用于EMI屏蔽组件的框架和包括该框架的EMI屏蔽组件的制作方法

本公开总体涉及用于emi屏蔽组件的框架和包括该框架的emi屏蔽组件。

背景技术：

这个部分提供与本公开相关的但未必是现有技术的背景信息。

在电子器件操作中的常见问题是在设备的电子电路内产生电磁辐射。这种辐射可能导致电磁干扰(emi)或射频干扰(rfi)，电磁干扰(emi)或射频干扰(rfi)可能干扰在一定距离内的其他电子器件的运行。在没有足够屏蔽的情况下，emi/rfi干扰会引起重要信号的降级或完全消失，由此使得电子设备效率低下或不能运行。

改善emi/rfi的效应的常见方案是通过使用能够吸收和/或反射和/或重新引导emi能量的屏蔽件。这些屏蔽件通常用来将emi/rfi定位在emi/rfi源内，并且将靠近emi/rfi源的其他器件隔离。例如，板级屏蔽件广泛地用来保护敏感的电子器件以免受系统间和系统内的电磁干扰并且用来减少来自有噪声的集成电路(ic)的不想要的电磁辐射。

本文使用的术语“emi”应该被认为是大致包括及指代emi发射和rfi发射，并且术语“电磁的”应该被认为是大致包括及指代来自外部源和内部源的电磁和射频。因而，术语屏蔽(如本文使用的)宽泛地包括及指代减轻(或限制)emi和/或fri，诸如通过对能量进行吸收、反射、阻挡和/或重定向或它们的组合，从而其不再妨碍例如管理部门的合规要求并且/或者电子部件系统的内部功能性。

技术实现要素：

这个部分提供对本公开的总体概述，但并不是对完整范围或全部特征的全面公开。

公开了用于电磁干扰(emi)屏蔽组件的框架的示例性实施方式。还公开了包括这种框架的emi屏蔽组件的示例性实施方式。在示例性实施方式中，用于emi屏蔽组件的框架包括一个或多个侧壁，所述侧壁构造成沿基板大致围绕一个或多个部件安装至基板。框架还包括在一个或多个侧壁上方向上延伸的一个或多个指状件或突片。一个或多个指状件或突片可与大致限定在可附接至框架的罩的一个或多个侧壁的部分之间的相应的一个或多个间隙对准，从而抑制或防止emi经由一个或多个间隙或空隙泄漏。

可应用性的其它方面将从本文所提供的描述中变得明显。该概述中的描述和具体示例仅仅旨在说明的目的，而并不旨在限制本公开内容的范围。

附图说明

本文所述的附图仅为了说明所选择的实施方式而不是所有可能的实施方式，并且并不旨在限制本公开内容的范围。

图1是传统的板级屏蔽(bls)的立体图，该bls包括框架和罩。如图1中所示，bls罩的传统的冲压和折叠壁留下未被框架填充或覆盖的间隙或空隙，使得电磁干扰可以经由间隙或空隙而穿过或泄漏。

图2是用于根据示例性实施方式的板级屏蔽(bls)的框架的立体图，在bls中框架包括指状件或突片(广义上，部分或触点)，指状件或突片构造成填充、覆盖或封闭由罩的侧壁限定的间隙或空隙，从而抑制或防止emi经由间隙或空隙泄漏。

图3是包括图2中所示的框架以及可附接至框架的罩的板级屏蔽的示例性实施方式的立体图。图3中还示出了印刷电路板(pcb)的焊盘以及位于罩和框架之间的吸收器。框架被对准以沿着pcb焊盘定位。并且，框架的指状件或突片被对准以定位在由罩的侧壁限定的间隙或空隙内或相对于该间隙或空隙定位。

