偏置电路、放大装置以及功率放大电路的制作方法

本申请要求于2019年4月18日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0045557号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

以下描述涉及一种具有双重补偿功能的偏置电路和放大装置。

背景技术：

通常，无线通信系统包括用于放大发送的信号的放大装置。为了满足对无线通信系统的多媒体服务的扩散和高速通信功能的需求，针对技术的不断发展以及宽带特性和非线性特性的改善的研究正在继续进行。

在放大装置中，诸如异质结双极晶体管(hbt)的功率放大器的线性度和偏置电平具有强相关性。通常，当功率晶体管偏置到高电平时，它具有优异的线性性能。

然而，当放大装置在高温下操作时，基极与发射极(基极-发射极)之间的pn结的导通电压vth由于hbt的器件的温度特性而下降。在这种情况下，基极偏置电平也变低。

因此，由于基极偏置电平在高温操作期间下降，所以可能会存在功率放大器的线性度劣化的问题。为了克服这样的问题，已经提出了一种解决方案，在所述解决方案中，当放大器在高温下操作时，使用用于增大外部偏置电流的与绝对温度成比例(ptat)偏置。然而，在这样的方法中，可能存在技术困难(诸如，准确地感测hbt功率晶体管的温度)，并且另外需要外部电路来实现这一点，因此包括在放大装置中的电路可能变得更复杂。

技术实现要素：

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述选择的构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

提供一种双重补偿偏置电路和一种放大装置，所述双重补偿偏置电路和所述放大装置能够使用反映环境温度变化的双重温度补偿功能有效地补偿电流偏置电路中的可根据环境温度而变化的基极偏置电流。

在一个总体方面，一种偏置电路包括：电流产生电路，基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；第一温度补偿电路，基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，以将所述第一基极偏置电流输出到放大电路的基极节点；以及第二温度补偿电路，基于所述第二补偿电流产生第二基极偏置电流，以将所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点。

在另一总体方面，一种放大装置包括：放大电路，具有放大晶体管；以及偏置电路，产生补偿温度的基极偏置电流，以将所述基极偏置电流输出到所述放大电路的基极节点，并且所述偏置电路包括：电流产生电路，基于参考电流产生反映环境温度变化的第一补偿电流和第二补偿电流；第一温度补偿电路，基于所述第一补偿电流产生第一基极偏置电流，以将所述第一基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点；以及第二温度补偿电路，基于所述第二补偿电流产生第二基极偏置电流，以将所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的所述基极节点。

所述电流产生电路可包括：第一电阻器，具有连接到所述参考电流的端子的第一端；第二电阻器，具有连接到所述第一电阻器的第二端的第一端；以及温度补偿晶体管，连接在所述第二电阻器的第二端与地之间，并且连接到所述放大电路的放大晶体管，同时具有电流镜结构。

所述电流产生电路可在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的第一连接节点处输出所述第一补偿电流，并且可在所述第二电阻器与所述温度补偿晶体管的集电极之间的第二连接节点处输出所述第二补偿电流。

所述温度补偿晶体管可具有与所述放大晶体管的温度特性相同的温度特性。

所述第一温度补偿电路可包括：第一补偿晶体管，具有连接到所述第一连接节点的基极、连接到电源电压的端子的集电极以及连接到所述放大电路的所述基极节点的发射极。

所述第一补偿晶体管可放大输入到所述基极的所述第一补偿电流，以将所述第一基极偏置电流通过所述发射极输出到所述放大电路的所述基极节点。

所述第二温度补偿电路可包括：第二补偿晶体管，具有连接到所述第二连接节点的基极、连接到所述第一补偿晶体管的所述集电极的集电极以及连接到所述放大电路的所述基极节点的发射极。

所述第二补偿晶体管可放大输入到所述第二补偿晶体管的所述基极的所述第二补偿电流，以将所述第二基极偏置电流通过所述第二补偿晶体管的所述发射极输出到所述放大电路的所述基极节点。

