一种射频功率放大器电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于射频功率放大器电路，特别是电子与通信领域。
【背景技术】
[0002]近些年来，国内外开展了一系列关于射频功率放大器电路的研宄。在特定的频段内，取得了不少成果，尤其是运用在WCDMA技术中，使用在功率放大器前端和天线馈电部分，但是，其设计结构仅仅只能在特定的频段内使用，并且带宽较小、信号衰减较大，使得系统体积较大，通用性不强。同时传统的射频功率放大电路由于其电路结构的问题，使得对温度敏感性极强，适用性受到很大限制。本实用新型针对以上问题，可以有效解决，以满足系统要求，并且具有可调性、稳定性高、体积小、加工简单，适用范围广泛。
【发明内容】
[0003]本实用新型目的在于提供一种利用CMOS晶体管和集总式混合形式元器件搭建、具有功率放大效果、结构简单、多频段、体积小、稳定性高、温度敏感性相对较小的可调射频功率放大电路。
[0004]实现本实用新型目的的技术方案是:一种射频功率放大器电路:包括输入端口、输入匹配网络、CMOS驱动电路、内部匹配网络、功率放大及输出匹配网络、输出端口、输入匹配网络由可调电容C1和电感L1组成、驱动电路由CMOS管(FET1~FET4)串并联而成；内部匹配网络由可调电容C2和电感L2组成；功率放大部分由CMOS管(FET5~FET8)串并联组成；内部匹配网络由电容C3、C4、C5、C6及电感L 3、L4组成，其中C 3、C4为可调电容；输入端口 I和输出端口 2均接50欧姆阻抗。
[0005]与现有技术相比，由于本实用新型采用CMOS晶体管串并联结构和集总结构元器件混合构成，所带来的显著优点是:(I)信号衰减更小；(2)带宽可调；(3)结构简单，体积较小；(4)带外噪声抑制良好；(6)稳定性好；(7)温度不敏感性强；(8)适用性广泛，可适用于各种对性能要求较高的系统中。
【附图说明】
[0006]图1是本实用新型一种射频功率放大器电路结构示意图。
[0007]图2是本实用新型一种射频功率放大器电路图。
[0008]图3是本实用新型一种射频功率放大器输出匹配网络电路图。
[0009]图4是本实用新型一种射频功率放大器输出匹配网络响应曲线。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本实用新型作进一步详细描述。
[0011]结合图1，图2，本实用新型是一种射频功率放大器电路，选取一定波段的一个实例进行详细描述，包括输入端口、输入匹配网络、CMOS驱动电路、内部匹配网络、功率放大及输出匹配网络、输出端口、输入匹配网络由可调电容Cjp电感L i组成、驱动电路由CMOS管(FET1~FET4)串并联而成；内部匹配网络由可调电容C2和电感L2组成；功率放大部分由CMOS管(FET5~FET8)串并联组成；内部匹配网络由电容C3、C4、C5、C6及电感L 3、L4组成，其中C3、C4为可调电容；输入端口 I和输出端口 2均接50欧姆阻抗。
[0012]结合图3，通过仿真结果图4可以看出，此输出匹配网络具有较宽的带宽，且带宽可调。并且以满足系统的线性度要求。
[0013]本实用新型一种射频功率放大器电路，结合图1，其工作原理简述如下:包括输入端口、输入匹配网络、CMOS驱动电路、内部匹配网络、功率放大及输出匹配网络、输出端口组成。当信号进入输入端主电路后，可以通过调节匹配网络中的电容的大小，将信号放大到输出?而口，从而实现了功率放大的效果。
[0014]本实用新型射频功率放大电路中的主电路由CMOS晶体管结构和集总元件组成，结构简单，性能良好，满足系统线性度要求，能够满足系统的各项要求。
【主权项】
1.一种射频功率放大器电路，其特征在于:包括输入端口、输入匹配网络、CMOS驱动电路、内部匹配网络、功率放大及输出匹配网络、输出端口、输入匹配网络由可调电容C1和电感L1组成、驱动电路由CMOS管(FET1~FET4)串并联而成；内部匹配网络由可调电容C 2和电感L2组成；功率放大部分由CMOS管(FET5~FET8)串并联组成；内部匹配网络由电容C 3、C4、C5、C6及电感L 3、L4组成，其中C 3、C4为可调电容；输入端口 I和输出端口 2均接50欧姆阻抗。
2.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器电路，其特征在于驱动电路由四个CMOS管晶体管组成；功率放大部分由四个CMOS管晶体管组成；匹配网络均由无源元件可调电容、电感实现实现，其中输入匹配网络采用Γ形结构实现；中间匹配网络采用T型网络结构实现；输出匹配网络采用π型网络结构实现。
3.根据权利要求1或2所述的一种射频功率放大器电路，其特征在于:其电路结构可在lOMHz-lOGHz频段内实现不同带宽的功率放大。
【专利摘要】本实用新型公开了一种射频功率放大器电路，该电路结构由输入匹配网络、驱动电路、内部匹配网络、功率放大及输出匹配网络实现。本实用新型可以广泛使用在WCDMA 频段前端、天线前置部分等对性能要求严格的地方。有效减少了功率放大器的级数，并且能够减少通带外噪声，提高稳定性。本射频放大电路能够减小电路对温度的敏感性，适应性强。同时，相比其他结构的功率放大器电路，本实用新型可以实现较大信号放大和更小的信号衰减，并可运用到不同的频段内。本实用新型可以保证系统在通带内的线性度更好，用以满足系统高性能要求。
【IPC分类】H03F1-02, H03F3-20, H03F1-26, H03F3-189
【公开号】CN204316443
【申请号】CN201420511525
【发明人】不公告发明人
【申请人】王少夫
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年9月8日