专利名称：电平移动器的制作方法
技术领域：
本发明是关于把输入信号电平转换为另一电平的电平移动器。
通过使用设置为正的高电压PV和负的高电压MV的控制信号加到电源电压Vcc和地电压GND，一些快速电可擦可编程只读存储器(EEPROM)和其它半导体非易失存储器执行写操作或读操作。
为此，这样快速EEPROM等配置有电平移动器，用于转换电源电压电平或地电压电平为正高电压PV电平或负高电压MV电平和输出转换的信号。
一般而言，电平移动器是由转换控制信号为正高电压的单独电路和转换控制信号为负高压的电路或具有输入和输出交叉连接和传送门的锁存电路组成，该锁存电路通过传送门送输入信号到输入-输出端和然后提高锁存电路的供电电压。
然而，前者在尺寸上变大，而使用后者电路时，这就需要仅在正高压侧配置n-沟道金属绝缘半导体(MIS)晶体管的传送门和在负高压侧仅配置P-沟道MIS晶体管的传送门以防止提升的电压流回输入信号的输入端，由于这些配置，在低电源电压的情况下，输入信号的电压将受到传送门阈值电压的影响，其结果是，信号将不能被传送，其结果是，这就需要形成具有特别低阈值电压的晶体管，这就增加了生产的费用。
本发明的目的是提供一电平移动器，该电平移动器在较低电源电压下能够实现稳定的操作和不需要特殊的生产过程，该电平移动器进而实现较高的操作速度。
依照本发明的第一方面，这里提供的电平移动器包括第一电源端，第二电源端，配有被设置为高逻辑电平和低逻辑电平的输入信号的信号输入端，该信号的高逻辑电平和低逻辑电平是分别相对于第一电源端的电位和第二电源端的电位，具有电位高于电源端的电位的高电位电源端，具有电位低于第二电源端电位的低电位电源端，具有输入端连接信号输入端的第一和第二反相器，连接电平移动器的输出端和第一反相器输出电位降落时的高电位电源端的第一晶体管，和连接电平移动器输出端和第二反相器的输出电位升起时的低电位电源端的第二晶体管，当电平移动器输出端的电位降落时，高电位电源端提供电流给第一反相器，当电平移动器的输出端的电位升起时，从低电位电源端提供电源给第二反相器，最好，第一反相器是由在电平移动器的输出端的电位降落时提供电流的第一电流提供装置和具有门电极连接到信号输入端的第三晶体管构成，第一电流提供装置和第三晶体管在高电位电源端和第二电源端之间串联相连和输出端由第一电流提供装置和第三晶体管的连接点构成，和第二反相器是由具有门电极连接到信号输入端的第四晶体管和在电平移动器的输出端的电位升起时提供电流的第二电流提供装置构成，第四晶体管和第二电流提供装置在第一供应端和低电位供应端之间串联连接和输出端是由第四晶体管和第二电流提供装置的连接构成。
最好，第一电流提供装置是由具有输入端连接到电平移动器输出端的第五晶体管构成，和第二电流提供装是由具有输出端连接到电平移动器的输出端的第六晶体管构成。
替换地，第一电流提供装置是由具有输入端连接到电平移动器输出端的第五晶体管和具有由输入端连接到信号输入端的第七晶体管构成，第五和第七晶体管串联连接，和第二电流提供装置是由具有输入端连接到电平移动器输出端的第六晶体管和具有输入端连接到信号输入端的第八晶体管构成，第六和第八晶体管串联连接。
最好，第一反相器的输出端连接到被高于第一电源端电位的第一反向器输出端电压截止的第九晶体管的源-漏端之一，第二反相器输出端连接到被低于第二电源端电位的第二反相器输出端电压截止的第十晶体管的源-漏端之一，第九晶体管的另一个源一漏端和第十晶体管的另一个源漏端相互连接。
参照附图对优选的实施例加以描述，这使得本发明的这些和其它的特点和目标更加明显。
