本发明涉及开关电路技术领域，具体来说，涉及一种电阻共享开关电路。
背景技术：
射频开关，属有线电视网或通讯领域用信号开关，用于有线传输射频信号的通过控制，可广泛用于载波电话切换，有线电视信号切换，有线电视信号开关等领域。开关器件设置在发送端与天线之间以及接收端与天线之间，从而根据控制信号交替地将发送端或接收端连接至天线，通过向开关器件的本体施加控制信号，可以实现诸如去除低频噪声的目的。与此同时，尽管从发送端发送到天线的信号或从天线发送到接收端的信号具有相对较大的功率，但是开关器件的击穿电压相对较低，因此在发送端或接收端与天线之间使用串联连接的多个晶体管。在使用串联连接的多个晶体管时，每个晶体管的控制端子都连接电阻器，从而电阻器的数量增多，难以实现芯片及电子设备的小型化。
针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现要素：
针对相关技术中的问题，本发明提出一种电阻共享开关电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
本发明的技术方案是这样实现的：
一种电阻共享开关电路，包括发射端TX、接收端RX、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、开关器件K1、开关器件K2、开关器件K3、开关器件K4、控制信号SC1、控制信号SC2、开关S1、开关S2、开关S3、开关S4及天线ANT，其中，所述发射端TX分别与所述晶体管M1的源极及所述晶体管M2的漏极连接，所述晶体管M1的栅极通过所述电阻R1与电源正极连接，所述晶体管M1的基极通过所述电阻R2接地，所述晶体管M1的源极分别接地及通过所述电阻R3与电源正极连接，所述晶体管M2的栅极通过所述电阻R4与电源正极连接，所述晶体管M1的基极通过所述电阻R5接地，所述晶体管M1的源极分别接地及通过所述电阻R6与电源正极连接，所述晶体管M1的源极与所述开关器件K1的一端连接，所述开关器件K1的另一端通过所述开关器件K2分别与所述开关器件K3的一端及所述天线ANT连接，所述开关器件K3的另一端与所述开关器件K4的一端连接，所述开关器件K4的另一端与所述晶体管M3的源极连接，所述开关器件K2与所述开关器件K3之间串联设置有所述开关S1和所述开关S2，所述开关器件K1与所述开关器件K4之间串联设置有所述开关S3和所述开关S4，所述开关S1和所述开关S2之间通过所述电阻R7与所述电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述开关S3和所述开关S4之间连接，并且，所述电阻R7与所述电阻R8之间设置有所述控制信号SC1和所述控制信号SC2，所述开关S1和所述开关S3分别均与所述控制信号SC1连接，所述开关S2和所述开关S4分别均与所述控制信号SC2连接，所述晶体管M3的栅极通过所述电阻R9与电源正极连接，所述晶体管M3的基极通过所述电阻R10接地，所述晶体管M3的源极分别接地及通过所述电阻R11与电源正极连接，所述晶体管M3的漏极分别与所述晶体管M4的基极及所述接收端RX连接，所述晶体管M4的栅极通过所述电阻R14与电源正极连接，所述晶体管M4的基极通过所述电阻R12接地，所述晶体管M4的源极分别接地及通过所述电阻R13与电源正极连接。
进一步的，所述晶体管M1与所述晶体管M2、所述晶体管M3及所述晶体管M4均为NMOS晶体管。
进一步的，所述晶体管M1和所述晶体管M2大小均为0.18μm。
进一步的，所述晶体管M3大小为200μm，所述晶体管M4大小为96μm。
进一步的，所述电阻R1与所述电阻R2、所述电阻R3、所述电阻R4、所述电阻R5、所述电阻R6、所述电阻R9、所述电阻R10、所述电阻R11、所述电阻R12、所述电阻R13及所述电阻R14阻值均为9K欧姆。
进一步的，所述开关器件K1和所述开关器件K2、所述开关器件K3及所述开关器件K4均为场效应晶体管。
