声波装置的制造方法
【专利摘要】一种声波装置包括：支承基板；压电基板，其结合到所述支承基板；第一声波元件，其形成在所述压电基板上；框架，其形成在所述支承基板上，以围绕所述第一声波元件；以及基板，其形成在所述框架上，使得在所述压电基板上方形成暴露了所述第一声波元件的腔体，其中，所述压电基板的表面方向上的第一方向上的所述支承基板和所述基板之间的线性膨胀系数差异小于所述第一方向上的所述支承基板和所述压电基板之间的线性膨胀系数差异，所述压电基板在形成所述第一声波元件的区域中保留下来并且在形成所述框架的区域中被去除。
【专利说明】
声波装置
技术领域
[0001] 本发明的某一方面涉及声波装置。
【背景技术】
[0002] 作为使用声波的声波装置，存在包括形成在上面的声波元件的压电基板被结合到 位于以便在声波元件上方具有腔体的基板并且用框架包围声波元件的已知装置。在这种声 波装置中，已知压电基板的材料与日本专利申请公开No. 2004-304622(专利文献1)中公开 的基板的材料不同的装置和压电基板的材料与日本专利申请公开No. 2006-246112(专利文 献2)中公开的基板的材料相同的装置。另外，已知如在日本专利申请公开No. 2008-546207 (专利文献3)中公开的在基板上还形成声波元件的装置。此外，已知如在日本专利申请公开 No.2005-10922(专利文献4)中公开的元件形成在两个基板中的至少一个上并且用树脂将 这两个基板彼此结合的薄膜装置。
[0003] 当压电基板的材料与专利文献1中公开的基板的材料不同时，因线性膨胀系数差 异，产生应力，从而使声波装置的可靠性降低。当压电基板的材料与专利文献2中公开的基 板的材料相同时，应力减小。然而，基板的材料需要与诸如钽酸锂基板或铌酸锂基板的压电 基板的材料相同，并且因此难以实现足够的强度。声波装置的可靠性由此降低。
【发明内容】
[0004] 根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，该声波装置包括:支承基板;压电基 板，其结合到所述支承基板;第一声波元件，其形成在所述压电基板上;框架，其形成在所述 支承基板上，以围绕所述第一声波元件；以及基板，其形成在所述框架上，使得在所述压电 基板上方形成暴露了所述第一声波元件的腔体，其中，所述压电基板的表面方向上的第一 方向上的所述支承基板和所述基板之间的线性膨胀系数差异小于所述第一方向上的所述 支承基板和所述压电基板之间的线性膨胀系数差异，并且所述压电基板在形成所述第一声 波元件的区域中保留下来并且在形成所述框架的区域中被去除。
【附图说明】
[0005] 图IA是根据第一比较示例的声波装置的平面图，以及图IB是沿着图IA中的A-A线 截取的剖视图；
[0006] 图2是根据第三比较示例的声波装置的剖视图；
[0007] 图3A是根据第一实施方式的声波装置的平面图，以及图3B是沿着图3A中的A-A线 截取的剖视图；
[0008] 图4A至图4C是示出制造第一实施方式的声波装置的方法的剖视图（第1);
[0009] 图5A至图5C是示出制造第一实施方式的声波装置的方法的剖视图（第2);
[0010] 图6A和图6B是根据第一实施方式的第一变形的声波装置的平面图，以及图6C是第 一实施方式的第一变形的声波装置的剖视图；
[0011] 图7A至图7C分别是根据第一实施方式的第二变形至第四变形的声波装置的剖视 图；
[0012] 图8是根据第二实施方式的声波装置的平面图；以及
[0013] 图9是根据第三实施方式的声波装置的平面图。
【具体实施方式】
[0014] 首先，将给出对根据比较示例的声波装置的描述。图IA是根据第一比较示例的声 波装置的平面图，以及图IB是沿着图IA中的A-A线截取的剖视图。图IA透明地示出基板78 等。如图IA和图IB中所示，第一比较示例的声波装置500包括形成在压电基板70上的声波元 件72,每个声波元件72包括叉指式换能器（IDT)和反射器。压电基板70是例如钽酸锂基板 (LT基板)或铌酸锂基板(LN基板）。
