施例所述的侦测电路的示意图；
[0019] 图2是显示根据本发明一实施例所述的侦测电路的示意图；
[0020] 图3是显示根据本发明一实施例所述的信号波形图；
[0021] 图4是显示根据本发明一实施例所述的装置转换器、第一转换器、第二转换器，或 是第三转换器的示意图；
[0022] 图5A是显示根据本发明一实施例所述的第一电流比较器、第二电流比较器，或是 第三电流比较器的示意图；
[0023] 图5B是显示根据本发明一实施例所述的第一电流比较器、第二电流比较器，或是 第三电流比较器的示意图；以及
[0024] 图6是显示根据本发明另一实施例所述的侦测电路的示意图。
[0025] 其中，附图中符号的简单说明如下：
[0026] 100、200、600~侦测电路；120~外接装置；131~第一转换器；132~第二转换 器；133~第三转换器；140~装置转换器；151~第一电流比较器；152~第二电流比较 器；153~第三电流比较器；160~省电电路；510~第一输入支路；520~第二输入支路； 511~第一沉至源支路；522~第二沉至源支路；531~第一比较支路；532~第二比较支 路；533~第三比较支路；534~第四比较支路；561~第一反相器；610~电位比较器； 621~第一切换器；622~第二切换器；623~第三切换器；Il~第一电流；12~第二电流； 13~第三电流；IE~特定电流；IX~第一输入电流；Π ~第二输入电流;Ml~第一晶体管； M2~第二晶体管；M3~第三晶体管；M4~第四晶体管；M5~第五晶体管；M6~第六晶体管； M7~第七晶体管；M8~第八晶体管；M9~第九晶体管；MlO~第十晶体管；Mll~第^^一 晶体管；M12~第十二晶体管；M13~第十三晶体管；M14~第十四晶体管；M15~第十五晶 体管；M16~第十六晶体管；M17~第十七晶体管；M18~第十八晶体管；M19~第十九晶体 管；M20~第二十晶体管；M21~第二^^一晶体管；M22~第二十二晶体管；M23~第二十三 晶体管；M24~第二十四晶体管；M25~第二十五晶体管；M26~第二十六晶体管；M27~第 二十七晶体管；M28~第二十八晶体管；M29~第二十九晶体管；M30~第三十晶体管；Nl~ 第一节点；N2~第二节点；N3~第三节点；M~第四节点；N5~第五节点；N6~第六节点； N7~第七节点；N8~第八节点；N9~第九节点；NlO~第十节点；Nll~第^^一节点；N12~ 第十二节点；N13~第十三节点；N14~第十四节点；N15~第十五节点；N16~第十六节点； N17~第十七节点；N18~第十八节点；N19~第十九节点；N20~第二十节点；NCl~第一 控制节点；NC2~第二控制节点；01~第一输出信号；02~第二输出信号；03~第三输出 信号；OUT~输出端；Rl~第一电阻器；R2~第二电阻器；R3~第三电阻器；REX~装置电 阻器；SA~起始信号；SB~停止信号；SC~控制信号；Tl~第一时间点；T2~第二时间点； VC~输出信号；VDD~供应电位；VREF~参考电位；VO~输出电位；VSS~接地电位。
【具体实施方式】
[0027] 为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出本发明的具体实施例， 并配合所附图式，作详细说明如下。
[0028] 图1是显示根据本发明一实施例所述的侦测电路100的示意图。侦测电路100可 应用于一移动装置，例如：一智能手机（Smartphone)、一平板计算机（Tablet Computer)， 或是一笔记本计算机（Notebook Computer)。当一外接装置120连接至移动装置时（例如， 通过移动装置的一微型通用串行总线（Micro Universal Serial Bus，Micro_USB)端口）， 侦测装置100即可侦测外接装置120的一特定电阻值（例如，此外接装置120可以模拟为一 装置电阻器REX)。外装装置120的种类可以由一处理器（未显示）根据特定电阻值而进行 判断。在图1的实施例中，侦测电路100包括一第一电阻器Rl、一第二电阻器R2、一第一转 换器（Converter) 131、一第二转换器132、一装置转换器140、一第一电流比较器（Current Comparator) 151以及一第二电流比较器152。第一电阻器Rl具有一第一电阻值。第二电 阻器R2具有一第二电阻值。第二电阻值可以与第一电阻值不同。第一转换器131可将第 一电阻值转换成为一第一电流II。第二转换器132可将第二电阻值转换成为一第二电流 12。装置转换器140可将特定电阻值转换成为一特定电流IE。第一电流比较器151把特 定电流IE和第一电流Il作比较，并据以产生一第一输出信号01。第二电流比较器152把 特定电流IE和第二电流12作比较，并据以产生一第二输出信号02。通过读取第一输出信 号01和第二输出信号02,处理器可以估算出外接装置120的特定电阻值，以取得外接装置 120的种类和信息。