图1是电平移动器的第一个参考实例的电路图；图2是电平移动器的第二个参考实例的电路图；图3是依本发明的电平移动器的第一实施例的电路图；图4A至4G是图3所示电路的时间操作的时序图；图5是具有图3所示电路模拟的电路参数的电路图6是图5所示的电路模拟的结果的视图；图7是依本发明的电平移动器的第二实施例的电路图；图8是具有图7所示电路模拟的电路参数的电路图；图9是图8所示电路模拟结果的图；图10是依本发明的电平移动器的第三实施例的电路图；图11是具有图10所示电路模拟的电路参数的电路图；图12是图11所示电路模拟结果的图。
参照附图进一步详细解释本发明的优选的实施例。
图1是电平移动器的第一参考实例的电路图。
电平移动器10是由反相器INV11，P-沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管PT11至PT14，和n-沟道(N)MOS晶体管NT11至NT14所构成。
PMOS晶体管PT11至PT14的源极被连接到正高压PV的供应线上，NMOS晶体管NT11和NT12的源极被接地，NMOS晶体管NT13和NT14的源被连接到负高压MV的供应线上。
PMOS晶体管PT11和NMOS晶体管NT11的漏极相互连接和连接点连接PMOS晶体管PT12和PT13的门电极作为结NO11，类似地，PMOS晶体管PT12和NMOS晶体管NT12的漏极相互连接和连接PMOS晶体管PT11和PT14的门电极的连接点为ND12。
PMOS晶体管PT13和NMOS晶体管NT13的漏极相互连接和连接NMOS晶体管NT14的门电极的连接点为ND13。类似地，PMOS晶体管PT14和NMOS晶体管NT14的漏相互连接和连接NMOS晶体管NT13的连接点为输出结点NDOUT。
NMOS晶体管NT11的门电极连接到输入信号IN的输入线，NMOS晶体管NT12的门电极通过反相器INV11连接到输入信号IN的输入线。
在这种配置中，当输入信号IN以电源提供电压Vcc电平输入时，即，高电平时，NMOS晶体管NT11开关为导通态，和NMOS晶体管NT12被保持在非导通态。
其结果是，结点ND11降为地电平，和PMOS晶体管PT12和PT13开关为导通态。虽然PMOS晶体管PT12变为导通，结点ND12的电位上升为正高电压PV电平，然后PMOS晶体管PT11被稳定地保持为非导通态，由于这样，PMOS晶体管PT12和PT13被稳定地保持在导通状态。
和结点ND12的电位移到正高压一道，PMOS晶体管PT14保持在非导通状态，同样，和PMOS晶体管PT13变为导通一样，结点ND13的电位上升为正高电压PV，作为结果，NMOS晶体管NT14变为导通，和输出结点NDOUT的电位降落为负高电压MV电平。
和输出结点NDOUT的电位变为负高电压MV电平一道，NMOS晶体管NT13稳定地保持在非导通状态，保持在负高电压MV电平的信号输出OUT从输出结点NDOUT输出。
当输入信号IN以地GND电平输入时，即，是低电平，NMOS晶体管NT12变为导通，和NMOS晶体管NT11变为非导通。
作为结果，结点ND12降为地电平，和PMSO晶体管PT11和PT14转换为导通状态。和PMOS晶体管PT11变为导通时一道，结点ND11的电位上升为正高电压PV，和PMOS晶体管PT12和PT13变为非导通状态和稳定地保持在那个状态。
和PMOS晶体管PT14变为导通一道，输出结点NDOUT的电位上升为正高电压PV电平，和NMOS晶体管NT13变为导通。作为结果，电位降到负高电压MV，和NMOS晶体管NT13被稳定地保持在非导通状态。
依此，保持在正高电压PV电平的信号OUT从输出结点NDOUT输出。
图2是电平移动器的第二参考实例的电路图。
电平移动器20是由反相器INV21，PMOS晶体管PT21至PT23，NMOS晶体管NT21至NT23构成。
NMOS晶体管NT21是连接在反相器INV21的输出端和PMOS晶体管PT22的漏极之间和连接它的门电极到电源提供电压Vcc的供应线。