一种三级功率放大电路可包括：第一功率放大电路；第二功率放大电路；以及包括所述偏置电路的第三功率放大电路。

在另一总体方面，一种功率放大电路包括：放大电路，包括第一晶体管；以及偏置电路，包括作为所述第一晶体管的电流镜的第二晶体管，并且基于环境温度的变化产生第一基极偏置电流和第二基极偏置电流并将所述第一基极偏置电流和所述第二基极偏置电流输出到所述放大电路的基极节点，所述第二晶体管的基极连接到所述基极节点。

所述偏置电路可包括用于产生所述第一基极偏置电流的第三晶体管以及用于产生所述第二基极偏置电流的第四晶体管。

所述功率放大电路可包括连接在所述第二晶体管的所述基极与所述基极节点之间的电阻器。

通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其它特征和方面将是显而易见的。

附图说明

图1是根据示例的放大装置的示图。

图2是根据示例的双重补偿偏置电路和放大电路的示图。

图3是根据示例的双重补偿偏置电路和放大电路的示图。

图4是应用根据示例的放大装置的示图。

图5是示出第一内部电流特性和第二内部电流特性的曲线图。

图6是示出第一补偿电流特性和第二补偿电流特性的曲线图。

图7是示出温度-静态电流特性的曲线图。

图8a和图8b是示出根据温度变化的输出功率-增益特性的曲线图。

图9a和图9b是示出根据温度变化的输出功率-am-am失真特性的曲线图。

图10a和图10b是示出根据温度变化的输出功率-am-pm失真特性的曲线图。

图11a和图11b是示出根据温度变化的输出功率-aclr特性的曲线图。

在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物对于本领域普通技术人员而言将是显而易见的。在此所描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此所阐述的操作的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出对于本领域普通技术人员将显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域普通技术人员所公知的功能和结构的描述。

在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此所描述的示例。更确切地说，已经提供了在此所描述的示例以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域普通技术人员传达本公开的全部范围。

这里，应注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括什么或实现什么)意味着存在至少一个包括或实现这样的特征的示例或实施例，而所有示例和实施例不限于此。

在整个说明书中，当元件(诸如，层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件。

如在此所使用的，术语“和/或”包括相关的所列项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合。

尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语所限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此所描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间关系术语，以描述如附图所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间关系术语意在除了在附图中所描绘的方位之外，还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件在“上方”或“上面”的元件随后将相对于另一元件在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位而包括“上方”和“下方”两种方位。所述装置还可以以其它方式定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，并且将对在此使用的空间关系术语做出相应的解释。

在此使用的术语仅用于描述各种示例，并非用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数的形式也意在包括复数的形式。术语“包括”、“包含”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间出现的形状上的改变。

在此描述的示例的特征可以以在理解本申请的公开内容之后将显而易见的各种方式组合。此外，尽管在此描述的示例具有多种配置，但在理解本申请的公开内容之后将显而易见的其它配置也是可行的。

图1是根据示例的放大装置的示图。

参照图1，放大装置可包括控制电路10和功率放大电路20。

控制电路10可包括参考电流电路50。参考电流电路50可产生参考电流iref，并且参考电流iref可被输出到功率放大电路20。

功率放大电路20可包括放大电路100和双重补偿偏置电路200。

图2是根据示例的双重补偿偏置电路和放大电路的示图，图3是根据示例的双重补偿偏置电路和放大电路的示图。

参照图2和图3，双重补偿偏置电路200可包括电流产生电路210、第一温度补偿电路220和第二温度补偿电路230。

电流产生电路210可基于参考电流iref产生反映环境温度变化的第一补偿电流i1和第二补偿电流i2。

第一温度补偿电路220可放大第一补偿电流i1，第一补偿电流i1被输入以产生第一基极偏置电流ib1，并且将第一基极偏置电流ib1输出到放大电路100的基极节点nb。