图4是罩附接至框架并且框架的指状件或突片覆盖由罩的侧壁限定的间隙或空隙之后的图3中所示的板级屏蔽的立体图。

图5是图4中所示的板级屏蔽的一部分的立体图，并示出框架的指状件或突片覆盖由罩的侧壁限定的间隙或空隙。

图6至图9分别是图4中所示的板级屏蔽的侧视图、前视图、俯视图和仰视图。

图10示出了制作具有指状件或突片(广义上，部分或触点)的框架的示例性方法，该指状件或突片构造成填充、覆盖或封闭罩的侧壁中的间隙或空隙和/或电接触根据示例性实施方式的罩的一部分(例如，内表面、底面等)。

对应的参考标号在说明书的几个视图中指代对应的零件。

具体实施方式

下面将参照附图更详细描述示例性实施方式。

作为背景，图1示出了传统的板级屏蔽1(bls)，其包括罩或盖5以及框架或栅栏9。吸收器(absorber)13布置在bls罩5下面。bls框架9可以焊接至pcb焊盘17。

如图1中所示，bls罩5包括冲压和折叠的侧壁21，侧壁21限定非方形形状(例如，l形等)。间隙或空隙25也由罩的侧壁21的部分限定或大致限定在罩的侧壁21的部分之间，其未被框架9填充、覆盖或封闭。因此，电磁干扰(emi)可以经由间隙25穿过或泄漏。通常，可以将第二罩(未示出)进行点焊以填充、覆盖或封闭间隙或空隙25，从而抑制emi经由罩5的间隙或空隙25泄漏。

在认识到以上方面之后，开发了并在此公开了用于板级屏蔽(广义上，屏蔽或屏蔽组件)的框架的示例性实施方式。如本文中所公开的，框架可以包括这样的一个或多个部分(例如，指状件、突片、触点等)，其构造成与bls罩中的一个或多个相应的开口、空隙、间隙等对准并将这些开口、空隙、间隙等填充、覆盖或封闭，在所述开口、空隙、间隙等处bls罩不能提供覆盖框架的足够材料，因此如不将其填充、覆盖或封闭会导致emi泄漏。通过覆盖bls罩中的空隙，框架的一个或多个部分可以有利地增加包括框架和罩的bls组件的emi屏蔽效果。

框架的一个或多个部分可以从框架侧壁和框架的从框架侧壁限定的周边向内和/或沿着周边延伸的檐、凸缘、边缘或唇缘整体地形成(例如，冲压、切割、弯曲、折叠等)。所述一个或多个部分可以包括至少一个指状件、突片或触点，至少一个指状件，突片或触点从框架的侧壁和檐切割，然后竖直弯曲，使得指状件、突片或触点在与其整体形成的框架的侧壁和檐上方向上延伸并超出框架的侧壁和檐。

作为实施例，每个指状件的两个槽缝可以被切割(例如，冲压等)到一块导电材料中，框架将由该块导电材料制成。冲压材料可以被拉伸或以其它方式形成为框架的形状。每个指状件的端部可以独立于槽缝被切割或修剪。指状件可以相对于框架的拉制的檐折叠或弯曲(例如，大致垂直和/或竖直地等)，使得指状件在框架的拉制的檐上方向上延伸。指状件的端部可以构造成(例如，弯曲、折叠或大致垂直和/或水平地形成，设置有凸轮表面等)用于与罩的一部分(例如，内表面、底面等)进行更好地电接触和/或用于更好地引导覆盖(coverlead-in)。

在示例性实施方式中，罩或盖能可释放地附接至框架、可从框架拆卸和可重新附接至框架，使得罩例如在再加工之后等可重复使用。例如，可以从框架移除罩，以在框架保持安装至pcb时允许再加工和/或允许接入pcb部件。然后可以将罩可释放地附接回到框架上。

图2示出了体现本公开的一个或多个方面的框架104的示例性实施方式。图3至图9示出了示例性板级屏蔽(bls)100，其包括框架104和可附接至框架104的罩108。

如图2和图3中所示，框架104包括相对于框架104向上延伸的指状件或突片116(广义上，触点或部分)。指状件或突片116构造成填充、覆盖或封闭大致限定在罩的侧壁120的部分(例如，突片等)之间的间隙或空隙118(图3)。当罩108附接至框架104时，框架的指状件116填充、覆盖或封闭间隙或空隙118(如图4和图5中所示)。因此，框架的指状件或突片116可以因此抑制(例如，防止、减少等)经由罩108的间隙或空隙118的emi泄漏。