PMOS晶体管PT21连接在反相器INV21的输出端和NMOS晶体管NT22的漏极之间和连接它的门极到地线。
NMOS晶体管NT21和PMOS晶体管PT21在生产时被设置为比通常的晶体管的阈值电压低和功能为所谓的截止门。
PMOS晶体管PT22和PT23的源极被连接到正高电压PV的供应线，和NMOS晶体管NT22和NT23的源极被连接到负高电压MV的供应线。
PMOS晶体管PT22的漏极连接到PMOS晶体管PT23的门电极，和NMOS晶体管NT22的漏极连接到NMOS晶体管NT23的门电极。
PMOS晶体管PT23和NMOS晶体管NT23的漏极相互连接并构成了输出结点NDOUT。输出结点NDOUT输出结点NDOUT连接PMOS晶体管PT22和NMOS晶体管NT22的门电极。
在图2的电路中，当输入信号IN以电源供应电压Vcc电平，即，高电平输入时，该输入信号IN被反相器INV21反相，实质上地GND电平(低电平)的信号通过NMOS晶体管NT21施加到PMOS晶体管PT23和通过PMOS晶体管PT21施加到NMOS晶体管的门电极。
作为结果，PMOS晶体管PT23变为导通，NMOS晶体管NT23变为不导通，和然后输出结点NDOUT的电位升为正高电压PV，由于这样，PMOS晶体管PT22被保持在稳定地不导通状态和NMOS晶体管NT22被稳定地保持在导通状态，结点ND22的电位降落为负高电压MV，和NMOS晶体管NT23被稳定地保持在不导通状态。在这时，PMOS晶体管PT21变为截止。
依此，保持在正高电压PV的信号OUT从输出结点NDOUT输出。
当输入信号I N以地GND电平，即，低电平输入时，PMOS晶体管PT23变为非导通，NMOS晶体管NT23变为导通，输出结点的电位NDOUT降落为负高电压MV。由于这样，PMOS晶体管PT22变导通，和NMOS晶体管NT22变为非导通。
和PMOS晶体管变为导通一道，结点ND21的电位上升为正高电压PV，和PMOS晶体管PT23被稳定地保持在非导通状态。在这时，NMOS晶体管NT21变为截止。
依此，保持在负高电压MV电平的信号OUT从输出结点NDOUT输出。然而，图1的电路具有两级配置，即，从地DND电平-电源供给电压Vcc电平转换为在第一级的地GND电平-正高电压PV和转换为在第二级的正高电压PV-负高电压MV。因此，至少需要八个晶体管。同样，由于在最后反相器内的p-沟道/n-沟道的比例是不平衡的，在很多情况下另一个或两个反相器是需要的，所以版图面积增加了。
另一方面，图2的电路是由单极构成的和需要较少的晶体管数目，例如六个，然而，它需要截止门和需要使用这截止门的低阀值晶体管或者相应于电源供应电压Vcc的操作范围将落在低电压。
进而，低阀值晶体管的形成需要增加生产过程的步骤。
图3是依本发明的电平移动器的第一实施例的电路图。
如图3所示，电平移动器30是由反相器INV31，作为第三晶体管的PMOS晶体管PT31，作为第六晶体管的PMOS晶体管PT32，作为第一晶体管的PMOS晶体管PT33，作为第五晶体管的NMOS晶体管NT31，和作为第二晶体管的NMOS晶体管NT32组成，第二反相器由由PMOS晶体管PT32构成。
特别是，PMOS晶体管PT31和PT33的源极连接到没有示出的高电平电源和提供正高电压PV和电源供给电压Vcc的线上，NMOS晶体管NT32和NT33的源极被连接到没有示出的低电平电源提供负高电压MV和地电压GND(0V)的线上，NMOS晶体管NT31的源极接地，PMOS晶体管PT32的源极连接到电源供给电压Vcc的线上。
PMOS晶体管PT31和NMOS晶体管的漏极，PMOS晶体管PT32和NMOS晶体管NT32的漏极，和PMOS晶体管PT32和NMOS晶体管NT33的漏极相互连接。
