感器15,则谐振电路1的反谐振点达到高于谐振点的高频 侧。
[0025] 图2中示出在将Cp固定为0.5pF(Cp = 0.5pF)时使Lp的值变化的情况下，谐振电路1 的阻抗特性的变化的一个示例。实线表示Lp = 3.化H时的特性，虚线表示Lp = 1.7nH时的特 性，点线表示Lp = 0.7nH时的特性，点划线表示Lp = OnH时的特性。由此，各电感器15的电感 Lp满足Lp<13.6址，因此，在图3中，谐振电路1的反谐振点达到高于谐振点的高频侧。接着， 固定电感器15的电感，W保持式1的关系的方式改变可变电容器14的电容，由此能够使反谐 振点的频率可变。例如，在谐振电路1中，在将Lp固定为3.0址(Lp = 3. OnH)的状态下，W保持 式1的关系的方式使电容Cp改变，由此能够在高于谐振点的高频侧对反谐振点进行适当调 整。
[0026] 图3是表示在谐振电路1的反谐振点达到低于谐振点的低频侧的情况下，谐振电路 1的阻抗特性的图。图3的纵轴是谐振电路1的阻抗值，横轴是谐振电路1的信号频率[MHz]。 在Cp = 4.0pF的情况下，Lp = !/((or^xCp).兰1.72 nH。旧此，若选择满足Lp>1.72nH的电感 器15,则谐振电路1的反谐振点达到低于谐振点的低频侧。
[0027]图3中示出在将Cp固定为4.0pF(Cp = 4.OpF)时使Lp的值变化的情况下，谐振电路1 的阻抗特性的变化的一个示例。实线表示Lp = 3.化H时的特性，虚线表示Lp = 1.7nH时的特 性，点线表示Lp = 0.7nH时的特性，点划线表示Lp = OnH时的特性。图3中，仅有Lp = 3. OnH的 情况满足Lp>1.72nH。因此，仅在实线表示的特性中，谐振电路1的反谐振点位于低于谐振 点的低频侧。接着，固定电感器15的电感，W保持式2的关系的方式改变可变电容器14的电 容，由此能够使反谐振点的频率可变。
[002引根据图2、图3可知，即使将Lp固定为3. OnH (Lp = 3. OnH )，若调整电容Cp，则也能够 满足式1、式2中的任一个。因此，通过改变电容Cp,能够改变发送频带与接收频带在频率轴 上的位置，能够应对更多样的特性。
[0029] 如上所述，本实施方式所设及的谐振电路1中，通过选择可变电容器14和电感器 15，W使其电容和电感满足Lp<l/(?r 2XCp)、或Lp>l/(?r2XCp)的条件，从而能够将反 谐振点设置在谐振点的高频侧、或者设置在谐振点的低频侧。由此，在构成具备了谐振电路 1的高频滤波器的情况下，能够同时实现通频带与衰减频带的频率关系可反转的高频滤波 器。
[0030] 图1所示的谐振电路1中，在谐振元件11的谐振点与反谐振点的间隔（带宽比)较窄 的情况下，通过将电感器与谐振元件11相连接，能够扩大谐振元件11的带宽比。
[0031] 图4是实施方式1所设及的谐振电路的其他示例的电路图。图4所示的谐振电路IA 中，电感器12与谐振元件11串联连接。并且，该谐振元件11与电感器13并联连接。电感器12、 13分别是用于使谐振元件11的谐振点及反谐振点移动的元件，即所谓的延长线圈。
[0032] 图5是用于说明在将电感器12、13连接至谐振元件的情况下的谐振点及反谐振点 的动作的图。图5中，上侧的图表示电感器13与谐振元件11并联连接而成的电路的导纳特 性。图5中，下侧的图表示电感器12与谐振元件11和电感器13的并联电路串联连接后得到的 电路的阻抗特性。
