一种延时电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及自动化控制技术领域，特别涉及一种延时电路。
【背景技术】
[0002]在电子产品日益普及的今天，对其工作性能的要求也越来越高。电子产品在正常工作时，往往具备一些工作状态。以电视广播产品为例，电视广播产品在工作时，往往具备观看电台，收听频率以及播放时间点等工作状态。在电子产品停止工作后，人们往往希望电子产品能够记忆这些正常工作时的工作状态。这样在下次开机时，电子产品便不需要重新设置，就可以延续关机前的工作状态继续工作。
[0003]然而现有技术中的开关机电路往往没有延时记忆的功能。当人们下达关机断电的指令时，电子产品便完全断电，无法保存正常的工作状态，这样会给用户带来不好的体验。
【实用新型内容】
[0004]本申请实施例的目的在于提供一种延时电路，能够在关机指令下达后，保存电子产品的正常工作状态。
[0005]本申请实施例提供的一种延时电路是这样实现的:
[0006]一种延时电路，包括:开关机指令下达模块，缓冲延时模块，双向隔离模块，工作模块，控制模块，记忆模块，其中:
[0007]所述开关机指令下达模块，用来对电子产品下达开机或者关机的指令，所述开关机指令下达模块的一端接地；
[0008]所述缓冲延时模块，用来在电子产品关机后，对电路进行缓冲，确保电子产品不会立即断电；
[0009]所述双向隔离模块，用来隔离所述工作模块与控制模块的信号串扰；
[0010]所述工作模块，用来维持电子产品的正常工作状态；
[0011]所述控制模块，用来控制记忆模块的电平；
[0012]所述记忆模块，用来当工作在高电平时，记忆电子产品的工作状态。
[0013]优选地，所述开关机指令下达模块为开关。
[0014]优选地，所述缓冲延时模块为串联连接的电阻和电容。
[0015]优选地，所述双向隔离模块为阴极相连的两个二极管。
[0016]优选地，所述工作模块为场效应管。
[0017]优选地，所述控制模块为电压为3.3V的电平。
[0018]优选地，所述记忆模块为微处理器。
[0019]本申请实施例提供的一种延时电路，通过在电子产品中增加延时和记忆的硬件电路，可以在延时的有限时间内配合微处理器记忆电子产品的正常工作状态。这样能够保证下次开机时，电子产品可以调用上次记忆的工作状态信息，快速确定上次的工作状态，能够改善用户体验。
【附图说明】
[0020]图1为本申请提供的一种延时电路的功能模块图；
[0021]图2为本申请一实施例中延时电路的应用实例图。
【具体实施方式】
[0022]本申请提供一种延时电路。为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0023]图1为本申请提供的一种延时电路的功能模块图。如图1所示，所述延时电路具体可以包括:开关机指令下达模块1，缓冲延时模块2，双向隔离模块3，工作模块4，控制模块5，记忆模块6，其中:
[0024]所述开关机指令下达模块I，用来对电子产品下达开机或者关机的指令，所述开关机指令下达模块I的一端接地；
[0025]所述缓冲延时模块2，用来在电子产品关机后，对电路进行缓冲，确保电子产品不会立即断电；
[0026]所述双向隔离模块3，用来隔离工作模块4与控制模块5的信号串扰；
[0027]所述工作模块4，用来维持电子产品的正常工作状态；
[0028]所述控制模块5，用来控制记忆模块6的电平；
[0029]所述记忆模块6，用来当工作在高电平时，记忆电子产品的工作状态。
[0030]所述双向隔离模块的第一端口与所述工作模块相连接，所述双向隔离模块的第二端口与开关机指令下达模块相连接，所述双向隔离模块的第三端口与所述记忆模块和控制模块相连接；所述缓冲延时模块与所述工作模块相连接。