即，PMOS晶体管PT31和NMOS晶体管NT31以串联方式连接在正高电压PV和电源供给电压Vcc的供给线和地GND线之间，PMOS晶体管PT32和NMOS晶体管NT32以串联方式连接在电源供给电压Vcc的供应线和负高电压MV和地电压GND的供应线之间。构成输出缓冲器的PMOS晶体管PT33和NMOS晶体管NT33以串联的方式连接在正高电压PV和电源供给电压Vcc的供应线和负高电压MV和地电压GND的供应线之间。
反相器INV31的输入端连接信号IN输入线，NMOS晶体管NT31和PMOS晶体管PT32的门电极被连接到反相器INV31的输出端和其连接点构成了结点NDIN。
作为第一反相器输出端的结点ND31是由PMOS晶体管PT31和NMOS晶体管NT31的漏极连接点构成的，结点ND31还连接到PMOS晶体管PT33的门电极。
类似地，作为第二反相器输出端的结点ND32是由PMOS晶体管PT32和NMOS晶体管NT32的漏极的连接点构成的。结点ND32还连接到NMOS晶体管NT33的门电极。
近而，输出结点NDOUT是由PMOS晶体管PT33和NMOS晶体管NT33的漏极的连接点构成的，该输出结点NDOUT是连接(反馈回)PMOS晶体管PT31和NMOS晶体管NT32的门电极。
注意，在电平移动器10中，NMOS晶体管NT31的尺寸做得较大，例如，是PMOS晶体管PT31的两倍大。
PMOS晶体管PT32的尺寸做得较大，例如，是NMOS晶体管NT32的四倍大。
随后，参照图4A至4G的时序图解释上述结构的操作。
首先解释从电源供给电压Vcc电平(高电平)到地GND电平(低电平)的输入信号IV的电平的开关的操作时序。
当转换输入信号IN时，PMOS晶体管PT31和PT32和NMOS晶体管NT33保持在导通状态，和NMOS晶体管NT31和NT32和PMOS晶体管PT33保持在非导通状态。
当输入信号IN电平从高电平，即电源供给电压Vcc电平转换为低电平，即地GND电平时，结点N DIN的电平从地电平GND转换为电源供给电压Vcc。由于如此，NMOS晶体管NT31转换为导通态，和PMOS晶体管转换为非导通态。
和PMOS晶体管PT32转换为非导通态一道，结点ND32变为非常地浮动。同样，和NMOS晶体管NT31转换为导通态一道，串联连接的PMOS晶体管PT31和NMOS晶体管NT31两者均变为导通。但是，由于NMOS晶体管NT31的尺寸被设置得实质上比PMOS晶体管PT31要大，结点ND31的电平转换为地GND电平，即低电平。
和结点ND31移动到地GND电平一道，输出级的PMOS晶体管PT33逐渐地转换为导通状态和输出结点NDOUT的电平逐渐地上升，当它约变为Vcc/2时，NMOS晶体管NT32变为导通和PMOS晶体管PT31变得不导通。由于这样，结点ND32移动到GND电平，和NMOS晶体管NT33转换为非导通状态，在这时，PMOS晶体管PT31变得完全不导通。
作为结果，输出信号OUT的逻辑被固定在高电平。
在逻辑变得固定以后，正侧提供的电平从电源提供电压Vcc被转换为近一步高的电平PV，然后，保持在正高电压PV电平的信号OUT从输出结点NDOUT输出。
当负侧的电平从地GND电平转换到负高电压MV电平时，保持在电源供给电压Vcc的信号OUT从输出结点NDOUT输出。
随后，将对从地GND电平(低电平)到电源供给电压Vcc电平(高电平)的输入信号IN的电平转换时序操作加以解释。
在输入信号IN转换时，PMOS晶体管PT31和PT32和NMOS晶体管NT33保持在非导通状态，和NMOS晶体管NT31和NT32和PMOS晶体管PT33保持在导通态。
当输入信号IN电平从低电平，即地GND电平转换为高电平，即电源供给电压Vcc电平时，结点NDIN的电平从电源供给电压Vcc电平转换为地GND电平。由于这样，NMOS晶体管NT31转换为非导通态，和PMOS晶体管转换为导通态。