第二温度补偿电路230可放大第二补偿电流i2，第二补偿电流i2被输入以产生第二基极偏置电流ib2，并且将第二基极偏置电流ib2输出到放大电路100的基极节点nb。

放大电路100可包括接收通过将第一基极偏置电流ib1和第二基极偏置电流ib2相加而获得的基极偏置电流'ib1+ib2'的放大晶体管m1。

例如，参照图2和图3，电流产生电路210可包括第一电阻器r11、第二电阻器r12和温度补偿晶体管m10。

第一电阻器r11可包括连接到参考电流iref的端子的一端以及连接到第二电阻器r12的一端的另一端。

第二电阻器r12可包括连接到第一电阻器r11的所述另一端的一端以及连接到温度补偿晶体管m10的集电极的另一端。

温度补偿晶体管m10可包括连接到第二电阻器r12的所述另一端的集电极、连接到地的发射极以及通过电阻器rb1和电阻器rb2连接到放大晶体管m1的基极的基极。温度补偿晶体管m10可连接到放大电路100的放大晶体管m1，同时具有电流镜结构。

因此，与流过放大晶体管m1的电流对应的电流可流过温度补偿晶体管m10。例如，当流过放大晶体管m1的电流根据环境温度变化而增大时，流过温度补偿晶体管m10的电流可增大。另一方面，当流过放大晶体管m1的电流减小时，流过温度补偿晶体管m10的电流可减小。

电流产生电路210在第一电阻器r11与第二电阻器r12之间的第一连接节点n1处输出第一补偿电流i1，并且可在第二电阻器r12与温度补偿晶体管m10的集电极之间的第二连接节点n2处输出第二补偿电流i2。

温度补偿晶体管m10可以是与放大晶体管m1相同类型的晶体管(例如，双极结型晶体管(bjt)或异质结双极晶体管(hbt))，使得温度补偿晶体管m10具有与放大晶体管m1的温度特性相同的温度特性。

在放大晶体管m1和温度补偿晶体管m10中，根据环境温度变化，基极与发射极(基极-发射极)之间的p-n结的导通电压vth(或阈值电压)可由于晶体管(例如，异质结双极晶体管(hbt)或双极结型晶体管(bjt))的温度特性而改变。

例如，当环境温度升高到高温时，放大晶体管m1和温度补偿晶体管m10的导通电压vth(或阈值电压)减小，偏置点减小，导通电压和基极-发射极电压vbe减小，并且基极偏置电流也减小。因此，当在放大晶体管m1中流动的电流减小时，流过温度补偿晶体管m10的电流可减小。

另一方面，当环境温度下降到低温时，放大晶体管m1和温度补偿晶体管m10的导通电压vth(或阈值电压)增大，偏置点增大，导通电压和基极-发射极电压vbe增大，并且基极偏置电流也增大。因此，当在放大晶体管m1中流动的电流增大时，流过温度补偿晶体管m10的电流可增大。

例如，第一温度补偿电路220可包括第一补偿晶体管m20。第一补偿晶体管m20可包括连接到第一电阻器r11与第二电阻器r12之间的第一连接节点n1的基极、连接到电源电压vbat的端子的集电极以及连接到放大电路100的基极节点nb的发射极。

第一补偿晶体管m20可放大输入到基极的第一补偿电流i1，以通过发射极将第一基极偏置电流ib1输出到放大电路100的基极节点nb。

作为示例，当环境温度下降到低温时，第一补偿电流i1减小，因此第一基极偏置电流ib1也减小。可选地，当环境温度升高到高温时，第一补偿电流i1增大，因此第一基极偏置电流ib1也增大。

例如，第二温度补偿电路230可包括第二补偿晶体管m30。第二补偿晶体管m30可包括连接到第二电阻器r12与温度补偿晶体管m10的集电极之间的第二连接节点n2的基极、连接到第一补偿晶体管m20的集电极的集电极以及连接到放大电路100的基极节点nb的发射极。