[0015] 在压电基板70上，形成包围声波元件72的框架74。基板78位于框架74上，使得腔体 76形成在声波元件72上方。基板78由与压电基板70的材料不同的材料制成，并且是例如蓝 宝石基板或娃基板(Si基板）。
[0016]在压电基板70上，形成与声波元件72连接的布线80。在布线80上，形成与穿透基板 78的穿通布线82连接的突出电极84。在穿通布线82上，形成用于外部连接的端子86。
[0017] 在第一比较示例中，压电基板70和基板78经由框架74彼此结合。压电基板70和基 板78由不同材料制成，并且因此在压电基板70的表面方向上具有不同的线性膨胀系数。因 此，因由于热导致的变化，产生应力。例如，因当压电基板70和基板78经由框架74结合时产 生的热，产生应力。因此，声波装置的可靠性降低。
[0018] 接下来，将给出对根据第二比较示例的声波装置的描述。除了基板78和压电基板 70由相同材料制成之外，第二比较示例的声波装置与第一比较示例的声波装置相同，并且 因此省略了图示。例如，当压电基板70是LT基板时，基板78是LT基板。当压电基板70是LN基 板时，基板78是LN基板。
[0019] 在第二比较示例中，压电基板70和基板78由相同材料制成，并且因此应力减小。然 而，LT和LN具有相对低的硬度(蓝宝石具有9的莫氏硬度，而LT具有5.5的莫氏硬度并且LN具 有5的莫氏硬度)和相对小的杨氏模量(蓝宝石具有470GPa的杨氏模量，而LT具有230GPa的 杨氏模量并且LN具有203GPa的杨氏模量）。因此，当基板78是LT基板或LN基板时，难以实现 足够的强度，并且声波装置的可靠性因此降低。
[0020] 接下来，将给出对根据第三比较示例的声波装置的描述。图2是根据第三比较示例 的声波装置的剖视图。在第三比较示例的声波装置600中，压电基板70变薄并且结合到支承 基板88,如图2中所示。支承基板88由与压电基板70的材料不同的材料制成，并且例如是蓝 宝石基板或Si基板。基板78由与支承基板88相同的材料制成。例如，当支承基板88是监宝石 基板时，基板78是蓝宝石基板。当支承基板88是Si基板时，基板78是Si基板。其它结构与第 一比较不例的其它结构相同，因此省略描述。
[0021] 在第三比较示例中，压电基板70(例如，LT基板或LN基板）结合到支承基板88(例 如，蓝宝石基板或Si基板）。蓝宝石和Si的线性膨胀系数小于LT和LN的线性膨胀系数，从而 改进声波装置的温度特性。另一方面，由于压电基板70结合到由与基板78相同的材料制成 的支承基板88，因此应力略有减小，但是仍然大。因此，声波装置的可靠性降低。
[0022]下文中，将给出对能够提高声波装置的可靠性的实施方式的描述。
[0023]第一实施方式
[0024]图3A是根据第一实施方式的声波装置的平面图，以及图3B是沿着图3A中的A-A线 截取的剖视图。图3A透明地示出基板28等。如图3A和图3B中所示，在第一实施方式的声波装 置100中，压电基板12结合到支承基板10。支承基板10由与压电基板12的材料不同的材料制 成。支承基板10是例如蓝宝石基板。压电基板12是例如42°旋转Y切割X传播LT基板。支承基 板10具有例如50μπι至150μπι的厚度，压电基板12具有例如40μπι或更小的厚度。
[0025] 在压电基板12的上表面上，形成叉指式换能器(IDT) 14和反射器16 JDT 14在压电 基板12中或在压电基板12的表面上激发声波。反射器16反射该声波。IDT 14和反射器16形 成诸如谐振器的声波元件IStJDT 14和反射器16由金属膜(诸如，铝膜、铜膜或添加铜的铝 膜)制成。
