技术总结
本实用新型属于等离子体产生和低温等离子体技术领域，具体涉及一种体放电等离子体发生装置。本装置包括电源、上格栅电极组和下栅格电极组，所述格栅式电极组由多个平行、共面排布的单个格栅电极构成，上格栅电极组和下格栅电极组分别接入电源的两个极，两个格栅式电极可裸露相对，或其中一个埋藏在介质层下一定深度，或者两者都埋藏在介质层下一定深度。本装置降低放电电压；低电场处更有助于气体放电维持和降低无效功率；改变电极结构的电容量，更有利于电路的电容匹配。相比于普通电极结构，本实用新型放电电压低、放电效率高、电容可调节有利于电路匹配和等离子体分布均匀。
技术研发人员：李建;童洪辉;王坤;但敏;金凡亚;常兰
受保护的技术使用者：核工业西南物理研究院;成都理工大学工程技术学院
技术研发日：2017.11.17
技术公布日：2018.12.18