第二补偿晶体管m30可放大输入到基极的第二补偿电流i2，以通过发射极将第二基极偏置电流ib2输出到放大电路100的基极节点nb。

作为示例，当环境温度下降到低温时，第二补偿电流i2减小，因此第二基极偏置电流ib2也减小。可选地，当环境温度升高到高温时，第二补偿电流i2增大，因此第二基极偏置电流ib2也增大。

为了执行双重补偿功能，包括第一温度补偿电路220和第二温度补偿电路230。因此，在放大电路100的基极节点nb处，来自第一温度补偿电路220的第一基极偏置电流ib1和来自第二温度补偿电路230的第二基极偏置电流ib2相加，因而可改善温度补偿功能。

参照图3，电流产生电路210还可包括连接在第一电阻器r11与第二电阻器r12之间的第一连接节点n1与地之间的电容器c11以及连接在温度补偿晶体管m10的基极与地之间的电容器c10。

电容器c11可稳定第一连接节点n1与地之间的电压以及第二连接节点n2与地之间的电压。电容器c10可稳定温度补偿晶体管m10的基极电压。

此外，在放大晶体管m1的集电极与电源电压vcc的端子之间，可连接线圈l10以阻挡电源电压的噪声。

将进一步描述上述温度补偿操作。

参照图2和图3，参考电流iref可在第一连接节点n1处分成第一补偿电流i1和第一内部电流i11。第一内部电流i11可在第二连接节点n2处分成第二补偿电流i2和第二内部电流i21。

例如，当放大晶体管m1和温度补偿晶体管m10是具有相同温度特性的晶体管(bjt或hbt)并且环境温度下降或升高时，放大晶体管m1和温度补偿晶体管m10中的每个的阈值电压vth由于晶体管特性而增大或减小，因而放大晶体管m1的集电极-发射极电流也增大或减小。在这种情况下，需要补偿放大晶体管m1的集电极-发射极电流。

作为示例，当环境温度下降时，放大晶体管m1和温度补偿晶体管m10中的每个的阈值电压vth由于晶体管特性而增大，因此放大晶体管m1和温度补偿晶体管m10中的每个的集电极-发射极电流也增大。在这种情况下，当参考电流iref恒定时，第一内部电流i11和流过温度补偿晶体管m10的第二内部电流i21增大。

因此，第一补偿电流i1和第二补偿电流i2减小，基于第一补偿电流i1而产生的第一基极偏置电流ib1减小，并且基于第二补偿电流i2而产生的第二基极偏置电流ib2也减小。因此，第一基极偏置电流ib1和第二基极偏置电流ib2由于放大晶体管m1的集电极-发射极电流的增大而减小，因而可补偿基极偏置电流的增大。

作为另一示例，当环境温度升高时，放大晶体管m1和温度补偿晶体管m10中的每个的阈值电压vth由于晶体管特性而减小，因此放大晶体管m1和温度补偿晶体管m10中的每个的集电极-发射极电流也减小。在这种情况下，当参考电流iref恒定时，第一内部电流i11和流过温度补偿晶体管m10的第二内部电流i21减小。

因此，第一补偿电流i1和第二补偿电流i2增大，基于第一补偿电流i1而产生的第一基极偏置电流ib1增大，并且基于第二补偿电流i2而产生的第二基极偏置电流ib2也增大。因此，第一基极偏置电流ib1和第二基极偏置电流ib2由于放大晶体管m1的集电极-发射极电流的减小而增大，因而可补偿基极偏置电流的减小。

图4是应用根据示例的放大装置的示图。

参照图4，放大装置可应用于具有三个功率放大电路(诸如，第一功率放大电路1100、第二功率放大电路1200和第三功率放大电路1300)的三级功率放大电路1000。

上述双重补偿偏置电路200可应用于第一功率放大电路1100、第二功率放大电路1200和第三功率放大电路1300中的至少一个。

在图4中，示出了将双重补偿偏置电路200应用于三级功率放大电路的第一功率放大电路1100、第二功率放大电路1200和第三功率放大电路1300中的第三功率放大电路1300(对根据温度的性能变化有主要影响的最后级)的示例。

