技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于FinFET晶体管的一位全加器，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第一反相器和第二反相器，第一FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第七FinFET管、第十FinFET管和第十一FinFET管均为P型FinFET管，第二FinFET管、第三FinFET管、第六FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十二FinFET管和第十三FinFET管均为N型FinFET管；优点是在不影响电路性能的情况下，面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。
技术研发人员：胡建平;朱昊天;汪佳峰
受保护的技术使用者：宁波大学
技术研发日：2017.04.18
技术公布日：2017.09.26