和NMOS晶体管NT31转换为非导通态一道，结点ND31变为非常地浮动。同样，和PMOS晶体管PT31转换为导通态一道，两者串联的PMOS晶体管PT32和NMOS晶体管NT32开始导通。由于PMOS晶体管PT32的尺寸实质上大于NMOS晶体管NT32，因而，结点ND32的电平转变为电源供给电压Vcc电平，即高电平。
和结点ND32移动到电源供给电压电平一，输出级的NMOS晶体管NT33逐渐地转移为导通态，和输出结点NDOUT的电平逐渐地降下，当它大约变为0时，NMOS晶体管NT32变为非导通态，和PMOS晶体管PT31变为导通时一道，结点ND31移到电源供给电压Vcc电平，和PMOS晶体管PT33转换为非导通态。由于这些，PMOS晶体管PT33的非导通态和NMOS晶体管NT33的导通态被稳定地保持。
作为结果，输出信号OUT的逻辑被固定在地GND电平(0V)，即低电平。
在逻辑固定之后，负侧的提供电平从地GND电平转换为更低的负电压MV，然后，保持在负高电压MV电平的信号OUT从输出结点NDOUT输出。
当正侧的电平从电源提供电压Vcc电平转换为正高电压PV电平时，信号OUT从输出结点NDOUT输出。
图5是具有图3所示电路模拟的电路参数的电路图，图6是模拟结果的图。
在图5中，31示出了信号源，32示出了正高电压源，和33示出了负高电压源。晶体管的尺寸(沟道宽W/沟道长度L)均附加示出。
在图6中，横坐标示出了时间，和纵坐标示出了电压。
在这个模拟中，电源供给电压Vcc是3伏。
从图6中可以了解，图5(图3)的电路作为电平移动器在功能上是满意的，甚至在低电平下也是如此。
如上所述，依照第一个实施例，PMOS晶体管PT31和NMOS晶体管NT31串联地连接在正高电压PV和电源供给电压Vcc的供给线和地线GND之间，PMOS晶体管PT32和NMOS晶体管NT32串联连接在电源供给电压Vcc和负高电压MV和地电压GND的供给线之间，构成输出缓冲级的PMOS晶体管PT33和NMOS晶体管NT33串联连结在正高电压PV和电源供给电压Vcc的供给线和负高电压MV和地电压GND的供给线之间，反相器INV31的输入端连接信号IN的输入线，NMOS晶体管NT31和PMOS晶体管PT32的门电极连接到反相器IVN31的输出端，PMOS晶体管PT31和NMOS晶体管NT31的漏极的连接点连接到PMOS晶体管PT33的门极，PMOS晶体管PT32和NMOS晶体管NT32的漏极的连接点连接到NMOS晶体管NT33的门极，PMOS晶体管PT33和NMOS晶体管NT33的漏极连接点所构成的输出结点NDOUT连接(反馈回)到PMOS晶体管PT31和NMOS晶体管NT32的门电极，NMOS晶体管NT31的尺寸做得大于PMOS晶体管PT31的尺寸，PMOS晶体管PT32的尺寸做得大于NMOS晶体管的尺寸。
因此，这就可能减少版图的面积和甚至使用低电源电压时也能实现稳定的操作和减少在生产期间所需掩膜的数目。
图7是本发明的电平移动器的第二实施例的电路图。
第二实施例和第一实施例的差别在于用其门电极连接结点NDIN并且作为第七晶体管的PMOS晶体管PT34串联连接在正高电压PV和电源供给电压Vcc(连接到没有示出的高电平电源供给)的供应线和PMOS晶体管PT31的源极之间和用门电极连接结点NDIN的作为第八个晶体管的NMOS晶体管NT34串联连接在负高电压MV和地电压GND。(连接到没有示出的低电平电源)的供应线和NMOS晶体管NT32的源极之间。