第一功率放大电路1100可包括第一偏置电路和第一放大电路a1，而第二功率放大电路1200可包括第二偏置电路和第二放大电路a2。

第三功率放大电路1300可包括双重补偿偏置电路200和第三放大电路a3(诸如，上述放大电路100)。

图5是示出第一内部电流特性和第二内部电流特性的曲线图，图6是示出第一补偿电流特性和第二补偿电流特性的曲线图。

在图5中，gi11是第一内部电流i11的根据温度变化的曲线图，gi21是第二内部电流i21的根据温度变化的曲线图。

参照图5中所示的gi11和gi21，当温度下降时，第一内部电流i11和第二内部电流i21中的每个增大。另一方面，当温度升高时，第一内部电流i11和第二内部电流i21中的每个减小。

在图6中，gi1是第一补偿电流i1的根据温度变化的曲线图，而gi2是第二补偿电流i2的根据温度变化的曲线图。

参照图5中所示的gi11和gi21以及图6中所示的gi1和gi2，当温度下降时，在参考电流iref恒定的情况下，第一内部电流i11和第二内部电流i21中的每个增大，因而第一补偿电流i1和第二补偿电流i2中的每个减小。此外，当温度升高时，在参考电流iref恒定的情况下，第一内部电流i11和第二内部电流i21中的每个减小，因而第一补偿电流i1和第二补偿电流i2中的每个增大。

图7是示出温度-静态电流特性的曲线图。

图7的曲线图是示出根据当将根据示例的偏置电路应用于图4的三级功率放大电路1000的第一功率放大电路1100、第二功率放大电路1200和第三功率放大电路1300中的第三功率放大电路1300(最后级)时的根据温度的静态电流的仿真结果的温度-静态电流的特性的曲线图。

图7中所示的g11是根据现有技术的偏置电路的温度-静态电流特性的曲线图，而g12是根据在此描述的示例的偏置电路的温度-静态电流特性的曲线图。

图7的g11和g12是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的3个点处的仿真结果。这里，参照g11和g12，当应用根据现有技术的偏置电路时，根据温度的静态电流的偏差高达32ma(62ma至94ma)的水平。然而，当应用包括根据在此描述的示例的温度补偿电路的偏置电路时，根据温度的静态电流的偏差减小达到9ma(72ma至81ma)，其减小到先前水平的约三分之一。因此，根据在此描述的示例，证实了可减小根据温度的偏置点的偏差。

图8a是根据现有技术的偏置电路的根据温度变化的输出功率-增益特性的曲线图，而图8b是根据在此描述的示例的偏置电路的根据温度变化的输出功率-增益特性的曲线图。

图8a的相应的g21、g22和g23是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的相应的3个点处的根据现有技术的偏置电路的根据温度变化的输出功率-增益特性的曲线图。图8b的相应的g31、g32和g33是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的相应的3个点处的根据在此描述的示例的偏置电路的根据温度变化的输出功率-增益特性的曲线图。

参照图8a的g21、g22和g23，当应用根据现有技术的偏置电路时，根据温度变化的输出功率增益的偏差高达2.6db的水平。然而，参照图8b的g31、g32和g33，当应用具有根据在此描述的示例的温度补偿电路的偏置电路时，偏差减小达到1.8db。

图9a和图9b是示出根据温度变化的输出功率-am-am失真特性的曲线图。

图9a是根据现有技术的偏置电路的根据温度变化的输出功率-am-am失真特性的曲线图，而图9b是根据在此描述的示例的偏置电路的根据温度变化的输出功率-am-am失真特性的曲线图。

图9a的相应的g41、g42和g43是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的相应的3个点处的根据现有技术的偏置电路的根据温度变化的输出功率-am-am失真特性的曲线图。图9b的相应的g51、g52和g53是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的相应的3个点处的根据在此描述的示例的偏置电路的根据温度变化的输出功率-am-am失真特性的曲线图。

