1.一种差分收发射频开关，包括发射端口和接收端口，所述发射端口与所述接收端口之间设置有天线端口，所述发射端口的正端经由第一开关电路与所述天线端口的正端连接，所述发射端口的负端经由第二开关电路与所述天线端口的负端连接，所述天线端口的正端经由第三开关电路与所述接收端口的正端连接，所述天线端口的负端经由第四开关电路与所述接收端口的负端连接；其中，所述第一开关电路的控制端与所述第二开关电路的控制端均接收第一控制信号，所述第三开关电路的控制端和所述第四开关电路的控制端均接收第二控制信号；
其特征在于，还包括：第五开关电路，耦接于所述接收端口的正端和所述接收端口的负端之间，其控制端接收所述第一控制信号；
其中，当所述第二控制信号控制所述第三开关电路和第四开关电路关断时，所述第一控制信号控制所述第一开关电路、第二开关电路和第五开关电路导通；
当所述第二控制信号控制所述第三开关电路和第四开关电路导通时，所述第一控制信号控制所述第一开关电路、第二开关电路和第五开关电路关断。
2.根据权利要求1所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述第五开关电路包括：
偶数个开关管，在所述偶数个开关管中，前一个开关管的输出端耦接后一个开关管的输入端，第一个开关管的输入端耦接所述接收端口的正端，最后一个开关管的输出端耦接所述接收端口的负端，所述偶数个开关管的控制端均耦接至所述第五开关电路的控制端，所述偶数个开关管的衬底均耦接至参考端。
3.根据权利要求2所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述第五开关电路包括的开关管的数量为M；在所述第五开关电路中，N个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述参考端，所述浮体偏置电路的控制端耦接所述第五开关电路的控制端，所述浮体偏置电路在其控制端接收到不同的电平时具有不同的阻抗；其中，M和N为偶数，且M＞N。
4.根据权利要求3所述的差分收发射频开关，其特征在于，从所述接收端口的正端至所述接收端口的负端，第(M-N)/2+1至第(M-N)/2+N个开关管为对应于所述浮体偏置电路的N个开关管。
5.根据权利要求3所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述开关管为NMOS管；所述浮体偏置电路包括：
第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极耦接所述浮体偏置电路的控制端，所述N个开关管的衬底依次经由各自的第一NMOS管的源极和漏极耦接至所述参考端。
6.根据权利要求3所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述第五开关电路中的各个开关管的控制端经由各自的第一电阻耦接至所述第五开关电路的控制端；在所述第五开关电路中，所述N个开关管以外的其他开关管的衬底经由各自的第二电阻耦接至所述参考端。
7.根据权利要求3所述的差分收发射频开关，其特征在于，对应于所述浮体偏置电路的所述N个开关管的控制端经由各自的栅偏置电路耦接至所述第五开关电路的控制端，所述栅偏置电路的控制端耦接所述N个开关管的控制端，所述栅偏置电路在其控制端接收到不同的电平时具有不同的阻抗。
8.根据权利要求7所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述开关管为NMOS管；
所述栅偏置电路包括：第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极耦接所述N个开关管的控制端。
9.根据权利要求1至8任一项所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述第五开关电路中的各个开关管的源极和漏极之间耦接有第三电阻。
10.根据权利要求1至8任一项所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路各自包括单个晶体管或者串联设置的多个晶体管。
11.一种射频终端，其特征在于，包括权利要求1至10任一项所述的差分收发射频开关。