和晶体管(T322a，T322c)从开启转换成关闭。此时，晶体管(T312b，T322b)保持开启状态。
[0148]因此，通过第I发光二极管单元511-二极管D412-第2发光二极管单元512-晶体管T322b-第2电流检测单元32a，以第I及第2发光二极管单元(511，512)组成的第I发光二极管组Gl具有串联连接状态，通过晶体管T312b-第3发光二极管单元513- 二极管D413-第4发光二极管单元514-第2电流检测单元32a，以第3及第4发光二极管单元(511，512)组成的第2发光二极管组G2具有串联连接状态。
[0149]此时，第2及第3发光二极管单元(512，513)，8卩，第I发光二极管组Gl和第2发光二极管组G2是通过二极管D411保持并联连接状态。
[0150]如此，第I发光二极管组Gl和第2发光二极管组G2分别具有串联连接状态时，晶体管(T311a，T3212a)再转换成关闭状态，晶体管(T312b，T312c)和晶体管(T322a，T322c)转换成开启状态。由此，第I至第4发光二极管单元(511-5144)分别再变成并联连接状态。
[0151]如此，整流电压Vcc大小达到串联连接的第I及第2发光二极管组(Gl，G2)的正向阈值电压Vth31之前，晶体管(T311b，T321b)交替反复开启状态和关闭状态，属于第I发光二极管组Gl的第I及第2发光二极管单元(511，512)反复并联连接状态和串联连接状态，属于第2发光二极管组G3的第3及第4发光二极管单元(513，514)也反复并联连接状态和串联连接状态。
[0152]第I发光二极管组Gl和第2发光二极管组G2分别是以串联连接，第I及第2发光二极管组(Gl，G2)具有并联连接状态时，整流电压Vcc的状态即使没有达到串联连接的两个发光二极管单元(511及512，和513及514)的正向阈值电压Vth31，各发光二极管单元(511-514)保持点亮状态，此时，流过各发光二极管单元(511-514)的电流大小保持123 [图8(c)的P21区间]。
[0153]接着，第I发光二极管组Gl和第2发光二极管组G2分别是串联连接状态，第I及第2发光二极管组(G1，G2)是并联连接状态下，整流电压Vcc达到设定电压Vth31时，通过二极管D412和晶体管T322b串联连接的第I及第2发光二极管单元(511及512)皆被导通而通过串联连接的第I及第2发光二极管单元(511及512)和晶体管T322b流过电流。而且，通过晶体管T312b和二极管D413串联连接的第3及第4发光二极管单元(513及514)也皆被导通而通过串联连接的第I及第2发光二极管单元(511和512)流过电流。此时，流过发光二极管单元(511-514)的电流大小是与图8(c)的122相同。
[0154]如此，进行串联连接的第I及第2发光二极管单元(511，512)G1的点亮操作，并进行串联连接的第3及第4发光二极管单元(513，514) G2的点亮操作时，第I及第2电流检测单元(T311a，T311b，T321a，T321b)转换成开启状态，由此，晶体管(T312a，T312b，T312c，T322a, T322b, T322c)皆再关闭。
[0155]由此，通过第I发光二极管单元511- 二极管D412-第2发光二极管单元512- 二极管D411-第3发光二极管单元513-二极管D413-第4发光二极管单元514-第2电流检测单元32a的路径，第I至第4发光二极管单元(511-514)变成串联连接状态。
[0156]因此，晶体管(T311b，T312b)再转换成关闭状态，晶体管(T213b，T322b)再转换成开启状态，第I发光二极管组Gl和第2发光二极管组G2分别保持串联连接状态，但第I及第2发光二极管组(Gl，G2)变成并联连接状态。
[0157]由此，整流电压Vcc在设定电压Vth31以上，达到设定电压Vth3之前，第I发光二极管组Gl和第2发光二极管组G2固定保持串联连接状态，但第I及第2发光二极管组(G1，G2)是交替反复并联连接状态和串联连接状态。
[0158]如上所述，整流电压Vcc的电压Vth31虽然不是足够将正常串联的第I至第4发光二极管单元(511-524)全部正常点亮的总正向阈值电压Vth3，但是第I至第4发光二极管单元(511-514)的操作状态已是饱和状态，因此第I至第4发光二极管单元(511-514)保持串联连接状态，第I至第4发光二极管单元(511-514)保持点亮状态[图8(c)的P31区间]。
[0159]然后，整流电压Vcc达到总正向阈值电压Vth3时，相互以串联状态连接的第I至第4发光二极管单元(511-514)全部导通，向串联连接的第I至第4发光二极管单元(511-514)流过设定电压Vth3的电流121，结果第I至第4发光二极管单元(511-514)的亮度增加。
[0160]如此，整流电压Vcc达到总正向阈值电压Vth3时，通过电阻(R31 la，R31 Ib，R32la，R321b)晶体管(T311a，T311b，T321a，T321b)被开启，晶体管(T312a, T312b, T312c, T322a,T322b，T322c)全部被关闭，第I至第4发光二极管单元(511-514)保持串联状态。