参照图9a的g41、g42和g43，当应用根据现有技术的偏置电路时，根据温度变化的输出功率-am-am失真的偏差高达0.7db的水平。参照图9b的g51、g52和g53，当应用根据在此描述的示例的偏置电路时，根据温度变化的输出功率-am-am失真的偏差减小达到0.3db。

图10a和图10b是示出根据温度变化的输出功率-am-pm失真特性的曲线图。

图10a是根据现有技术的偏置电路的根据温度变化的输出功率-am-pm失真特性的曲线图，而图10b是根据在此描述的示例的偏置电路的根据温度变化的输出功率-am-pm失真特性的曲线图。

图10a的相应的g61、g62和g63是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的相应的3个点处的根据现有技术的偏置电路的根据温度变化的输出功率-am-pm失真特性的曲线图。图10b的相应的g71、g72和g73是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的相应的3个点处的根据在此描述的示例的偏置电路的根据温度变化的输出功率-am-pm失真特性的曲线图。

参照图10a的g61、g62和g63，当应用根据现有技术的偏置电路时，根据温度变化的输出功率-am-pm失真的偏差达3度的水平(基于30dbm处的输出功率-am-pm失真)。参照图10b的g71、g72和g73，当应用根据在此描述的示例的偏置电路时，根据温度变化的输出功率-am-pm失真的偏差减小到大约0.5度(基于30dbm处的输出功率-am-pm失真)。

图11a和图11b是示出根据温度变化的输出功率-相邻信道泄漏比(aclr)特性的曲线图。

图11a是根据现有技术的偏置电路的根据温度变化的输出功率-aclr特性的曲线图，而图11b是根据在此描述的示例的偏置电路的根据温度变化的输出功率-aclr特性的曲线图。

图11a的相应的g81、g82和g83是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的相应的3个点处的根据现有技术的偏置电路的根据温度变化的输出功率-aclr特性的曲线图。图11b的相应的g91、g92和g93是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的相应的3个点处的根据在此描述的示例的偏置电路的根据温度变化的输出功率-aclr特性的曲线图。

参照图11a的g81、g82和g83，当应用根据现有技术的偏置电路时，根据温度变化的输出功率-aclr性能为最大5.5db。参照图11b的g91、g92和g93，当应用根据在此描述的示例的偏置电路时，根据温度变化的输出功率-aclr性能可改善至2.5db。这里，证实了可降低线性度的劣化的程度。

根据在此描述的示例的放大装置的控制电路可实现为计算环境，在所述计算环境中，处理器(例如，中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、微处理器、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)等)、存储器(例如，易失性存储器(例如，ram等)、非易失性存储器(例如，rom、闪存)等)、输入装置(例如，键盘、鼠标、笔、语音输入装置、触摸输入装置、红外相机、视频输入装置等)、输出装置(例如，显示器、扬声器、打印机等)和通信接入装置(例如，调制解调器、网络接口卡(nic)、集成网络接口、射频发送器/接收器、红外端口、usb连接装置等)彼此互连(例如，外围组件互连(pci)、usb、固件(ieee1394)、光学总线结构、网络等)。

所述计算环境可实现为分布式计算环境，该分布式计算环境包括个人计算机、服务器计算机、手持或膝上型装置、移动装置(移动电话、pda、媒体播放器等)、多处理器系统、消费类电子产品、小型计算机、大型计算机或上述系统或装置，但不限于此。

在电流偏置电路中，反映环境温度变化的双重温度补偿功能用于有效地补偿基极偏置电流(基极偏置电流可根据环境温度而变化)并且改善性能偏差(诸如，根据温度变化的增益偏差、am-am失真的偏差、线性度的偏差等)。

虽然本公开包括特定的示例，但是对于本领域普通技术人员将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种改变。在此所描述的示例将仅被视为是描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件和/或用其它组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包含于本公开中。