在电平移动器30a中，由于PMOS晶体管PT34和NMOS晶体管NT34。在导通态均受反相器INV31的输出电平的控制，这就可能防止由PMOS晶体管PT34和NMOS晶体管NT31构成的反相器和由PMOS晶体管PT32和NMOS晶体管NT32构成的反相器的两个晶体管在同时转换变为导通态，由于这样，减少了电流消耗。
例如，当输入信号IN的电平从电源供给电压Vcc电平转换到地GND电平时，PMOS晶体管PT34变为非导通态，然后结点ND31的电平迅速地移到地GND。作为结果，输出级的PMOS晶体管PT33也转换为导通态和输出结点NDOUT的电位迅速地上升。
进而，在图3的电路30要求的由PMOS晶体管PT31和NMOS晶体管NT31构成的反相器和由第一级的PMOS晶体管PT32和NMOS晶体管NT32构成的反相器之间的容量(p-沟道/n-沟道)的比率被设置为4∶1或更多，图7的电路30a可使第一级的反相器的容量比例被设置为1∶1。依此，图7的电路比图3的电路更适合于高速操作。
图8是具有模拟图7所示电路的电路参数的电路图，和图9是模拟的结果的图。
在图8中，31示出了信号源，32示出了正高电压源，和33示出了负高电压源，晶体管的尺寸(沟道宽W/沟道长L)也被附加地示出。
在图9中，横标示出时间，和纵标示出电压。
在这个模拟中，电源供给电压Vcc被设置为3V。
从图9中可以理解，图5(图3)的电路作为带有过程低电源供给电压的电平移动器在功能上是满意的，并且比较图6示出的图5(图3)的特性，也实现了较高速的操作。
依此，依照第二实施例的图7的电路30a可以操作得比图3电路30快。
注意此点，在图7所示的电路中，晶体管的数目从6个增加到8个，附加的晶体管PT34和NT34串联连接到最初提供的晶体管PT31，NT31，PT32和NT32，所示版图的面积的增加并不那么大。假设具有同样的速度，由于可能减少晶体管的尺寸，这就可能减少面积。
图10是依本发明的电平移动器的第三实施例的电路图。
第三实施例和第二实施例的差别在于，具有门电极连接到电源供给电压Vcc的作为截止门的NMOS晶体管NT35(第九个晶体管)和具有门电极接地的作为截止门的PMOS晶体管PT35(第十个晶体管)串联连接在结点ND31和结点ND32之间。
由于这样的配置，这里不再有结点ND31或结点ND32变为浮动的较长时间和因此这就可能实现较快的速度。
例如，在图7电路中，当输入信号IN的电平从电源供给电压Vcc电平转换到地电平时，结点IDIN的电平从地电平GND转换为电源供给电压Vcc电平，NMOS晶体管转换为导通状，和PMOS晶体管PT31转换为非导通态，这样结点32变为极度的浮动。
在图10电路中，由于NMOS晶体管NT35和PMOS晶体管PT35作为截止门而使得结点ND31和ND32变为导通和因此防止了浮动。结点ND32的电位移动到地电平。即，在输出结点NDOUT的电平反馈之前，结点ND31的电位移动到地电平。
当由于输出结点NDOUT的电位大约上升为Vcc/2时而晶体管NT32开始导通时，由于在那时NMOS晶体管NT34保持在导通态，结点ND32被连接到负高电压NV的供应线。当结点ND32的电位降落到比地GND电平低时，PMOS晶体管PT35开始截止和结点ND31和ND32之间的导通态被免除。
类似地，在图7电路中，当输入信号IN的电平从地电平GND转换为电源供给电压Vcc电平时，结点NDIN的电平从电源供给电压Vcc电平转换到地电平，NMOS晶体管转换到非导通状态，PMOS晶体管PT31转换为导通状态，因此结点32变为过度地浮动。
另一方面，在图10电路中，由于NMOS晶体管NT35和PMOS晶体管PT35作为截止门，结点ND31和ND32变为导通和防止了浮动。结点ND32的电位移动到大约电源供给电压电平。即，在输出结点NDOUT的电平反馈之前，结点ND31的电位移动到电源供给电压Vcc电平。
