1.一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，所述功率放大器末级放大装置设置在二级功率放大单元之后，其特征在于，所述装置包括：依次连接的射频通路匹配单元、射频场效应管、功率补偿单元、射频输出单元，以及连接在射频场效管输出端到输入端之间的反馈单元；
其中，所述射频场效应管包含栅极、漏极和源极；
所述射频通路匹配单元的输入端连接所述二级功率放大单元的射频信号输出端，所述射频通路匹配单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极，所述射频场效应管的漏极连接所述功率补偿单元的输入端，所述射频场效应管的源极接地。
2.根据权利要求1所述的一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，其特征在于，所述反馈单元的输入端连接所述射频场效应管的漏极输出端，所述反馈单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极输入端。
3.根据权利要求1所述的一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，其特征在于，所述射频场效应管的栅极工作电压由偏置电路提供，所述射频场效应管的漏极工作电压由漏极供电电路提供。
4.根据权利要求1所述的一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，其特征在于，所述射频场效应管的型号为DMD1010，其内部由两个MOS管组成，从而具有两个栅极输入端和两个漏极输出端；
所述射频通路匹配单元由第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、以及第一耦合变压器组成；
其中，所述第一电容的一端作为所述射频通路匹配单元的输入端，所述第一电容的另一端与所述第一耦合变压器的一次绕组的一端连接，所述第一耦合变压器的一次绕组的另一端接地，所述第一耦合变压器的二次绕组的一端与第一并联支路的一端连接，所述第一并联支路由第一电阻和第二电容并联组成，所述第一耦合变压器的二次绕组的另一端与第二并联支路的另一端连接，所述第二并联支路由第二电阻和第三电容并联组成，所述第一并联支路的另一端和所述第二并联支路的另一端之间串接所述第三电阻，且所述第三电阻的两端分别作为所述射频通路匹配单元的两个子输出端，且所述射频通路匹配单元的两个子输出端分别与所述射频场效应管的两个栅极输入端对应连接。
5.根据权利要求1所述的一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，其特征在于，所述射频场效应管的型号为DMD1010，其内部由两个MOS管组成，从而具有两个栅极输入端和两个漏极输出端；
所述功率补偿单元由第四电阻、第五电阻、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、电感、第二耦合变压器以及第三耦合变压器组成；
其中，所述第四电阻的一端作为所述功率补偿单元的一个子输入端，所述第五电阻的一端作为所述功率补偿单元的另一个子输入端，所述功率补偿单元的两个子输入端分别与所述射频场效应管的两个漏极输出端对应连接，所述第四电阻的另一端与所述第四电容的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第五电容的一端连接，所述第四电容的另一端分别与所述第六电容的一端、所述第二耦合变压器的一次绕组的一端连接，所述第五电容的另一端与所述第六电容的另一端、所述第二耦合变压器的一次绕组的另一端连接，所述第二耦合变压器的二次绕组的一端分别与所述第七电容的一端、所述第八电容的一端连接，所述第二耦合变压器的二次绕组的另一端接地，所述第七电容的另一端接地，所述第八电容的另一端分别与第九电容的一端、电感的一端连接，所述第九电容的另一端接地，所述电感的另一端接地，且所述第八电容的一端作为所述功率补偿单元的输出端。