[0026] 在支承基板10上，形成布线20和框架22。布线20将声波元件18电互连，和/或将声 波元件18电连接到突出电极24。突出电极24形成在布线20上，并且电连接到穿透基板28的 穿通布线30。框架22被形成为包围声波元件18。布线20由通过从底部起依次堆叠例如钛膜 和金膜而形成的金属膜制成。框架22由通过从底部起依次堆叠例如钛膜、金膜、焊料和铜膜 而形成的金属膜制成。突出电极24由通过从底部起依次堆叠例如焊料和铜膜而形成的金属 膜制成。
[0027]压电基板12在其中形成有声波元件18的区域中保留下来，而在其它区域中被去 除。因此，在形成布线20和框架22的区域中，压电基板12被去除，使得支承基板10被暴露。也 就是说，没有在布线20和支承基板10之间或者框架22和支承基板10之间形成压电基板12。 当考虑制造误差或制造余量时，压电基板12优选地比形成声波元件18的区域宽几微米至十 微米。
[0028]基板28位于框架22上，使得在压电基板12上方形成暴露了声波元件18的腔体26。 这个结构气密性密封声波元件18。当声波元件18暴露于腔体26时，声波元件18中的IDT 14 的振动干扰减少。基板28由与例如支承基板10的材料相同的材料制成，并且是蓝宝石基板。 支承基板10的上表面和基板28的下表面之间的距离是例如ΙΟμπι至50μπι。基板28具有例如50 μπι至100μπι的厚度。用于外部连接的端子32形成在穿透基板28的穿通布线30上。穿通布线30 由诸如金膜或铜膜的金属膜形成。端子32由通过从底部起依次堆叠例如铜膜、镍膜和金膜 而形成的金属膜形成。
[0029]这里，将给出对支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀系数的关系的描述。如 上所述，支承基板10和基板28是例如蓝宝石基板，压电基板12是例如42°旋转Y切割X传播LT 基板。42°旋转Y切割X传播LT基板的线性膨胀系数在表面方向上大大地变化，并且声波的传 播方向（即，X轴取向）上的线性膨胀系数是16. lppm/°C，并且在声波的传播方向的垂直方向 上的线性膨胀系数是9.5ppm/°C。另一方面，蓝宝石基板在表面方向上具有大约7ppm/°C的 线性膨胀系数。如根据以上事实理解的，在支承基板10、压电基板12和基板28的线性膨胀系 数之中，压电基板12的表面方向上的第一方向上的支承基板10和基板28之间的线性膨胀系 数差异小于第一方向上的支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀系数差异。例如，声波 传播方向上的支承基板10和基板28之间的线性膨胀系数差异(7-7 = 0ppm/°C)小于声波传 播方向上的支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀系数差异(16.1-7 = 9. lppm/°C)。
[0030] 如图3A中所示，形成在压电基板12上的声波元件18形成串联谐振器SI至S3和并联 谐振器Pl、P2。通过布线20在输入端IN和输出端OUT之间串联连接一个或更多个串联谐振器 Sl至S3。通过布线20在输入端IN和输出端OUT之间并联连接一个或更多个并联谐振器Pl和 P2。并联谐振器Pl和P2通过布线20电连接到接地端GND。
[0031] 图4A至图5C是示出制造第一实施方式的声波装置的方法的剖视图。图4A至图4C是 示出制造支承基板10等的方法的剖视图。图5A和图5B是示出制造基板28等的方法的剖视 图，以及图5C是示出结合支承基板10和基板28的步骤的剖视图。分别（例如，同时)进行图4A 至图4C中示出的制造过程和图5A和图5B中示出的制造过程。
[0032] 将给出对制造支承基板10等的方法的描述。如图4A中所示，将压电基板12结合到 支承基板10的上表面上。通过例如活化表面并随后在室温下结合表面，将支承基板10结合 到压电基板12。然后，在压电基板12上形成由金属膜制成的IDT 14和反射器16,以形成声波 元件18。可通过溅射或蒸发来形成金属膜，可通过蚀刻或剥离来形成图案。