当由于输出结点电位大约降至地GND电平的Vcc/2而PMOS晶体管PT31变得导通时，由于在这时PMOS晶体管PT34被保持在导通状态，结点ND31连接到正高电压PV的供给线。当结点ND31的电位上升大约为电源供给电压Vcc电平时，NMOS晶体管NT35变得截止和结点ND31和ND32之间的导通态被免除。
图11是具有图10所示电路模拟的电路参数的电路图，和图12是模拟结果的图。
在图11中，31示出了信号源，32示出了正高电压源，和33示出了负高电压源，晶体管的尺寸(沟道宽度W/沟道长度L)被附加地给出。
在图12中，横标给出时间，和纵标给出电压。
在该模拟中，电源供给电压Vcc被设置为3V。
从图12中可以理解，图11(图10)的电路作为具有过程低电源供给电压的电平移动器在功能上是满意的，和图9示出的图8(图7)特性相比较，也实现了高速操作。
权利要求
1.电平移动器包括第一电源供给端；第二电源供给端；配有设置为高逻辑电平和低逻辑电平的输入信号的信号输入端，该高逻辑电平和低逻辑电平分别是基于第一电源供给端的电位和第二电源供给端的电位；具有电位高于电源供给端电位的高电位电源供给端；具有电位低于第二电源供给端电位的低电位电源供给端；具有输入端连接到信号输入端的第一和第二反相器；因第一反相器输出电位降落而连接在电平移动器输出端和高电位电源供给端的第一晶体管；因第二反相器输出电位上升而连接在电平移动器输出端和低电位电源供给端的第二晶体管；因电平移动器的输出端电位降落而由高电位电源供给端提供电流的第一反相器；因电平移动器的输出端的电位的上升而由低电位电源供给端提供电流的第二反相器。
2.权利要求1的电平移动器，其中第一反相器是由在电平移动器的输出端的电位降落时提供电流的第一电流提供装置和用门电极连接到信号输入端的第三晶体管组成，第一电流提供装置和第三晶体管是串联连接在高电位电源供给端和第二电源供给端之间和输出端是由第一电流供给装置和第三晶体管的连接点组成；和第二反相器是由用门电极连接到信号输入端的第四晶体管和当电平移动器的输出端的电位上升时提供电流的第二电流提供装置构成的，第四晶体管和第二电流提供装置串联连接在第一提供端和低电位电源供给端之间和输出端是由第四晶体管和第二电流供给装置的连接点构成。
3.权利要求2的电平移动器，其中第一电流提供装置是由用其输入端连接到电平移动器的输出端的第五晶体管构成的；和第二电流提供装置是由用其输出端连接电平移动器的输出端的第六晶体管构成的。
4.权利要求2的电平移动器，其中第一电流提供装置是由用其输入端连接到电平移动器的输出端的第五晶体管和用其输入端连接信号输入端的第七晶体管组成，第五和第七晶体管串联连接；和第二电流提供装置是由用其输入端连接到电平移动器的输出端的第六晶体管和用其输入端连接到信号输入端的第八晶体管组成，第六和第八晶体管是串联连接。
5.权利要求1的电平移动器，其中第一反相器的输出连接到第九晶体管的源-漏端之一，第一反相器的输出端电压高于第一电源供给端的电位时，该第九晶体管截止；第二反相器的输出连接到第十晶体管的源-漏端之一，当第二反相器输出端电压低于第二电源供给端的电位时，该第十晶体管被截止；和第九晶体管的另一个源-漏极和第十晶体管的另一个源漏极连接在一起。
全文摘要
电平移动器配置有:移动输入信号的高逻辑电平的第一反相器,移动输入信号的低逻辑电平的第二反相器,使用第一反相器的输出电压而提供高电压到输出端的第一输出晶体管,使用第二反相器输出电压而提供低电压到输出端的第二输出晶体管,该电平移动器控制提供第一反相器的高电压和第二反相器的低电压,以实现稳定地操作,甚至在低电源供给电压时也是如此。
文档编号H03K5/02GK1172380SQ9710127
公开日1998年2月4日 申请日期1997年1月25日 优先权日1996年1月25日
发明者高木俊介 申请人:索尼公司