一种改善非线性的射频开关电路的制作方法

技术特征：

1.一种改善非线性的射频开关电路，包括栅极电压控制模块、开关模块以及体极电压控制模块，其特征在于：所述开关模块包括N个级联的NMOS管开关单元，各NMOS管开关单元的NMOS开关管的源极S/漏极D与体极B通过可控选择串并联单元连接，减小射频电路的谐波非线性。

2.如权利要求1所述的一种改善非线性的射频开关电路，其特征在于：所述开关模块的各NMOS开关管的源极S/漏极D与体极B通过两级串联的NMOS管小开关控制单元连接。

3.如权利要求2所述的一种改善非线性的射频开关电路，其特征在于：所述两级串联的NMOS管小开关控制单元的中间节点经可控MOS管通路提供并联小电容至地路径。

4.如权利要求3所述的一种改善非线性的射频开关电路，其特征在于：所述开关模块的每个开关单元包括NMOS开关管Msw、体极偏置电阻Rb、栅极偏置电阻Rg、通路电阻Rds、构成漏体并联支路的串联NMOS管Mdb1和Mdb2、构成源体并联支路的串联NMOS管Msb1和Msb2、漏体并联支路的串联NMOS管并联分布电容控制MOS管Md、漏极至地电容Cd、源体并联支路的串联NMOS管并联分布电容控制MOS管Ms以及源极至地电容Cs。

5.如权利要求4所述的一种改善非线性的射频开关电路，其特征在于：射频输入信号RFin连接至第一级NMOS管开关单元的NMOS开关管的漏极，第一级NMOS开关单元的NMOS开关管的源极连接第二级NMOS管开关单元的NMOS开关管的漏极，第二级NMOS开关单元的NMOS开关管的源极连接第三级NMOS开关单元的NMOS开关管的漏极，……，第n-2级NMOS开关单元的NMOS开关管的源极连接第n-1级NMOS开关单元的NMOS开关管的漏极，第n-1级NMOS开关单元的NMOS开关管的源极连接第n级NMOS开关单元的NMOS开关管的漏极，第n级NMOS开关单元的NMOS开关管的源极为所述射频开关电路的输出RFout。

6.如权利要求5所述的一种改善非线性的射频开关电路，其特征在于：漏体并联支路MOS管Mdb1的漏极连接至NMOS管Msw的漏极，漏体并联支路MOS管Mdb1的源极连接漏体并联支路MOS管Mdb2的漏极和漏体并联支路的串联NMOS管分布电容控制MOS管Md的源极，漏体并联支路MOS管Mdb2的源极连接至NMOS管Msw的体极，漏体并联支路MOS管Mdb1的栅极、漏体并联支路MOS管Mdb2的栅极和漏体并联支路的串联NMOS管分布电容控制MOS管Md的栅极连接至NMOS管Msw的栅极，漏体并联支路的串联NMOS管分布电容控制MOS管Md的漏极连接至漏极电容Cd的一端，漏极电容Cd的另一端接地，源体并联支路MOS管Msb1的漏极连接至NMOS管Msw的源极，源体并联支路MOS管Msb1的源极连接源体并联支路MOS管Msb2的漏极和源体并联支路的串联NMOS管分布电容控制MOS管Ms的源极，源体并联支路MOS管Msb2的源极连接至NMOS管Msw的体极，源体并联支路MOS管Msb1的栅极、源体并联支路MOS管Msb2的栅极和源体并联支路的串联NMOS管分布电容控制MOS管Ms的栅极连接至NMOS管Msw的栅极，源体并联支路的串联NMOS管分布电容控制MOS管Ms的漏极连接至源极电容Cs的一端，源极电容Cs的另一端接地,通路电阻Rds连接在NMOS管Msw的漏极和源极间，体极偏置电阻Rb的一端连接至NMOS管Msw的体极，体极偏置电阻Rb的另一端连接至所述体极电压控制模块，栅极偏置电阻Rg的一端连接至NMOS管Msw的栅极，栅极偏置电阻Rg的另一端连接至所述栅极电压控制模块。

7.如权利要求6所述的一种改善非线性的射频开关电路，其特征在于：所述漏体并联支路MOS管Mdb1和Mdb2、源体并联支路MOS管Msb1和Msb2为NMOS管。

8.如权利要求7所述的一种改善非线性的射频开关电路，其特征在于：所述漏体并联支路的串联NMOS管分布电容控制MOS管Md、源体并联支路的串联NMOS管分布电容控制MOS管Ms为PMOS管。

9.如权利要求8所述的一种改善非线性的射频开关电路，其特征在于：当NMOS管Msw开启时，PMOS管关断与地射频浮空，NMOS管Msw开启使得源极S/漏极D与体极B短接，射频开关电路为奇函数，以改善偶次谐波非线性。

10.如权利要求8所述的一种改善非线性的射频开关电路，其特征在于：当NMOS管Msw关闭时，NMOS管Msw关断表现为关断电容，而PMOS管开启提供至地并联小电容通路，使NMOS管Msw关断电容为接地电容而减小NMOS管Msw的关断电容。