[0033]如图4B中所示，在压电基板12上形成掩模层50。掩模层50是例如光致抗蚀剂。声波 元件18上的掩模层50保留下来，而在其它区域中形成掩模层50的开口。通过使用掩模层50 作为掩模来去除压电基板12。可通过蚀刻或喷砂(blast)来去除压电基板12。该过程去除除 了形成声波元件18的区域外的区域中的压电基板12,并且允许暴露支承基板10。
[0034]如图4C中所示，去除掩模层50。然后，在支承基板10上形成掩模层52。掩模层52是 例如光致抗蚀剂。在将要形成布线20和框架22的区域中形成掩模层52的开口，并且其它区 域中的掩模层52保留下来。通过使用掩模层52作为掩模，在支承基板10上形成由金属膜制 成的布线20和框架22的下层22a。可通过溅射、蒸发或电镀来形成金属膜。在形成金属膜之 后，去除掩模层52。
[0035]接下来，将给出对制造基板28等的方法的描述。如图5A中所示，形成穿透基板28的 穿通布线30和与穿通布线30连接的端子32。可通过形成穿透基板28的孔并且随后将金属膜 嵌入孔中来形成穿通布线30。可通过利用溅射或蒸发形成金属膜并且随后通过蚀刻或剥离 形成图案来形成端子32。
[0036]如图5B中所示，在基板28的与端子32相反侧的表面上形成掩模层54。掩模层54是 例如光致抗蚀剂。在将形成框架22和突出电极24的区域中形成掩模层54的开口，其它区域 中的掩模层54保留下来。通过使用掩模层54作为掩模，在基板28上形成由金属膜制成的框 架22的上层22b和突出电极24。可通过溅射、蒸发或电镀来形成金属膜。在形成金属膜之后， 去除掩模层54。
[0037] 在图4A至图5B中示出的制造过程之后，在基板28上形成的框架22的上层22b结合 到在支承基板10上形成的框架22的下层22a，如图5C中所示。该过程在声波元件18上方形成 腔体26并且气密地密封声波元件18。另外，突出电极24结合到布线20。上述过程完成第一实 施方式的声波装置。
[0038]根据第一实施方式，在支承基板10、压电基板12和基板28的线性膨胀系数之中，压 电基板12的表面方向上的第一方向上的支承基板10和基板28之间的线性膨胀系数差异小 于第一方向上的支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀系数差异。如图3A和图3B中所 示，结合到支承基板10的压电基板12在形成声波元件18的区域中保留下来，并且在形成框 架22的区域中被去除。该结构允许框架22结合到支承基板10和基板28,支承基板10和基板 28之间的线性膨胀系数差异相对小。因此，应力减小。另外，基板28和压电基板12由不同材 料制成，并且因此基板28可具有足够的强度。因此，可实现优良的可靠性。
[0039]第一实施方式作为示例描述了以下情况:压电基板12是42°旋转Y切割X传播LT基 板，但不旨在暗示有任何限制。压电基板12可以是具有另一切割角度和另一传播方向的LT 基板或LN基板，或者是除了 LT基板和LN基板外的压电基板。例如，压电基板12可以是36°~ 46°旋转Y切割X传播LT基板。
[0040] 表1列出压电基板12以及各示例的表面方向上的声波传播方向上的线性膨胀系数 和声波传播方向的垂直方向上的线性膨胀系数的示例。
[0041] [表1]
[0043] 根据表1清楚的是，当压电基板12是旋转Y切割X传播LT基板或旋转Y切割X传播LN 基板时，声波的传播方向（即，X轴取向）上的线性膨胀系数大。因此，当压电基板12是旋转Y 切割X传播LT基板或旋转Y切割X传播LN基板时，声波的传播方向(X轴取向）上的支承基板10 和基板28之间的线性膨胀系数差异需要小于传播方向上的支承基板10和压电基板12之间 的线性膨胀系数差异。也就是说，压电基板12的线性膨胀系数为最大的方向上的支承基板 10和基板28之间的线性膨胀系数差异需要小于该方向上的支承基板10和压电基板12之间 的线性膨胀系数差异。换句话讲，支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀系数差异为最 大的方向上的支承基板10和基板28之间的线性膨胀系数差异需要小于该方向上的支承基 板10和压电基板12之间的线性膨胀系数差异。