[0161]整流电压Vcc超过设定电压Vth3时，参照图5和图6的说明一样，通过第I及第2恒电流单元(21，22)的操作，控制流过第I至第4发光二极管单元(511-514)的电流大小不超过设定电流121。
[0162]因此，整流电压Vcc在设定电压Vth3以上，通过第I至第4发光二极管单元(511-514)流过的电流波形是与图8(c)的P41区间相同。
[0163]在图8(c)的区间P51，发光二极管驱动装置的操作是与上述的区间P31中的操作相同，在区间P61中的发光二极管驱动装置的操作也是与区间P21中的操作相同，在区间P71中的发光二极管驱动装置的操作也是与区间Pll中的操作相同，故省略这些区间(P51-P71)的操作说明。
[0164]以上，对本发明的实施例进行了详细的说明，但本发明的权利范围并不受限于此，并且利用权利要求书所定义的本发明基本概念实施的各种变形及改善形态亦属于本发明的权利范围。
【主权项】
1.一种发光二极管驱动装置，其特征在于， 驱动以串联连接，并至少含有一个发光二极管的第I发光二极管单元，和连接于所述第I发光二极管单元，并至少含有一个发光二极管的第2发光二极管单元，所述发光二极管驱动装置，包含: 连接于所述第I发光二极管单元，整流交流电源的整流单元； 连接于所述整流单元和第I发光二极管单元之间，根据流过第I发光二极管单元的电流大小改变操作状态的第I电流检测单元； 连接于所述整流单元和第2发光二极管单元之间，根据流过第2发光二极管单元的电流大小改变操作状态的第2电流检测单元；以及 连接于所述第I电流检测单元和所述第2电流检测单元之间，对所述第I发光二极管单元和所述第2发光二极管单元提供串联连接通路的逆电流防止单元， 其中，所述第I发光二极管单元和所述第2发光二极管单元是，根据所述第I及第2电流检测单元的操作状态，具有并联连接状态或串联连接状态。2.根据权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其特征在于， 所述第I电流检测单元包含: 在所述整流单元连接一侧端子，在第I发光二极管单元连接另一侧端子的电阻； 在所述电阻的一侧端子连接发射极端子，在所述电阻的另一侧端子连接基极端子，并在所述整流单元的另一侧端子连接集电极端子的第I晶体管；以及 在所述第I晶体管的集电极端子连接栅极端子，在所述电阻的另一侧端子连接源极端子，并在所述逆电流防止单元的一侧端子连接漏极端子的第2晶体管， 所述第2电流检测单元包含: 在所述整流单元连接一侧端子，在所述第2发光二极管单元连接另一侧端子的电阻；在所述整流单元的一侧端子连接集电极端子的第I晶体管；以及在所述第I晶体管的集电极端子连接栅极端子，在所述电阻的另一侧端子连接漏极端子，并在所述逆电流防止单元的另一侧端子连接源极端子的第2晶体管。3.根据权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其特征在于， 在所述整流单元和所述第I电流检测单元之间与所述整流单元和所述第2电流检测单元之间中的至少一个还包含恒电流单元。4.根据权利要求3所述的发光二极管驱动装置，其特征在于， 所述至少一个恒电流单元位于所述整流单元和所述第I电流检测单元之间时，所述至少一个恒电流单元包含: 在所述整流单元的一侧端子连接漏极端子的第I晶体管； 在所述整流单元的一侧端子连接一侧端子，在第I晶体管的栅极端子连接另一侧端子的第I电阻； 所述第I电阻的另一侧端子连接集电极端子，在所述第I晶体管的源极端子连接基极端子的第2晶体管；以及 在所述第2晶体管的源极端子连接一侧端子，在所述第2晶体管的发射极端子和所述第I电流检测单元连接另一侧端子的第2电阻。5.根据权利要求3所述的发光二极管驱动装置，其特征在于， 所述至少一个恒电流单元位于所述整流单元和所述第2电流检测单元之间时，所述至少一个恒电流单元包含: 在所述整流单元的另一侧端子连接一侧端子的第2电阻； 在所述第2电阻的另一侧端子连接源极端子的第I晶体管； 所述整流单元的另一侧端子连接发射极端子，在所述第2电阻的另一侧端子连接基极端子的第2晶体管；以及 在所述第2晶体管的集电极端子和所述第I晶体管的栅极端子连接一侧端子，在所述第I晶体管的漏极端子和所述第2电流检测单元之间连接另一侧端子的第I电阻。
【专利摘要】根据本发明的LED驱动装置是，驱动以串联连接并至少含有一个发光二极管的第1发光二极管单元，和连接于所述第1发光二极管单元，并至少含有一个发光二极管的第2发光二极管单元的LED驱动装置，包含：连接于所述第1发光二极管单元，整流交流电源的整流单元；连接在所述整流单元和第1发光二极管单元之间，根据流过第1发光二极管单元的电流大小改变操作状态的第1电流检测单元；连接于所述整流单元和第2发光二极管单元之间，根据流过第2发光二极管单元的电流大小改变操作状态的第2电流检测单元；以及连接于所述第1电流检测单元和所述第2电流检测单元之间，对所述第1发光二极管单元和所述第2发光二极管单元提供串联连接通路的逆电流防止单元。
【IPC分类】H05B37/02
【公开号】CN105578674
【申请号】CN201410554861
【发明人】金悳用, 李正洙, 金相道
【申请人】Gtc 株式会社
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月17日
【公告号】US9307594, US20160050730