指状件或突片116还可以构造成用于电接触罩108的一部分(例如，内表面、底面等)。例如，框架的指状件或突片116可以足够长，使得指状件116的自由端部分或末端117电接触由罩108的顶部126限定的底面或内表面122。另外或另选地，框架的指状件或突片116可以构造成(例如，尺寸、形状、位置等设计成)电接触罩的限定了间隙或空隙118的侧壁部分120，间隙或空隙118被框架的指状件或突片116覆盖。

框架的指状件或突片116的自由端部分或末端117可以构造成(例如，弯曲、折叠、形成、成形等)用于与罩108更好地电接触。或者，例如，指状件或突片116的自由端部分或末端117可以包括凹坑或其它特征，其限定用于更好地引导覆盖的凸轮表面。

继续参考图2，框架104包括檐、凸缘、边缘或唇缘124，檐、凸缘、边缘或唇缘124从由框架的侧壁128限定的周边向内延伸和/或沿着该周边延伸。檐124可以限定框架104的敞开顶部或开口130。在所示的实施方式中，框架的指状件或突片116可以从框架104的檐124整体形成。指状件或突片116可以竖直直立和/或大致平行于框架的侧壁128。指状件或突片116可以大致垂直于框架的向内延伸的檐、凸缘、边缘或唇缘124的顶表面。

框架104可以构造成用于大致围绕基板上的一个或多个部件安装至基板(例如，印刷电路板(pcb)等)，使得一个或多个部件在板级屏蔽100下方和/或在由框架104和罩108协作限定的内部或屏蔽外壳内。当板级屏蔽100安装(例如，焊接等)在基板上时，板级屏蔽100可操作用于屏蔽由框架104和罩108协作限定的内部或屏蔽外壳内的一个或多个部件。

在该示例性实施方式中，框架104可以由可焊接材料(例如，1/2硬770镍银、其它可焊接材料等)制成，使得框架104可焊接至pcb焊盘112。框架104包括沿着框架104的下边缘部分的安装脚140(图2)。安装脚140可以形成有城堡形结构(例如，具有交替的凹口和凸起的结构等)。安装脚140提供用于将框架104焊接至pcb焊盘112的区域。相邻的安装脚140对之间的凹口或开口144允许焊料围绕安装脚140流动，以将框架104固定至pcb焊盘112。在其它实施方式中，安装脚140可以装配在基板中的相应开口中，以将框架104固定至基板。在其它实施方式中，框架可以不包括沿其下边缘部分的任何间隔开的安装脚。相反，框架可以包括侧壁，每个侧壁均具有大致连续的下边缘部分。此外，除焊接之外的另选手段也可以用于将屏蔽固定至基板，例如粘合剂、机械紧固件等。

在该示例性实施方式中，罩108构造成可以可释放地附接至框架104，可从框架104拆卸并且可重新附接至框架104，使得罩108可例如在再加工之后等重复使用。例如，在框架104沿着pcb焊接至焊盘112之后，罩108可以可释放地附接至框架104。如果需要再加工和/或接入其它pcb部件，则可以拆卸罩108并将其从框架104移除，允许经由框架104的敞开顶部130进行再加工和接入pcb部件。在完成再加工和/或接入pcb部件之后，可以重复使用相同的罩108并将其重新附接至框架104。

罩108可以经由凹坑148和开口152可释放地附接至框架104，开口152构造成接合地接纳凹坑148。在该示例性实施方式中，罩的侧壁120包括向内延伸的凹坑或突起148(广义上，滞留构件或接合构件)。框架的侧壁128包括构造成用于接合地接纳罩108的凹坑132的孔152(广义上，开口)，从而可释放地将罩108附接至框架104。罩108还包括与框架的侧壁128的表面接触的凹坑156，从而提供额外的电接触以及罩108与框架104的更牢固的机械附接。另选实施方式可以代替凹坑和孔或者除了凹坑和孔之外包括用于将罩可释放地附接至框架的其它合适的装置或附接机构。

