声波滤波器装置的制作方法

技术领域

下面的描述涉及一种声波滤波器装置。

背景技术：

目前，具有腔的大多晶圆级封装件(WLP)包括微机电系统(MEMS)和滤波器封装件。

随着晶圆级封装件中包括的滤波器封装件已变得较小且较薄，已开发其他的诸如芯片级封装(CSP)、晶圆对晶圆级封装和膜封装的制造技术。已使用这些制造技术来制造声波滤波器装置。

在声波滤波器装置的制造工艺过程中，具体地，在模制工艺过程中，当增加内部压力以实现用于模制的合适的内部压力时和/或当具有低应变率的聚合物用作盖构件时，可能需要具有较厚的盖构件以避免变形或其他问题。包括较厚的盖构件由于其使整个封装件的厚度增加而存在生产薄的声波滤波器封装件方面的问题。

因此，开发一种能够减小盖构件的厚度同时在模制工艺过程中确保合适的内部压力的结构可以是有利的。换句话说，开发一种能够在模制工艺过程中抑制盖构件的变形的结构可以是有利的。

技术实现要素：

提供本发明内容以按照简化形式介绍构思的选择，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要技术特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

根据示例性实施例，一种声波滤波器装置包括：滤波器，设置在基板上；壁构件，设置在所述基板上并且围住所述滤波器；盖构件，设置在所述壁构件上并且与所述壁构件限制内部空间；及支撑构件，设置在所述盖构件上。所述支撑构件设置在所述内部空间上方并且包括设置在所述盖构件上的至少一个凸块。

所述盖构件可包括金属或合金，并且所述支撑构件可形成在所述盖构件的上表面上。

所述支撑构件可通过设置在所述盖构件上的钝化层而暴露。

所述声波滤波器装置还可包括：下凸块金属构件，设置在所述壁构件的内部；及焊球，形成在所述下凸块金属构件上。

所述焊球可突出到所述支撑构件的高度或超过所述支撑构件。

金属层可设置在所述基板上并且可电连接到所述下凸块金属构件。

所述盖构件可包括聚合物和包含聚合物的材料中的一种。

包括金属的焊盘可设置在所述盖构件上，并且所述焊盘可设置在所述支撑构件下方。

所述支撑构件可包括设置在所述盖构件的上表面上的多个支撑构件。

所述多个支撑构件可以设置成至少一行和至少一列。

所述焊球可包括多个焊球，所述下凸块金属构件可包括多个下凸块金属构件，并且所述多个焊球中的每个焊球可设置在所述多个下凸块金属构件中的相应的下凸块金属构件上。

根据示例性实施例，一种声波滤波器装置包括：滤波器，设置在基板上；壁构件，设置在所述基板上并且围住所述滤波器；下凸块金属构件，与所述壁构件相邻设置；焊球，设置在所述下凸块金属构件上；盖构件，形成在所述壁构件上方并且与所述壁构件限制内部空间；及支撑构件，设置在所述盖构件上。所述支撑构件设置在所述内部空间上方并且包括设置在所述盖构件上的至少一个凸块，并且所述焊球突出到所述支撑构件的高度或超过所述支撑构件。

所述盖构件可包括金属或合金，并且所述支撑构件可设置在所述盖构件的上表面上。

所述支撑构件可通过设置在所述盖构件上的钝化层而暴露。

所述盖构件可包括聚合物和包含聚合物的材料中的一种。

包括金属的焊盘可设置在所述盖构件上，并且所述焊盘可设置在所述支撑构件下方。

金属层可设置在所述基板上并且可电连接到所述下凸块金属构件。

所述支撑构件可包括设置在所述盖构件的上表面上的多个支撑构件。

示例性实施例提供一种能够减小当形成模制层时其中设置滤波器的内部空间变窄的声波滤波器装置。

通过下面的具体实施方式、附图以及权利要求，其他特征和方面将显而易见。

附图说明

图1是示出根据示例性实施例的声波滤波器装置的示意性截面图。

图2是示出根据示例性实施例的声波滤波器装置的平面图。

图3是示出声波滤波器装置中包括的支撑构件的变型示例的平面图。

图4是示出声波滤波器装置中包括的支撑构件的变型示例的平面图。

图5是示出根据示例性实施例的声波滤波器装置的示意性截面图。

在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物对本领域的普通技术人员将是显而易见的。在此描述的操作的顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可做出对本领域技术人员将是显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域的普通技术人员公知的功能和结构的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，以使本公开将是彻底的和完整的，并且将要将本公开的全部范围传达给本领域的普通技术人员。

接下来，将参照附图进一步详细地描述示例。

除非另外指出，否则第一层“在”第二层或基板“上”或“连接到”第二层或基板的陈述将被解释为涵盖第一层直接接触第二层或基板的情况以及一个或更多个其他层设置在第一层与第二层或基板之间的情况二者。

