，所述第三NPN管NPN3和第四NPN管NPN4的基极共同连接至所述第四输入端，所述第一 NPN管NPNl和第三NPN管NPN3的发射极相连接，所述第二 NPN管NPN2和第四NPN管NPN4的发射极相连接；
所述镜像电流源具有第五输入端，其主要由第一电流偏置管M9、第二电流偏置管M7和第三电流偏置管M8组成，各管的栅极共同连接至所述第五输入端，各管的漏极共连接地，所述第一电流偏置管M9的集电极连接至所述第五输入端，所述第二电流偏置管M7的集电极连接至所述第一 NPN管NPNl的发射极，所述第三电流偏置管M8的集电极连接至所述第二NPN管NPN2的发射极；
其中，所述第一输入端作为本振信号LO_I的正向输入端，所述第二输入端作为本振信号LO_I的负向输入端，所述第三输入端作为低频信号BB_I的正向输入端，所述第四输入端作为低频信号BB_I的负向输入端，所述第五输入端作为偏置电流的输入端，所述第一输出端、第二输出端对应作为上变频器电路的正、负输出；所述第一输出端、第二输出端分别通过负载RL1、RL2连接到电源，以获取电压偏置。
[0014]所述第一NPN管NPNl和第四NPN管NPN4的发射极面积相等，所述第二NPN管NPN2和第三NPN管NPN3的发射极面积相等，所述第一 NPN管NPNl的发射极面积是第三NPN管NPN3的发射极面积的N倍，N大于2且小于50。
[0015]例如，N取值为4，则所述第一 NPN管和第三NPN管组合可以将上变频器信号的电压输入特性和电流输出特性正向平移VTln4，其中VT是三极管特征参数，约26mV。同样的，第二 NPN管和第四NPN管组合可以将上变频器信号的电压输入特性和电流输出特性负向平移VTln4。由此，上变频器的输入跨导(gm)在一定的输入信号范围内将变得平滑，并增加了上变频器的线性，不受工艺变化的影响。
[0016]所述第二电流偏置管M7、第三电流偏置管M8各自的长宽乘积是第一电流偏置管M9长宽乘积的K倍，K大于2且小于50。例如，K取值为20，可以保证输入的偏置电流经过M9镜像给M7和M8为原输入电流的20倍。
[0017]上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。
【主权项】
1.一种增加发射机变频线性的实现方案，包括本振部分、放大部分与镜像电流源，其特征在于: 所述本振部分具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，其主要由第一MOS管、第二 MOS管、第三MOS管和第四MOS管组成，所述第一 MOS管和第四MOS管的栅极共同连接至所述第一输入端，所述第二 MOS管和第三MOS管的栅极共同连接至所述第二输入端，所述第一 MOS管和第三MOS管的源极共同连接至所述第一输出端，所述第二 MOS管和第四MOS管的源极共同连接至所述第二输出端，所述第一 MOS管和第二 MOS管的漏极相连接，所述第三MOS管和第四MOS管的漏极相连接； 所述放大部分具有第三输入端和第四输入端，其主要由第一 NPN管、第二 NPN管、第三NPN管和第四NPN管组成，所述第一 NPN管和第二 NPN管的集电极共同连接至所述第一 MOS管的漏极，所述第一 NPN管和第二 NPN管的基极共同连接至所述第三输入端，所述第三NPN管和第四NPN管的集电极共同连接到所述第三MOS管的漏极，所述第三NPN管和第四NPN管的基极共同连接至所述第四输入端，所述第一 NPN管和第三NPN管的发射极相连接，所述第二 NPN管和第四NPN管的发射极相连接； 所述镜像电流源具有第五输入端，其主要由第一电流偏置管、第二电流偏置管和第三电流偏置管组成，各管的栅极共同连接至所述第五输入端，各管的漏极共连接地，所述第一电流偏置管的集电极连接至所述第五输入端，所述第二电流偏置管的集电极连接至所述第一 NPN管的发射极，所述第三电流偏置管的集电极连接至所述第二 NPN管的发射极； 其中，所述第一输入端作为本振信号的正向输入端，所述第二输入端作为本振信号的负向输入端，所述第三输入端作为低频信号的正向输入端，所述第四输入端作为低频信号的负向输入端，所述第五输入端作为偏置电流的输入端，所述第一输出端、第二输出端对应作为上变频器电路的正、负输出。2.根据权利要求1所述的增加发射机变频线性的实现方案，其特征在于:所述第一NPN管和第四NPN管的发射极面积相等，所述第二 NPN管和第三NPN管的发射极面积相等，所述第一 NPN管的发射极面积是第三NPN管的发射极面积的N倍，N大于2且小于50。3.根据权利要求2所述的增加发射机变频线性的实现方案，其特征在于:所述N取值为 2、4、6、8 或 10。4.根据权利要求1所述的增加发射机变频线性的实现方案，其特征在于:所述第二电流偏置管、第三电流偏置管各自的长宽乘积是第一电流偏置管长宽乘积的K倍，K大于2且小于50。5.根据权利要求4所述的增加发射机变频线性的实现方案，其特征在于:所述K取值为 5、10、15 或 20。
【专利摘要】本发明提出一种增加发射机变频线性的实现方案，包括本振部分、放大部分与镜像电流源，所述本振部分具由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管组成，所述放大部分由第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管和第四NPN管组成，所述镜像电流源由第一电流偏置管、第二电流偏置管和第三电流偏置管组成，本发明通过采用多集电极并联NPN型三极管作为上变频器的信号放大管，通过采用不同的三极管发射极面积的配比，展宽信号放大管的gm线性区间，从而实现上变频器增益的稳定和线性的增大。解决了现有上变频器在线性度上受制于MOS管的Gm线性区间过小，工艺的细微变化就会影响其上变频器线性的性能，导致产品的不稳定的问题。
【IPC分类】H03D7/16
【公开号】CN105119572
【申请号】CN201510487929
【发明人】王昭, 叶晖, 徐肯, 梁晓峰, 姜洪波
【申请人】广东博威尔电子科技有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年8月11日