罩108可以是手动移除的，例如通过使用工具(例如，塑料垫片等)等。另外或另选地，罩108可以构造成是经由至少自动化过程(例如，无需人工干预等)可移除的，例如通过使用合适的拾放设备(例如，夹具、气动头、真空拾放头、吸盘拾放头等)。

罩的凹坑148、156的下表面可以包括凸轮表面或可作为凸轮表面操作。当罩108相对于框架104可滑动地向下移动到框架104上时，凸轮表面可以接触框架104的檐124。该接触引起罩的侧壁部分或突片120向外挠曲或向内移动，该侧壁部分或突片120之间可以具有槽缝、间隙或开口以增加柔韧性。罩的侧壁部分120的向外移动允许罩的凹坑148沿着框架的侧壁部分128滑动，直到凹坑148与框架的侧壁部分128中的孔152对准。然后，罩的侧壁部分120可以向内弹性地移动、挠曲或弹回，从而罩的凹坑148摩擦地接合在框架的孔152内。

bls100可以与表面安装技术(smt)兼容。例如，框架104可以包括一个或多个拾取构件160(和/或电触点)，其允许框架104经由合适的拾放设备(例如，夹具、气动头、真空拾放头、吸盘拾放头等)拾取并放置在pcb焊盘112上。

框架的拾取构件160可以从框架104的檐124向内延伸。框架的拾取构件160可以构造成限定用于吸收器114的平台或其它支撑表面(图3)。框架的拾取构件160可以构造成(例如，形状、尺寸、位置等设计成)当罩108可释放地附接至框架104时支撑吸收器114和/或电接触罩108的内表面或底面。罩的底面可以接触吸收器114，罩的底面进而可以压缩吸收器114和/或使框架的拾取构件160向下挠曲或被压缩。框架的拾取构件160可以是弹性挠曲的，使得框架的拾取构件160的弹性性质将拾取构件160偏压成返回至其初始位置。这进而可以帮助确保拾取构件160维持与吸收器114和/或罩108的底面的良好接触，和/或还有助于维持罩108和框架104之间的良好的持续锁定附接。例如，向下挠曲或压缩的框架拾取构件160可以向吸收器114和/或罩108的底面施加向上的压力，这可以有助于抑制罩108的咔哒声或振动，和/或即使罩108包括在其间具有间隙的侧壁部分120(例如，各个指状件等)也可以有助于提供罩108与框架104的大致持续锁定。

框架104可以由单块导电材料(例如，单块材料坯料等)形成，使得框架104(例如，指状件或突片116、侧壁120、檐124、拾取构件160等)具有整合的、整体式单件结构。例如，框架104的平坦轮廓图案及其部分(例如，指状件或突片116、侧壁120、檐124，拾取构件160等)可以被冲压到一块材料中。框架的侧壁128可以被形成、弯曲、拉伸、成形、折叠等而成。框架的指状件或突片116可以被形成、弯曲、摩擦闭合(wipe)等而成。即使在该实施例中框架104可以由同一块材料基本上同时地整体地形成(例如，冲压和弯曲/折叠/拉伸等)，这不是对所有实施方式都是必需的。

罩108可以由单块导电材料(例如，单块材料坯料等)形成，使得罩108具有整合的、整体式单件结构。例如，罩108的平坦轮廓图案及其部分(例如，侧壁120、凹坑148、156等)可以冲压到一块材料中。然后，罩的侧壁120可以形成、弯曲、拉伸、成形，折叠等而成。即使在该实施例中罩108可以由同一块材料基本上同时整体形成(例如，冲压和弯曲/折叠/拉伸等)，这不是对所有实施方式都是必需的。

图3中所示的吸收器114可以包括来自laird的emi吸收器或微波吸收器，例如eccosorb材料(例如，gds/ss6m、bsr-ss6m、jcs9/ss6m等)等。吸收器114可以包括压敏粘合剂(psa)胶带，用于沿着罩108的内侧粘附吸收器114。