本发明的有益效果为：通过根据本发明提供的一种电阻共享开关电路，与传统的具有类似性能和操作的开关电路相比，在保证开关电路正常运行的同时，芯片中包含的电阻的数量减半，因此可以提供芯片尺寸减少的有用效果，进而使得电子设备的尺寸得以实现小型化，进而提高电子设备制造水平，进而实现科技的进步。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例的一种电阻共享开关电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
根据本发明的实施例，提供了一种电阻共享开关电路。
如图1所示，根据本发明实施例的电阻共享开关电路，包括发射端TX、接收端RX、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、开关器件K1、开关器件K2、开关器件K3、开关器件K4、控制信号SC1、控制信号SC2、开关S1、开关S2、开关S3、开关S4及天线ANT，其中，所述发射端TX分别与所述晶体管M1的源极及所述晶体管M2的漏极连接，所述晶体管M1的栅极通过所述电阻R1与电源正极连接，所述晶体管M1的基极通过所述电阻R2接地，所述晶体管M1的源极分别接地及通过所述电阻R3与电源正极连接，所述晶体管M2的栅极通过所述电阻R4与电源正极连接所述晶体管M1的基极通过所述电阻R5接地，所述晶体管M1的源极分别接地及通过所述电阻R6与电源正极连接，所述晶体管M1的源极与所述开关器件K1的一端连接，所述开关器件K1的另一端通过所述开关器件K2分别与所述开关器件K3的一端及所述天线ANT连接，所述开关器件K3的另一端与所述开关器件K4的一端连接，所述开关器件K4的另一端与所述晶体管M3的源极连接，所述开关器件K2与所述开关器件K3之间串联设置有所述开关S1和所述开关S2，所述开关器件K1与所述开关器件K4之间串联设置有所述开关S3和所述开关S4，所述开关S1和所述开关S2之间通过所述电阻R7与所述电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与所述开关S3和所述开关S4之间连接，并且，所述电阻R7与所述电阻R8之间设置有所述控制信号SC1和所述控制信号SC2，所述开关S1和所述开关S3分别均与所述控制信号SC1连接，所述开关S2和所述开关S4分别均与所述控制信号SC2连接，所述晶体管M3的栅极通过所述电阻R9与电源正极连接，所述晶体管M3的基极通过所述电阻R10接地，所述晶体管M3的源极分别接地及通过所述电阻R11与电源正极连接，所述晶体管M3的漏极分别与所述晶体管M4的基极及所述接收端RX连接，所述晶体管M4的栅极通过所述电阻R14与电源正极连接，所述晶体管M4的基极通过所述电阻R12接地，所述晶体管M4的源极分别接地及通过所述电阻R13与电源正极连接。
在一个实施例中，所述晶体管M1与所述晶体管M2、所述晶体管M3及所述晶体管M4均为NMOS晶体管。
在一个实施例中，所述晶体管M1和所述晶体管M2大小均为0.18μm。
在一个实施例中，所述晶体管M3大小为200μm，所述晶体管M4大小为96μm。
在一个实施例中，所述电阻R1与所述电阻R2、所述电阻R3、所述电阻R4、所述电阻R5、所述电阻R6、所述电阻R9、所述电阻R10、所述电阻R11、所述电阻R12、所述电阻R13及所述电阻R14阻值均为9K欧姆。
在一个实施例中，所述开关器件K1和所述开关器件K2、所述开关器件K3及所述开关器件K4均为场效应晶体管。
综上所述，借助于本发明的上述技术方案，通过根据本发明提供的一种电阻共享开关电路，与传统的具有类似性能和操作的开关电路相比，在保证开关电路正常运行的同时，芯片中包含的电阻的数量减半，因此可以提供芯片尺寸减少的有用效果，进而使得电子设备的尺寸得以实现小型化，进而提高电子设备制造水平，进而实现科技的进步。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。