为了方便描述一个装置或元件与其他装置或元件的空间关系，可使用诸如“在……下面”、“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“底部”、“在……上面”、“在……之上”、“上面的”、“顶部”、“左”和“右”的描述相对空间关系的词语。这样的词语将被解释为包含装置在如附图中示出的方位以及在使用或操作中的其他方位。例如，装置包含基于附图中示出的装置的方位设置在第一层上的第二层的示例也包含在装置使用或操作时颠倒翻转时的该装置。

图1是示出根据示例性实施例的声波滤波器装置的示意性截面图。图2是示出根据示例性实施例的声波滤波器装置的平面图。

参照图1和图2，声波滤波器装置100可包括例如基板110、滤波器单元120、壁构件130、盖构件140、下凸块金属构件150、焊球160和支撑构件170。

基板110可以是压电基板。例如，基板110可以是其中诸如LiTaO3、LiNbO3等的压电单晶体、压电陶瓷和/或压电薄膜形成在基板110的主表面上的基板。然而，这些仅是示例性的，压电单晶体可由其他材料或材料的组合形成。

金属层112可形成在基板110上并在自顶向下的视角下围住滤波器单元120。金属层112可由与滤波器单元120的材料相同的材料形成。例如，金属层112可由钛(Ti)、镍(Ni)、铝(Al)、铜(Cu)和AlCu中的一种或更多种形成。

如上所述，金属层112和滤波器单元120可由相同的材料形成，从而可更容易地执行金属层112的形成。因此，可提高形成金属层112和滤波器单元120的工艺的效率。

金属层112和滤波器单元120可通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)形成，但形成工艺不限于此。例如，金属层112和滤波器单元120可通过镀覆方法、金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺等形成。

如图1所示，滤波器单元120可形成在基板110的中部中。例如，滤波器单元120可形成为单个的叉指(IDT)图案，然而，实施例不限于此。例如，各种IDT图案可一起形成在基板110的部分上，以形成滤波器单元120。金属层112和壁构件130可形成为在自顶向下的视角下围住滤波器单元120。

如上所述，滤波器单元120可由与金属层112的材料相同的材料形成。

壁构件130可形成为在自顶向下的视角下围住滤波器单元120，并且可形成通过盖构件140限制的内部空间S。壁构件130可由例如感光膜形成，但不限于此。仅作为示例，壁构件130可由液态树脂和膜树脂中的一种形成。

插入孔132可形成在壁构件130中。下凸块金属构件150以及焊球160的部分可插入并因此设置在插入孔132中。

盖构件140可形成在壁构件130上方的层中，并且可与壁构件130形成内部空间S。盖构件140可由例如金属材料或金属材料的组合(即，合金)形成。诸如如图1所示，盖构件140可由形成为单个层的单种材料形成，但不限于此。盖构件140可通过将由相同的材料或不同的材料形成的其他板结合到其而形成。

如图1所示，暴露支撑构件170的钝化层142可形成在盖构件140上。钝化层142可使盖构件140绝缘并且可防止盖构件140被损坏。

如图1所示，钝化层142可形成在盖构件140的上表面和侧表面上，但实施例不限于此。例如，钝化层142可另外或可选地形成在盖构件140的底表面上。

下凸块金属构件150可形成在设置在基板110上的金属层112上。金属膜(未示出)可形成在下凸块金属构件150上，以将下凸块金属构件连接到焊球160。也就是说，金属层112可电连接到下凸块金属构件150。金属膜可基于形成下凸块金属构件150的金属而由合适的金属形成。然而，如上所述，可不包括金属膜。

如图1所示，下凸块金属构件150设置在壁构件130中的插入孔132中，但不限于此。

在自顶向下的视角下，下凸块金属构件150可以设置在壁构件130的外部。也就是说，在自顶向下的视角下，壁构件130可形成为设置在下凸块金属构件150的内部，即，下凸块金属构件150可与壁构件130相邻设置。

下凸块金属构件150可具有大体圆柱形状，以促进焊球160的结合。

焊球160可形成在下凸块金属构件150上，并且可从壁构件130中的插入孔132突出。虽然示出了单个焊球，但是实施例不限于此。例如，焊球160可被设置为多个焊球，作为当多个焊球中的至少一个设置在主基板(未示出)上时结合到主基板的连接焊盘的构造的部件。多个焊球中的每个焊球可形成在相应的下凸块金属构件150上。

