一种IPD吸收式高通滤波器的制作方法

一种ipd吸收式高通滤波器
技术领域
[0001]
本发明涉及一种ipd吸收式高通滤波器，属于滤波器技术领域。


背景技术：

[0002]
常规的滤波器设计电路，是通过把不需要的信号反射回源，达到滤波的目的。在大部分应用中，反射回源的信号会对电路的性能造成很大的影响。例如，滤波器经常会用在混频器的前面和后面，而常规滤波器反射的阻带信号会在混频器中产生一些不必要的谐波；在高增益放大器电路中，反射回源的阻带信号可能会使放大器不稳定和振荡。设计接近或满足电路要求的滤波器，是一项巨大的挑战。


技术实现要素：

[0003]
本发明的目的在于克服现有滤波器存在的上述缺陷，提供了一种ipd吸收式高通滤波器，基于ipd工艺和新型电路拓扑结构形成，达到尺寸小和带外无反射的效果。
[0004]
本发明是采用以下的技术方案实现的：一种ipd吸收式高通滤波器，包括基体层和其上表面的金属层，金属层上形成有电路结构，电路结构包括高通通路单元和信号吸收单元，高通通路单元包括串联在输入端口和输出端口之间的第一电容，第一电容和输入端口之间连接有第一电感，第一电感连接有第一接地电容，第一电容和输出端口之间连接有第二电感，第二电感连接有第二接地电容，所述信号吸收单元为三个电阻形成的π型衰减器。
[0005]
进一步地，第一电容由两个子电容串联形成。
[0006]
进一步地，第一电感和第二电感采用平面螺旋结构。
[0007]
进一步地，第一电容、第一接地电容和第二接地电容均采用薄膜平行板电容。
[0008]
进一步地，信号吸收单元的电阻由82%ni和18%cr组成。
[0009]
进一步地，电阻通过磁控溅射共沉积方法获得精准电阻值。
[0010]
进一步地，第一电感的电感值与第二电感的电感值相等，所述第一接地电容的电容值与第二接地电容的电容值相等。
[0011]
进一步地，所述基体层为为砷化镓、氮化硅或硅。
[0012]
进一步地，高通通路单元和信号吸收单元可以作为子单元进行多级级联。
[0013]
本发明的有益效果是：（1）本发明的第一电容由两个子电容串联而成，通过电容串联的方式增大工艺的容差，增加电容的耐压值；（2）本发明通过信号吸收单元吸收阻带信号，阻止反射信号回信号源来实现滤波器的无反射特性，防止反射回源的信号对电路性能的影响；（3）本发明具有很好的可扩展性，可根据需求进行直接级联设计，通过牺牲插入损耗，提供更高的带外衰减；（4）本发明基于ipd工艺和新型电路拓扑结构形成，最终达到尺寸小和带外无反射的效
果。
附图说明
[0014]
图1为本发明的电路拓扑图；图2为本发明的内部结构示意图；图3为本发明的封装外壳结构示意图；图4为本发明的三维电路结构示意图；图5为本发明的s参数仿真结果图中标记：1封装外壳；11 输入端口；12输出端口。
具体实施方式
[0015]
下面结合附图对本发明作进一步说明。
[0016]
如图1所示，本实施例的吸收式高通滤波器包括基体层和大地层，基体层的上表面有金属层，金属层上形成有电路结构，电路结构包括高通通路单元和信号吸收单元，高通通路包含输入端、输出端、端口地、第一电容c1、第一电感l1、第二电感l2、第一接地电容c2、第二接地电容c3；其中输入端连接第一电容c1，第一电容c1另一端连接输出端，输入端和第一电容c1之间连接第一电感l1，第一电感l1另一端连接信号吸收单元，输出端和第一电容c1之间连接第二电感l2，第二电感l2另一端连接信号吸收单元，第一电感l1和信号吸收单元之间连接第一接地电容c2，第一接地电容c2另一端接地，第二电感l2和信号吸收单元之间连接第二接地电容c3，第二电容c3另一端接地；其中信号吸收单元包含电阻r1、电阻r2、电阻r3、端口地，其中三个电阻形成一个π型衰减器。
[0017]
如图2、图3、图4所示，本实施例的吸收式高通滤波器包括封装外壳1和ipd滤波器本体，封装外壳1可采用铝金属或者合金制备，该封装外壳1作为滤波器的安装底座，本实施案例的整体封装尺寸为(1.1mm
×
1.0mm
×
0.5mm)，封装外壳1的厚度为100um，在滤波器对应输入端口11和输出端口12作开口处理如图中11和12所示，从而实现滤波器输入端和输出端的引出，同时封装外壳1作为电路的接地端使用；ipd滤波器本体采用ipd硅工艺，通过光刻、金属沉积、干法刻蚀、高温氧化刻蚀等工序制备，等效电感采用平面螺旋结构；等效电容采用薄膜平行板电容；等效电阻采用82%ni和18%cr组成通过磁控溅射共沉积方法获得精准电阻值，ipd滤波器的尺寸为(0.9mm
×
0.8mm
×
0.25mm)。
[0018]
如图5所示，本实施例的吸收式高通滤波器3db截止频率为3.0ghz，4ghz~8ghz通带内插入损耗小于1.0db；dc~6ghz驻波小于15db；阻带内，在dc到1.5ghz范围内抑制大于20db。
[0019]
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。