND连接。

在基材S6、S7分别形成有导体L2A1、L2A2。在基材S8形成有导体L2A3、L2B1。在基材S9形成有导体L2B2、L2C。

导体L2A1的第一端与第二端口的端子T2连接。导体L2A1的第二端经由过孔导体V5而与导体L2A2的第一端连接。导体L2A2的第二端经由过孔导体V6而与导体L2A3的第一端连接。导体L2A3的第二端与导体L2B1的第一端连接。导体L2A3的第二端和导体L2B1的第一端经由过孔导体V7而与导体L2B2的第一端连接。导体L2B1的第二端经由过孔导体V8而与导体L2B2的第二端连接。导体L2B2的第二端与导体L2C的第一端连接。导体L2C的第二端与接地端子GND连接。

由上述导体L1A1、L1A2、L1A3、L1B1、L1B2、L1C以及过孔导体V1、V2、V3、V4构成第一线圈L1。此外，由上述导体L2A1、L2A2、L2A3、L2B1、L2B2、L2C以及过孔导体V5、V6、V7、V8构成第二线圈L2。第一线圈L1、第二线圈L2均为矩形螺旋状的线圈。

层叠体100的各基材层可以是由LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)等构成的非磁性陶瓷层叠体，也可以是由聚酰亚胺、液晶聚合物等树脂材料构成的树脂层叠体。像这样，由于基材层是非磁性体(因为不是磁性体铁氧体)，所以即使在超过700MHz的高频带也能够用作给定电感、给定耦合系数的变压器以及移相器。

上述导体图案和层间连接导体由以Ag、Cu为主成分的电阻率小的导体材料构成。如果基材层是陶瓷，则可通过例如以Ag、Cu为主成分的导电性膏的丝网印刷以及烧成来形成。此外，如果基材层是树脂，则可通过利用蚀刻等对例如Al箔、Cu箔等金属箔进行图案化来形成。

第一线圈L1和第二线圈L2具有大致相同的内径和外径，并且具有线圈卷绕轴CA相同(同轴)的关系。因此，虽然第一线圈L1和第二线圈L2的卷绕数少，即，虽然是小型的，但是也可得到耦合系数k适度高的变压器。此外，能够在第一线圈L1与第二线圈L2之间产生大的线圈间电容，能够构成给定电容的第三电容元件C3。

图6(A)是本实施方式的变压器型移相器11的电路图。在此，由第一线圈L1和第二线圈L2构成变压器。

第一电容元件C1主要由在形成于基材S2、S3、S4、S5的导体的层间产生的杂散电容构成。同样地，第二电容元件C2主要由在形成于基材S6、S7、S8、S9的导体的层间产生的杂散电容构成。此外，第三电容元件C3主要是在第一线圈L1与第二线圈L2之间产生的线圈间杂散电容，特别是，主要由在导体L1A1与导体L2A1之间产生的电容构成。

如果通过缩小构成第一线圈L1和第二线圈L2的多个导体的层间距离而只由杂散电容来构成电容元件C1、C2、C3，则能够提高第一线圈L1和第二线圈L2的自感和互感。

另外，第一电容元件C1、第二电容元件C2以及第三电容元件C3中的至少任一个也可以由杂散电容和实体部件构成。

图6(B)是将变压器型移相器11分为理想变压器IT和寄生电感表示的等效电路图。电感器La、Lc表示串联寄生电感成分，电感器Lb表示并联寄生电感成分。

由于上述寄生电感成分(电感器La、Lb、Lc)，变压器的电感会偏离规定值(例如50Ω)，但是通过具备电容元件C1、C2、C3，从而可将变压器的阻抗调整为规定值。特别是，电容元件C1、C2发挥作用以对由并联寄生电感成分Lb引起的阻抗的偏离进行修正，电容元件C3发挥作用以对由串联寄生电感成分La、Lc引起的阻抗的偏离进行修正。

另外，通过图4所示的过孔导体V3、V4的位置来确定在图6(A)所示的第一线圈L1中导体L1B1、L1B2的并联连接部所占的比例。同样地，通过图4所示的过孔导体V7、V8的位置来确定在图6(A)所示的第二线圈L2中导体L2B1、L2B2的并联连接部所占的比例。因此，能够通过这些过孔导体V3、V4的位置对第一线圈L1的电感进行微调，能够通过过孔导体V7、V8的位置对第二线圈L2的电感进行微调。

在上述导体L1B1、L1B2的并联连接部中电流分散流过，相对于此，在导体L1A1不存在这样的电流的分散。同样地，在导体L2B1、L2B2的并联连接部中电流分散流过，相对于此，在导体L2A1不存在这样的电流的分散。

在第一线圈L1和第二线圈L2中，在层叠方向上靠近的导体部分对耦合贡献最大。即，全周在层叠方向上对置的导体L1A1、L2A1部分对第一线圈L1和第二线圈L2的耦合有贡献。如上所述，在该导体L1A1、L2A1部分不存在由上述并联连接部引起的电流的分散，因此第一线圈L1与第二线圈L2的耦合度高。