[0044] 根据表1，旋转Y切割X传播LT基板和旋转Y切割X传播LN基板在与声波的传播方向 垂直的方向上的线性膨胀系数相对小。因此，当压电基板12是旋转Y切割X传播LT基板或旋 转Y切割X传播LN基板时，在与声波的传播方向垂直的方向上的支承基板10和基板28之间的 线性膨胀系数差异优选地小于该垂直方向上的支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀 系数差异。该构造允许支承基板10的线性膨胀系数接近基板28的线性膨胀系数。
[0045]此外，根据表1，X切割旋转Y传播LT基板在与声波传播方向垂直的方向上具有大的 线性膨胀系数，并且在声波的传播方向上具有相对小的线性膨胀系数。因此，当压电基板12 是X切割旋转Y传播LT基板时，在声波传播方向的垂直方向上的支承基板10和基板28之间的 线性膨胀系数差异需要小于该垂直方向上的支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀系 数差异。声波的传播方向上的支承基板10和基板28之间的线性膨胀系数差异优选地小于传 播方向上的支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀系数差异。
[0046]此外，根据表1，Y切割Z传播LN基板在与声波的传播方向上具有大线性膨胀系数， 并且在与声波的传播方向垂直的方向上具有相对小的线性膨胀系数。因此，当压电基板12 是Y切割Z传播LN基板时，在声波的传播方向上的支承基板10和基板28之间的线性膨胀系数 差异需要小于该传播方向上的支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀系数差异。声波的 传播方向的垂直方向上的支承基板10和基板28之间的线性膨胀系数差异优选地小于该垂 直方向上的支承基板10和压电基板12之间的线性膨胀系数差异。
[0047]另外，根据第一实施方式，如图3Α和图3Β中所示，在形成突出电极24的区域中去除 压电基板12。该结构允许突出电极24结合到其间的线性膨胀系数差异相对小的支承基板10 和基板28，从而减小应力。
[0048] 此外，根据第一实施方式，支承基板10和基板28由相同材料制成，并且应力由此进 一步减小。第一实施方式作为示例描述了以下情况:支承基板10和基板28二者均是蓝宝石 基板，但支承基板10和基板28二者可以是诸如Si基板(线性膨胀系数:3.4ppm/°C)的其它基 板。
[0049] 此外，根据第一实施方式，框架22包含具有声波的传播方向上的线性膨胀系数与 支承基板10的线性膨胀系数的差异小于传播方向上的支承基板10和压电基板12之间的线 性膨胀系数差异的材料(例如，线性膨胀系数是8.6ppm/°C的钛）。该构造允许框架22的线性 膨胀系数接近支承基板10的线性膨胀系数，并且防止应力增大。为了减小应力，框架22中包 含的以上材料优选地被形成为与支承基板10和基板28中的至少一个进行接触。另外，当支 承基板10是Si基板时，框架22优选地包含钨(线性膨胀系数:4ppm/°C)或钼(线性膨胀系数： 5ppm/°C )作为上述材料。另外，框架22可包含FeNi基合金(线性膨胀系数:0.5~15ppm/°C) 作为上述材料。
[0050] 根据第一实施方式，框架22由金属膜制成，并且因此相比于框架22由树脂膜制成 的情况，声波元件18的气密性提高。另外，因为压电基板12结合到具有比压电基板12小的线 性膨胀系数的支承基板10,所以声波元件18的温度特性改进。