支撑构件170可形成在盖构件140上。支撑构件170可由形成在盖构件140上的至少一个凸块形成并设置在内部空间S上方。

支撑构件170可被设置为布置并分散在盖构件140上的多个支撑构件。支撑构件170可具有以免突出得比焊球160高的高度。

在声波滤波器装置100安装在主基板(未示出)上之后，可使用树脂模具来填充盖构件140和主基板之间的空间。在这种情况下，支撑构件170变为连接到主基板。当填充树脂模具时，压力被施加到盖构件140，因此防止盖构件140变形。

因此，在制造工艺过程中，防止通过盖构件140和壁构件130限制的内部空间S减小。结果，可提高声波滤波器100的可靠性。在附图中，通过示例的方式示出了支撑构件170被设置为形成为行的三个支撑构件(例如，图2中)的情况，但不限于此。

如上所述，支撑构件170形成在盖构件140上。因此，当如上所述填充树脂模具时，如果压力(例如，大约75巴的压力)被施加到盖构件140，则可防止盖构件140变形。换句话说，当支撑构件170连接到主基板时，盖构件140被支撑构件170支撑，从而可防止盖构件140变形。

结果，可防止通过盖构件140和壁构件130限制的内部空间S减小，从而可提高声波滤波器装置100的可靠性。

在下文中，将参照附图描述支撑构件的变型示例。

图3是示出声波滤波器装置中包括的支撑构件的示例性实施例的平面图。

参照图3，声波滤波器装置200中包括支撑构件270。支撑构件270形成在盖构件140上。支撑构件270形成为形成在盖构件140上的至少一个凸块，盖构件140设置在内部空间S上方(例如，见图1)。

如图3所示，支撑构件270被设置为分散并设置在盖构件140上的多个支撑构件。支撑构件270可具有以免突出到超过焊球160的高度。

支撑构件270可被设置为形成多个行和列的支撑构件，但不限于此，还可使用如其他的布局。

在声波滤波器装置200安装在主基板(未示出)之后，可使用树脂模具来填充盖构件140和主基板之间的空间。在这种情况下，支撑构件270变为连接到主基板。当填充树脂模具时，压力被施加到盖构件140，因此防止盖构件140变形。

结果，可防止通过盖构件140和壁构件130限制的内部空间S减小，从而可提高声波滤波器装置200的可靠性。

图4是示出声波滤波器装置中包括的支撑构件的示例性实施例的平面图。

参照图4，声波滤波器装置300中包括支撑构件370。支撑构件370形成在盖构件140上。支撑构件370形成为形成在盖构件140上的至少一个凸块，盖构件140设置在内部空间S上方(例如，见图1)。

如图4所示，支撑构件370被设置为分散并设置在盖构件140上的多个支撑构件。支撑构件370可具有使其不突出到超过焊球160的高度。

如图4所示，通过示例的方式示出了五个支撑构件370被设置为分散在盖构件140上的情况，但不限于此。换句话说，支撑构件370的数量和布局可进行各种改变。

在下文中，将参照附图描述根据示例性实施例的声波滤波器装置。这里使用与上面描述的组件的参考标号相同的参考标号，因此，将省略其详细的描述。

图5是示出根据示例性实施例的声波滤波器装置的示意性截面图。

参照图5，声波滤波器装置400可包括基板110、滤波器单元120、壁构件130、盖构件440、下凸块金属构件150、焊球160和支撑构件170。

在图5中，基板110、滤波器单元120、壁构件130、下凸块金属构件150、焊球160和支撑构件170对应于与以上参照例如图1至图4描述的构造相同的构造，从而在下文中将省略它们的详细描述。

盖构件440至少部分地形成在壁构件130上并且可与壁构件130限制内部空间S。仅作为示例，盖构件440可由聚合物材料形成。也就是说，盖构件440可由绝缘材料形成。

用于支撑构件170和盖构件440的连接的由金属形成的焊盘442可形成在盖构件440上。

如上所述，支撑构件170形成在盖构件440上。因此，当如上所述填充树脂模具时，如果压力(例如，大约75巴的压力)被施加到盖构件440时，则可防止盖构件440变形。换句话说，当支撑构件170连接到主基板时，盖构件440被支撑构件170支撑，从而可防止盖构件440变形。

结果，可防止通过盖构件440和壁构件130限制的内部空间S减小，从而可提高声波滤波器装置400的可靠性。

根据以上的示例性实施例，通过示例的方式示出了声波滤波器装置100至400被应用为表面声波滤波器装置的情况，但不限于此。例如，声波滤波器装置100至400可应用于体声波滤波器装置。

如上所述，根据示例性实施例，可降低其中设置滤波器单元的内部空间由于盖构件的变形而导致的减小。

虽然本公开包括具体的示例，但是在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可对这些示例做出形式和细节上的各种变化。在此所描述的示例将仅被视为描述性含义，而非出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包含于本公开中。