吸收器114可以包括gds高损耗、薄的弹性微波吸收器，其是相对薄的、柔韧的、高损耗的、磁性负载的、不导电的硅橡胶片。吸收器114可以设计成用于6ghz及以上的频率范围。吸收器114可以是不透水的，并且能够经受高海拔而没有或没有明显的副作用。吸收器114可以是基于硅树脂的吸收器，其具有用于空间应用的低除气性能。然而，另选实施方式可以包括用于吸收器114的不同材料。其它实施方式可以包括没有任何吸收器114的板级屏蔽。

图10根据示例性实施方式示出了制作具有指状件或突片116(广义上，部分或触点)的框架104的示例性方法240，指状件或突片116构造成填充、覆盖或封闭罩的侧壁120中的间隙或空隙118和/或用于电接触罩108的一部分(例如，内表面、底面等)。在步骤、操作或过程244中，将用于指状件或突片116的两个槽缝132切割或冲压到导电材料134块或坯料中，框架104将由该块材料或坯料制成。

在步骤、操作或过程248中，将冲压材料134拉伸或以其它方式形成框架104的形状。在步骤、操作或过程252中，形成开口136使得指状件或突片116的端部117独立于槽缝132被切割或修剪。开口136在槽缝132之间延伸，使得指状件或突片116的端部117由开口136和槽缝132协作限定。

在步骤、操作或过程256中，指状件或突片116相对于框架104的槽缝132和拉伸的檐124移动(例如，摩擦闭合、折叠、弯曲等)。指状件或突片116可以竖直直立和/或大致平行于框架的侧壁128。指状件或突片116可以大致垂直于框架104的拉伸的檐124的顶表面并且在其上方向上延伸。

在步骤、操作或过程260中，指状件或突片116的端部117可以构造成、重新形成、重新成形成等，以与罩108的一部分(例如，内表面、底面等)进行更好地电接触和/或用于更好地引导覆盖。例如，指状件或突片116的端部117可以弯曲或折叠(例如，大致垂直和/或水平等)，以便与罩108的底面或内表面更好地电接触。或者，例如，指状件或突片116的端部可以设置有凹坑或其它限定凸轮表面的特征，以便更好地引导覆盖。

可以使用各种导电材料来形成本文中公开的框架(例如，框架104等)。例如，框架可以由可焊材料(例如，1/2硬770镍银等)、镀镍铝合金、镀锡铝合金、冷轧钢、镍-银合金、铜-镍合金、不锈钢、镀锡冷轧钢、镀锡铜合金、碳钢、黄铜、铜、铝、铜铍合金、磷青铜、钢、它们的合金、涂有导电材料的塑料材料或任何其它合适的导电和/或磁性材料制成。本申请中公开的材料仅出于说明的目的而提供，因为可以根据例如具体应用使用不同的材料。

可以使用各种导电材料来形成本文种公开的罩(例如，罩108等)，例如镀镍铝合金、镀锡铝合金、冷轧钢、镍-银合金、铜镍合金、不锈钢、镀锡冷轧钢、镀锡铜合金、碳钢、黄铜、铜、铝、铜铍合金、磷青铜、钢、它们的合金、涂有塑料的塑料导电材料或任何其它合适的导电和/或磁性材料。本申请中公开的材料仅出于说明的目的而提供，本申请中公开的材料仅出于说明的目的而提供，因为可以根据例如具体应用使用不同的材料。

在示例性实施方式中，热界面材料可以与本文中公开的板级屏蔽一起施用和/或一起使用。示例性热界面材料包括热间隙填料、热相变材料、导热emi吸收剂或混合热/emi吸收剂、热油脂、热膏、热油灰、可分配的热界面材料、热垫等。