[0051 ]在第一实施方式中，布线20被形成为越过(cross)压电基板12边缘处的高度差。因 此，为了防止布线20断开，压电基板12的边缘可被形成为倾斜。当压电基板12的边缘被形成 为不倾斜时，可通过调节布线20的厚度来防止布线20断开。
[0052]第一实施方式将表面声波装置描述为声波装置的示例，但声波装置可以是边界声 波装置或勒夫波(Love wave)装置。
[0053]图6A和图6B是根据第一实施方式的第一变形的声波装置的平面图，图6C是第一实 施方式的第一变形的声波装置的剖视图。如图6A至图6C中所示，第一实施方式的第一变形 的声波装置110包括由压电薄膜谐振器制成的声波元件34和在基板28的下表面上形成的布 线36。声波元件34形成串联谐振器Sll至S13和并联谐振器Pll、P12。通过布线36在输入端IN 和输出端OUT之间串联连接一个或更多个串联谐振器Sll至S13。通过布线36在输入端IN和 输出端OUT之间并联连接一个或更多个并联谐振器Pl 1和Pl 2。并联谐振器Pl 1和Pl 2通过布 线36连接到接地端GND。其它构造与第一实施方式的其它构造相同，因此省略描述。
[0054]如第一实施方式的第一变形中描述的，声波元件34可形成在基板28下方，以暴露 于腔体26。该结构能够得到包括多个滤波器的小声波装置。例如，由声波元件18构成的滤波 器和由声波元件34构成的滤波器中的一个可用作发送滤波器，而另一个用作接收滤波器， 以形成双工器。
[0055]图7A至图7C分别是根据第一实施方式的第二变形至第四变形的声波装置的剖视 图。如图7A中所示，第一实施方式的第二变形的声波装置120包括穿通布线38,该穿通布线 38穿透支承基板10并且电连接到支承基板10的布线20。在穿通布线38下方，形成用于外部 连接的端子40。其它结构与第一实施方式的第一变形的其它结构相同，并且因此省略描述。 如第一实施方式的第二变形中描述的，穿通布线38和端子40可形成在支承基板10上，以允 许从支承基板10的下侧和基板28的上侧二者的外部连接。
[0056]如图7B中所示，在第一实施方式的第三变形的声波装置130中，压电基板12结合到 基板28的下基板，而非声波元件34,并且声波元件18形成在压电基板12的下表面上。其它结 构与第一实施方式的第二变形的其它结构相同，并且省略描述。如第一实施方式的第三变 形中描述的，在基板28下方形成的声波元件不限于压电薄膜谐振器，并且可以是表面声波 元件。
[0057]如图7C中所示，在第一实施方式的第四变形的声波装置140中，在基板28a的中心 部分中形成凹陷部分。其它结构与第一实施方式的第二变形的其它结构相同，并且因此省 略描述。如第一实施方式的第四变形中描述的，基板28a可具有在中心部分形成凹陷部分的 形状。
[0058]第一实施方式的第一变形至第四变形作为示例描述了以下情况:声波元件形成在 基板28下方，但可形成集成无源器件（IPD)或芯片组件作为声波元件的替代或作为声波元 件的补充。
[0059]第二实施方式
[0060]图8是根据第二实施方式的声波装置的平面图。如图8中所示，在第二实施方式的 声波装置200中，除了形成声波元件18的区域之外，压电基板12a还在形成布线20的区域中 保留下来。也就是说，在突出电极24和支承基板10之间形成压电基板12。其它结构与第一实 施方式的其它结构相同，并且因此省略描述。
[0061]在第二实施方式中，在形成框架22的区域中去除压电基板12。因此，框架22结合到 其间的线性膨胀系数差异相对小的支承基板10和基板28。因此，应力减小，并且实现优良的 可靠性。
[0062]第三实施方式
[0063]图9是根据第三实施方式的声波装置的平面图。如图9中所示，在第三实施方式的 声波装置300中，除了形成声波元件18的区域之外，压电基板12b还在形成布线20的区域中 保留下来，但压电基板12b在形成突出电极24的区域中被去除。其它结构与第一实施方式的 其它结构相同，并且因此省略描述。