[0029] 图2是显示根据本发明一实施例所述的侦测电路200的示意图。图2和图1相似， 两者的差异在于，侦测装置200还包括一第三电阻器R3、一第三转换器133、一第三电流比 较器153以及一省电电路160。第三电阻器R3具有一第三电阻值。第三电阻值可以与第一 电阻值、第二电阻值皆不同。第三转换器133可将第三电阻值转换成为一第三电流13。第三 电流比较器153把特定电流IE和第三电流13作比较，并据以产生一第三输出信号03。第 一输出信号01、第二输出信号02以及第三输出信号03由处理器所使用，并用于决定外接装 置120的特定电阻值及种类。必须理解的是，前述实施例中的电阻器、转换器，或是电流比 较器的数量皆非为本发明的限制条件。在其他实施例中，侦测电路200还可包括三个以上 的电阻器、三个以上的转换器以及三个以上的电流比较器，以更精确地估算出外接装置120 的特定电阻值。
[0030] 省电电路160可产生一控制信号SC，以选择性地致能（Enable)及禁能（Disable) 装置转换器140、第一转换器131、第二转换器132以及第三转换器133。控制信号SC可根 据来自处理器的一起始信号SA和一停止信号SB而产生。举例而言，处理器可输出起始信 号SA，以要求各个电流比较器产生输出信号，然后，当输出信号皆成功由处理器所接收时， 处理器再输出停止信号SB。例如，处理器可以周期性地产生起始信号SA(例如，每一毫秒， 或是每一秒），以即时地侦测是否有一外接装置120相连接。图3是显示根据本发明一实施 例所述的信号波形图，其中横轴代表时间，而纵轴代表信号的电位电平。在第一时间点Tl， 当起始信号SA由低逻辑电平（例如：逻辑0)上升至高逻辑电平（例如：逻辑1)时，控制信 号SC亦由低逻辑电平上升至高逻辑电平。然后，在第二时间点T2,当停止信号SB由低逻辑 电平上升至高逻辑电平时，控制信号SC由高逻辑电平下降至低逻辑电平。介于第一时间点 Tl和第二时间点T2的期间可视为一比较期间，于其中控制信号SC维持于高逻辑电平。省 电电路160可仅于前述比较期间内致能装置转换器140、第一转换器131、第二转换器132 以及第三转换器133,从而可降低侦测电路200的总功率消耗值。
[0031] 前述的转换器、电流比较器的构造将于下列实施例中详细说明。必须理解的是，这 些结构用于举例，而非用于限制本发明的范围。
[0032] 图4是显示根据本发明一实施例所述的装置转换器140、第一转换器131、第二转 换器132,或是第三转换器133的示意图。在图4的实施例中，装置转换器140、第一转换器 131、第二转换器132以及第三转换器133的每一个皆至少包括一第一晶体管（Transistor) M1、一第二晶体管M2、一第三晶体管M3以及一第四晶体管M4。第一晶体管M1、第二晶 体管M2、第三晶体管M3以及第四晶体管M4可以是P型金属氧化物半导体场效晶体管 (P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，PMOSFET，简称 PMOS 晶体管）。第一晶体管Ml具有一控制端、一第一端以及一第二瑞，其中第一晶体管Ml的控 制端耦接至一第一节点N1，第一晶体管Ml的第一端耦接至一供应电位VDD，而第一晶体管 Ml的第二端耦接至一第二节点N2。第二晶体管M2具有一控制端、一第一端以及一第二瑞， 其中第二晶体管M2的控制端耦接至一第三节点N3,第二晶体管M2的第一端耦接至第二节 点N2,而第二晶体管M2的第二端耦接至外接装置120、第一电阻器RU第二电阻器R2以及 第三电阻器R3的对应一个。例如，若图4是用于描写装置转换器140的电路结构，则第二 晶体管M2的第二端经由外接装置120耦接至一接地电位VSS，若图4是用于描写第一转换 器131的电路结构，则第二晶体管M2的第二端经由第一电阻器Rl耦接至接地电位VSS，依 此类推。第三晶体管M3具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中第三晶体管M3的控制 端耦接至第一节点Nl，第三晶体管M3的第一端耦接至供应电位VDD，而第三晶体管M3的第 二端耦接至一第四节点N4。第四晶体管M4具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中第 四晶体管M4的控制端耦接至第三节点N3,第四晶体管M4的第一端耦接至第四节点N4,而 第四晶体管M4的第二端耦接至第三节点N3。第三节点N3用于输出特定电流IE、第一电流 II、第二电流12以及第三电流13的对应一个。例如，若图4是用于描写装置转换器140的 电路结构，则第三节点N3用于输出特定电流IE，若图4是用于描写第一转换器131的电路 结构，则第三节点N3用于输出第一电流II，依此类推。由上可知，通过使用装置转换器140、 第一转换器131、第二转换器132以及第三转换器133,则可将外接装置120的特定电阻值、 第一电阻器Rl的第一电阻值、第二电阻器R2的第二电阻值，以及第三电阻器R3的第三电 阻值分别转换成为特定电流IE、第一电流II、第二电流12以及第三电流13。对于每一转换 器而言，若输出电流的电流值为相对小，则电阻值和输出电流之间的关系可大致由下列方 程式⑴所表示：
[0034] 其中，I代表特定电流IE、第一电流II、第二电流12以及第三电流13的对应一个， VDD代表供应电位VDD，Vt代表第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3,或是第四晶 体管M4的临界电位（Threshold Voltage)，而R代表特定电阻值、第一电阻值、第二电阻值 以及第三电阻值的对应一个。
[0035] 在另一些实施例中，装置转换器140、第一转换器131、第二转换