提供示例实施方式旨在使本公开将彻底并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。阐述许多具体细节(例如，特定部件、装置和方法的示例)以提供对本公开的实施方式的彻底理解。对于本领域技术人员而言将显而易见的是，无需采用所述具体细节，示例性实施方式可以按照许多不同的形式实施，不应被解释为限制本公开的范围。在一些示例实施方式中，没有详细描述公知的处理、装置结构和技术。另外，通过本公开的一个或更多个示例性实施方式可以实现的优点和改进仅为了说明而提供，并不限制本公开的范围，因为本文公开的示例性实施方式可提供所有上述优点和改进或不提供上述优点和改进，而仍落入本公开的范围内。

本文公开的具体尺寸、具体材料和/或具体形状本质上是示例性的，并不限制本公开的范围。本文针对给定参数的特定值和特定值范围的公开不排除本文公开的一个或更多个示例中可能有用的其它值或值范围。而且，可预见，本文所述的具体参数的任何两个具体的值均可限定可适于给定参数的值范围的端点(即，对于给定参数的第一值和第二值的公开可被解释为公开了也能被用于给定参数的第一值到第二值之间的任何值)。例如，如果本文中参数x被举例为具有值a，并且还被举例为具有值z，则可预见，参数x可具有从大约a至大约z的值范围。类似地，可预见，参数的两个或更多个值范围的公开(无论这些范围是否嵌套、交叠或截然不同)包含利用所公开的范围的端点可要求保护的值范围的所有可能组合。例如，如果本文中参数x被举例为具有1-10或2-9或3-8的范围中的值，也可预见，参数x可具有包括1-9、1-8、1-3、1-2、2-10、2-8、2-3、3-10和3-9在内的其它值范围。

本文使用的术语仅是用来描述特定的示例实施方式，并非旨在进行限制。如本文所用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式的描述可旨在包括复数形式。术语“包括”、“包含”和“具有”仅指含有，因此表明存在所述的特征、要件、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除存在或增加一个或更多个其它特征、要件、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。本文描述的方法步骤、处理和操作不一定要按照本文所讨论或示出的特定顺序执行，除非具体指明执行顺序。还将理解的是，可采用附加的或另选的步骤。

当元件或层被称为“在……上”、“接合到”、“连接到”、或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、或直接接合、连接或耦接到所述另一元件或层，或者也可存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“直接接合到”、“直接连接到”、或“直接耦接到”另一元件或层时，可不存在中间元件或层。用于描述元件之间的关系的其它词语也应按此解释(例如，“之间”与“直接在……之间”、“相邻”与“直接相邻”)等。如本文所用，术语“和/或”包括任何一个或更多个相关条目及其所有组合。

术语“大约”在应用于值时表示计算或测量允许值的一些微小的不精确性(值接近精确；大约近似或合理近似；差不多)。如果因为一些原因，由“大约”提供的不精确性在本领域中不以别的方式以普通意义来理解，那么如本文所用的“大约”表示可能由普通测量方法引起或利用这些参数引起的至少变量。例如，术语“大致”、“大约”和“基本上”在本文中可用来表示在制造公差内。无论是否由术语“大约”修饰，权利要求包括量的等值。

尽管本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语可仅用来区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一区域、层或部分。除非上下文清楚指示，否则本文所使用的诸如“第一”、“第二”以及其它数字术语的术语不暗示次序或顺序。因此，在不脱离示例实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分也可称为第二元件、部件、区域、层或部分。

为了易于描述，本文可能使用空间相对术语如“内”、“外”、“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上”等来描述图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了图中描述的取向之外，空间相对术语可旨在涵盖设备在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的设备翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将被取向为在所述其它元件或特征“上面”。因此，示例术语“下方”可涵盖上方和下方两个取向。设备也可另行取向(旋转90度或其它取向)，那么本文所使用的空间相对描述也要相应解释。

提供以上描述的实施方式是为了说明和描述。其并非旨在穷尽或限制本公开。特定实施方式的各个元件、旨在或所述的用途、或特征通常不限于该特定实施方式，而是在适用的情况下可以互换，并且可用在选定的实施方式中(即使没有具体示出或描述)。这些实施方式还可以按照许多方式变化。这些变化不应视作脱离本公开，所有这些修改均旨在被包括在本公开的范围内。