像这样，通过将并联连接部设置在相对于对方侧线圈的导体图案而在层叠方向上分开的位置，从而可抑制由于设置并联连接部而引起的耦合度的降低。

此外，通过将与端子T1、T2连接的导体L1A1、L2A1配置在层叠方向上的中央附近，并将连接有接地端子GND的导体L1C、L2C配置在层叠方向上的上下，从而具有如下效果，即，能够在不成为复杂的构造的情况下构成第一线圈L1和第二线圈L2共有磁通量的变压器，进而容易调整电容元件C3。

图7是在史密斯圆图上示出变压器T的移相作用的图。如果是变压比为1∶1且没有寄生成分的变压器(变压比为1∶1的理想变压器)，则从该变压器的第一端口P1观察的阻抗和从第二端口P2观察的阻抗均会落在史密斯圆图上的中心。但是，端口P1-P2之间的相位差为180°。图7中的半圆状的箭头表示该情况。

图8是示出本实施方式的变压器型移相器11的移相量的频率特性的图。在图8中，横轴为频率，纵轴为移相量。移相量在±180°的范围内表示。在该例子中，标记m1表示频率1GHz处的移相量，标记m2表示频率1.9GHz处的移相量。在图8的记载中，将从上边的180°减去读取值的值与180°相加的值为移相量。即，移相量在1GHz处为180°+65°＝245°，在1.9GHz处为180°+115°＝295°。

像这样，即使频率相差大约2倍，移相量也只是大约1.2倍(只是变化两成)。

图9是示出本实施方式的变压器型移相器11的插入损耗的频率特性的图。在频率1GHz处为大约-0.4dB，在频率1.9GHz处为大约-0.3dB，可得到低插入损耗特性。在该例子中，之所以插入损耗在频率1.9GHz处比在频率1GHz处更低，是因为不经过变压器T而直接通过第三电容元件C3的信号成分增大的缘故。

另外，第一电容元件C1、第二电容元件C2不仅限于由线圈的线间电容构成，也可以由线圈以外的导体图案构成。进而，也可以连接作为外设部件的电容器。此外，第三电容元件C3不仅限于由线圈间电容构成，也可以由线圈以外的导体图案构成。进而，也可以连接作为外设部件的电容器。

《第二实施方式》

图10(A)、图10(B)是示出第二实施方式涉及的移相电路30A、30B的结构的框图。移相电路30A、30B连接在供电电路9与天线1之间。移相电路30A由变压器型移相器10和与变压器型移相器10串联连接的移相线路20构成。此外，移相电路30B由移相线路20和与移相线路20串联连接的变压器型移相器10构成。变压器型移相器10的基本结构与在第一实施方式中示出的变压器型移相器11相同。移相线路20是移相量小于90°的移相线路。

移相电路30A、30B使端口P1-P2之间产生与由变压器型移相器10引起的移相量和由移相线路20引起的移相量相加的相位角对应的量的相位差。

当将通过附加并联连接的电容元件和串联连接的电容元件而对由变压器的寄生电感成分引起的阻抗的偏离进行微调之后的移相量表示为α时，变压器型移相器10的移相量为180°+α。当将由移相线路20引起的移相量设为β时，移相电路30A、30B的移相量为180°+α+β。

像这样，通过附加移相线路20，从而能够进行大幅超过180°的移相，能够通过由变压器型移相器10引起的上述α的移相量对整体的移相量进行微调。

另外，在图10(A)、图10(B)中，也可以在移相电路30A、30B与天线1之间设置有天线匹配电路。

图11(A)、图11(B)、图11(C)、图11(D)是示出4个移相电路31、32、33、34的电路结构的图。在图11(A)、图11(B)、图11(C)、图11(D)中，虽然移相线路21、22等是分布常数电路，但是将它们表示为集总常数电路。各移相线路均具备与传输线路串行连接的电感器Ld1、Ld2以及与接地线分路连接的电容器Cd1、Cd2。

在图11(A)的例子中，由变压器型移相器11和移相线路21构成移相电路31。变压器型移相器11与在第一实施方式中图1所示的变压器型移相器相同。

在图11(B)的例子中，由变压器型移相器主要部分11B和移相线路22构成移相电路32。由变压器型移相器主要部分11B和作为移相线路22的一部分的电容元件C2构成变压器型移相器。

在图11(C)的例子中，由变压器型移相器主要部分11C、电容元件C2以及移相线路21构成移相电路33。由变压器型移相器主要部分11C和作为外设部件的电容元件C2构成变压器型移相器。