[0064]在第三实施方式中，在形成框架22的区域和形成突出电极24的区域二者中去除压 电基板12b。因此，框架22和突出电极24结合到其间的线性膨胀系数差异相对小的支承基板 10和基板28，从而应力减小。
[0065]压电基板是热电体，并且因此当施加应力和/或热时，产生电荷。因此，随着压电基 板的面积增大，所产生的电荷增加，从而声波元件可能会受损。因此，压电基板的面积优选 地较小。因此，如第一实施方式的图3A中所示，优选地，压电基板12仅在形成声波元件18的 区域中保留下来，并且优选地，压电基板12在所有其它区域中被去除。
[0066]第一实施方式至第三实施方式作为示例描述了以下情况:支承基板10和基板28由 相同材料制成，但不旨在暗示有任何限制。支承基板10和基板28可由不同材料制成，只要支 承基板10、压电基板12和基板28满足以下条件:压电基板12的表面方向上的第一方向上的 支承基板10和基板28之间的线性膨胀系数差异小于第一方向上的支承基板10和压电基板 12之间的线性膨胀系数差异。例如，支承基板10和基板28中的一个可以是蓝宝石基板而另 一个可以是氧化铝陶瓷基板。另选地，支承基板10和基板28中的一个可以是Si基板，而另一 个可以是诸如Pyrex(注册商标)玻璃的玻璃基板。鉴于声波元件18的特性，支承基板10优选 地是蓝宝石基板。
[0067]尽管已经详细描述了本发明的实施方式，但要理解，可在不脱离本发明的精神和 范围的情况下，对此进行各种变化、替代和改变。
【主权项】
1. 一种声波装置，所述声波装置包括： 支承基板； 压电基板，其结合到所述支承基板； 第一声波元件，其形成在所述压电基板上； 框架，其形成在所述支承基板上，以围绕所述第一声波元件；以及 基板，其形成在所述框架上，使得在所述压电基板上方形成暴露所述第一声波元件的 腔体，其中， 所述压电基板的表面方向上的第一方向上的所述支承基板和所述基板之间的线性膨 胀系数差异小于所述第一方向上的所述支承基板和所述压电基板之间的线性膨胀系数差 异，并且 所述压电基板在形成所述第一声波元件的区域中保留下来并且在形成所述框架的区 域中被去除。2. 根据权利要求1所述的声波装置，所述声波装置还包括： 突出电极，其位于所述支承基板和所述基板之间，并且连接位于所述支承基板上的与 所述第一声波元件电连接的布线和位于所述基板上的布线，其中， 所述压电基板在形成所述突出电极的区域中被去除。3. 根据权利要求1或2所述的声波装置，其中， 所述框架包含具有线性膨胀系数的材料，所述第一方向上的所述材料的线性膨胀系数 与所述支承基板的线性膨胀系数的差异小于所述第一方向上的所述支承基板和所述压电 基板之间的线性膨胀系数差异。4. 根据权利要求1或2所述的声波装置，其中， 所述第一方向是所述支承基板和所述压电基板之间的线性膨胀系数差异最大的方向。5. 根据权利要求1或2所述的声波装置，其中， 所述支承基板和所述基板由相同材料制成。6. 根据权利要求1或2所述的声波装置，其中， 所述支承基板是蓝宝石基板。7. 根据权利要求1或2所述的声波装置，其中， 所述压电基板是钽酸锂基板或铌酸锂基板。8. 根据权利要求1或2所述的声波装置，其中， 所述压电基板是旋转Y切割X传播钽酸锂基板或旋转Y切割X传播铌酸锂基板，并且 所述旋转Y切割X传播钽酸锂基板或所述旋转Y切割X传播铌酸锂基板的X轴取向上的所 述支承基板和所述基板之间的线性膨胀系数差异小于所述X轴取向上的所述支承基板和所 述压电基板之间的线性膨胀系数差异。9. 根据权利要求1或2所述的声波装置，所述声波装置还包括： 第二声波元件，其位于所述基板下方并且暴露于所述腔体。
【文档编号】H03H9/02GK105915195SQ201511008903
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2015年12月29日
【发明人】黑柳琢真
【申请人】太阳诱电株式会社