[0033] 在图5的表示导纳特性的图中，纵轴是导纳值[S]，横轴是信号频率[G化]。实线表 示谐振元件11和电感器13的并联电路的特性，虚线仅表示谐振元件11的特性，点划线仅表 示电感器13的特性。该图中，谐振元件11和电感器13的并联电路的反谐振点(虚线中导纳值 为0时的频率)如图中的箭头所示那样，从谐振元件11的反谐振点向高频侧移动。即，通过将 电感器13与谐振元件11并联连接，从而使得谐振元件11的反谐振点向高频侧移动。
[0034] 在图5的表示阻抗特性的图中，纵轴是阻抗值[Q ]，横轴是信号频率[GHz]。实线表 示将电感器12串联连接至谐振元件11和电感器13的并联电路后得到的串联电路的特性，虚 线表示谐振元件11与电感器13的并联电路的特性，点划线仅表示电感器12的特性。该图中， 谐振元件11及电感器12、13的电路的谐振点（虚线中阻抗值为0时的频率)如图中的箭头所 示那样，从谐振元件11与电感器13的并联电路的谐振点向低频侧移动。即，通过将电感器12 串联连接至谐振元件11和电感器13的并联电路，从而使得谐振元件11的谐振点向低频侧移 动。
[0035] 由此，通过将电感器12、13串联或并联连接至谐振元件11，能够使谐振元件11的谐 振点及反谐振点移动，能够扩大谐振点及反谐振点之间的间隔。由此，能够在像图1的谐振 电路I那样通过改变可变电容器的电容来调整反谐振点时，扩大反谐振点的可变宽度。
[0036] 另外，根据上述式Lp = IA Or2XCp),若增大可变电容器的电容Cp,则电感器15的 电感Lp变为相对较小的值，因此，通过利用低溫烧结型层叠陶瓷基板、树脂基板的走线布 线，或者形成SAW滤波器或压电薄膜谐振器滤波器等压电谐振元件的忍片上的走线布线，来 形成电感器15，从而能够高精度地形成较小的电感器15。该电感器15若在化啡巧近则难W高 精度得形成，而一般若设为0.化HW上，甚至设为1.化HW上，则制造上的偏差变小，因而较 为优选。
[0037] (实施方式2) 下面，说明实施方式2所设及的谐振电路。实施方式2所设及的谐振电路与实施方式1的 不同点在于，能够同时调整谐振点及反谐振点双方。
[0038] 图6是实施方式2所设及的谐振电路的电路图。谐振电路2构成为进一步将由可变 电容器17和电感器18串联连接而成的串联电路19连接至实施方式1的谐振电路1A。通过将 可变电容器17和电感器18串联连接至谐振元件11，能够对谐振元件11的谐振点进行调整。
[0039] 图7是表示将可变电容器17和电感器18与谐振元件11串联连接而得到的电路的阻 抗特性的图。另外，图7的阻抗特性中，可变电容器14、电感器12、13、15的元件值设为0。若用 Cs来表示可变电容器17的电容，Ls表示电感器18的电感，则图7的实线表示Cs = 4.化F、Ls = 1. OnH的特性，虚线表示Cs = 4.化F、Ls =化H的特性，点划线表示Cs = 0.5pF、Ls = 1.化H的特 性。如图7的箭头所示，通过将可变电容器17和电感器18串联连接至谐振元件11，从而使得 谐振频率可变。
[0040] 如上所述，本实施方式所设及的谐振电路2通过进一步将可变电容器17和电感器 18串联连接至实施方式1的谐振电路1A，不仅能够对反谐振点进行调整，还能够对谐振点进 行调整。由此，在构成具有谐振电路2的高频滤波器的情况下，由于能够同时对其高频滤波 器的通过特性及衰减频带运两者进行调整，因此，能够实现下述高频滤波器，即：可利用一 个谐振电路2获得多个所希望的传输特性。由此，能够应对更多种特性。
[0041] 下面，说明实施方式2所设及的谐振电路2的变形例。图8、图9及图10是具有与实施 方式2所设及的谐振电路2不同结构的谐振电路的电路图。
[0042] 图8所示谐振电路2A具有并联电路20,该并联电路20通过分别将电感器13和串联 电路16并联连接至谐振元件11而得到。并且，并联电路20与串联电路19串联连接。若将该谐 振电路2A与