在图11(D)的例子中，图11(A)所示的移相电路构成为单个部件。

另外，上述移相线路20可以通过确定传输线路(50Ω线路)的电长度来设定移相量，也可以通过附加电感器、电容器等集总常数元件或LC电路来调整移相量。

如上所述，图10(A)、图10(B)所示的移相电路30A、30B的移相量为180°+α+β，当变压器型移相器包含的变压器的寄生成分(并联电感成分和串联电感成分)大(耦合系数k小)时，能够增大上述α。但是，在通过电容元件C1、C2、C3等的阻抗调整用电路使阻抗匹配的情况下，难以进行宽频带的阻抗匹配(难以使通过频率扫描绘出的阻抗轨迹集中在史密斯圆图的中心附近)。因此，在应用的频带宽的情况下，优选减小上述α，相应地，通过β得到给定的移相量。由此，能够在保持阻抗匹配的同时进行移相。相反，在应用频带为窄频带的情况下，只要增大α，相应地减小β即可。由此，可抑制相对于频率的移相量变化。例如，在宽频带中使用的情况下，将变压器T的耦合系数k在0.5≤k＜1.0的范围内确定，在窄频带中使用的情况下，将变压器T的耦合系数k在0.3≤k＜1.0的范围内确定。

《第三实施方式》

图12是第三实施方式涉及的变压器型移相器13的电路图。在第一实施方式中，在图1、图2(A)、图2(B)等所示的例子中，示出了使用阻抗变换比为1∶1的变压器的移相器，但是阻抗变换比也可以是1∶n(n为1以外的值)。例如，如果n＜1，则能够使阻抗比供电电路的阻抗低的天线与供电电路的阻抗匹配。因此，根据本实施方式，能够进行给定的移相，并且进行阻抗匹配。

《第四实施方式》

图13是第四实施方式涉及的变压器型移相器14的电路图。本实施方式的变压器型移相器14具备由彼此进行磁场耦合的第一线圈L1和第二线圈L2构成的自耦变压器型的变压器。在第一端口P1与接地线之间连接有第一电容元件C1，在第二端口P2与接地线之间连接有第二电容元件C2。此外，在第一端口P1与第二端口P2之间连接有第三电容元件C3。

像本实施方式那样，对于自耦变压器型的变压器，由于第一线圈L1与第二线圈L2的耦合系数小于1，所以也会产生并联电感成分和串联电感成分。而且，通过电容元件C1、C2、C3使阻抗匹配。

《第五实施方式》

在第五实施方式中，示出通信终端装置。图14是第五实施方式涉及的通信终端装置200的框图。本实施方式的通信终端装置200具备天线1、天线匹配电路40、移相电路30、通信电路41、基带电路42、应用处理器43以及输入输出电路44。通信电路41具备关于低频带(700MHz～1.0GHz)和高频带(1.4GHz～2.7GHz)的发送电路和接收电路，进而具备天线共用器。天线1是与低频带和高频带对应的单极天线或倒F型天线。

上述构成要素容纳在一个框体内。例如，天线匹配电路40、移相电路30、通信电路41、基带电路42、应用处理器43安装在印刷布线板，印刷布线板容纳在框体内。输入输出电路44作为显示/触摸面板组装于框体。天线1安装在印刷布线板，或者配置在框体的内表面或内部。

通过以上示出的结构，可得到具备在宽频带匹配的天线的通信终端装置。

另外，如图14所示，移相电路30除了插入到多频带的通信信号路径的结构以外，例如也可以应用于低频带(700MHz～1.0GHz)和高频带(1.4GHz～2.7GHz)中的一方的线路。

另外，在以上所示的实施方式中，示出了由3个电容元件C1、C2、C3构成对变压器的阻抗进行调整的阻抗调整用电路的例子。阻抗调整用电路是用于对由作为变压器的寄生成分的并联电感成分和串联电感成分引起的阻抗的位移进行修正或积极地进行修正的电路，因此不限于3个电容元件。只要通过与变压器并联连接或串联连接给定的电抗元件来对变压器T的阻抗进行微调即可。

最后，上述的实施方式的说明在所有的方面都是例示性的，不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当进行变形和变更。例如，能够对在不同的实施方式中示出的结构进行部分的置换或组合。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围旨在包括与权利要求书等同的意思和范围内的所有的变更。

附图标记说明

C1：第一电容元件；

C2：第二电容元件；

C3：第三电容元件；

CA：线圈卷绕轴；

Cd1、Cd2：电容器；

IT：理想变压器；

L1：第一线圈；

L2：第二线圈；

L1a、L1b、L1c：导体图案；

L2a、L2b、L2c：导体图案；

La、Lb、Lc：电感器；

Ld1、Ld2：电感器；

P1：第一端口；

P2：第二端口；

S1～S9：基材；

T：变压器；

T1、T2：端子；

GND：接地端子；

NC：空端子；

1：天线；

9：供电电路；

10、11、13、14：变压器型移相器；

11B、11C：变压器型移相器主要部分；

21、22：移相线路；

30、30A、30B、31、32、33、34：移相电路；

40：天线匹配电路；

41：通信电路；

42：基带电路；

43：应用处理器；

44：输入输出电路；

100：层叠体；

200：通信终端装置。