[0031]具体地，所述开关机指令下达模块I与双向隔离模块3的第二端口相连，所述双向隔离模块3的第一端口与工作模块4相连，第三端口与控制模块5和记忆模块6相连，所述工作模块4与缓冲延时模块2相连。当电子产品正常工作时，开关机指令下达模块I的状态为开机。此时，工作模块4，双向隔离模块3与开关机指令下达模块I形成导通的回路，电子产品正常工作。此时，控制模块5，双向隔离模块3与开关机指令下达模块I也形成导通的回路，从而导致记忆模块6为低电平，因此记忆模块6此时不工作。此时，由于缓冲延时模块2中包括能够隔离直流的组件，因此工作模块4与缓冲延时模块2无法形成导通的回路，导致缓冲延时模块2也不处于工作状态。
[0032]当开关机指令下达模块I的状态为关机时，所述开关机指令下达模块I会与双向隔离模块3断开连接。此时，缓冲延时模块2便会进入工作状态，工作模块4会对缓冲延时模块放电。在放电的这段时间内，电子产品依然正常工作，工作状态也依然持续，这样便可以实现电路的延时功能。另外，由于开关机指令下达模块I与双向隔离模块3断开连接，导致控制模块5开始影响记忆模块6的电平，最终记忆模块6的电平可以与控制模块5的电平相同，为高电平。此时，记忆模块6便开始工作，记忆下电子产品的工作状态。
[0033]图2为本申请一实施例中延时电路的应用实例图。如图2所示，所述开关机指令下达模块I为开关PWRSW，所述缓冲延时模块2为电阻R80与电容C63的串联，所述双向隔离模块3为串联的二极管D4和二极管D2，所述两个二极管的阴极互相连接，所述工作模块4为场效应管Q6，具体的型号为SI2301，所述控制模块5为电压为3.3V的电平VCC和电阻R147的串联，所述记忆模块6为微处理器。所述微处理的PW-ON端口电平为高电平时，微处理器可以工作，可以记忆电子产品正常工作时的状态。图2中的VBAT为正常工作电压。
[0034]当开关PWRSW位于开的位置时，VBAT给场效应管Q6施加电压，场效应管Q6与二极管D4以及开关PWRSW处于导通状态，电子产品可以正常工作。此时，由于缓冲延时模块中具有组个直流的电容C63，因此并不处于工作状态。另外，由于VCC通过电阻R147，二极管D2以及开关PWRSW形成到导通回路，导致PW-ON的电平为低电平，微处理器不工作。
[0035]当开关PWRSW位于关的位置时，与二极管D4断开连接。此时，VBAT便通过场效应管Q6以及电阻R80向电容C63充电。在实际应用场景中，该充电的时长为5至8秒钟。同时，由于开关PWRSW断开连接，导致VCC通过电阻R147和二极管D2无法形成回路。这样，VCC便通过电阻R147将PW-ON的电平拉高，Pff-ON的电平接近3.3V。此时，与PW-ON相连的微处理器便开始工作，记忆下电子产品此刻的工作状态。这样便可以完成延时和记忆的功能。
[0036]本申请实施例通过在电子产品中增加延时和记忆的硬件电路，可以在延时的有限时间内配合微处理器记忆电子产品的正常工作状态。这样能够保证下次开机时，电子产品可以调用上次记忆的工作状态信息，快速确定上次的工作状态，能够改善用户体验。
【主权项】
1.一种延时电路，其特征在于，所述电路包括:开关机指令下达模块，缓冲延时模块，双向隔离模块，工作模块，控制模块，记忆模块，其中: 所述开关机指令下达模块，用来对电子产品下达开机或者关机的指令，所述开关机指令下达模块的一端接地； 所述缓冲延时模块，用来在电子产品关机后，对电路进行缓冲，确保电子产品不会立即断电； 所述双向隔离模块，用来隔离所述工作模块与控制模块的信号串扰； 所述工作模块，用来维持电子产品的正常工作状态； 所述控制模块，用来控制记忆模块的电平； 所述记忆模块，用来当工作在高电平时，记忆电子产品的工作状态； 所述双向隔离模块的第一端口与所述工作模块相连接，所述双向隔离模块的第二端口与开关机指令下达模块相连接，所述双向隔离模块的第三端口与所述记忆模块和控制模块相连接；所述缓冲延时模块与所述工作模块相连接。
2.如权利要求1所述的一种延时电路，其特征在于，所述缓冲延时模块包括隔离直流的组件。
3.如权利要求1所述的一种延时电路，其特征在于，所述开关机指令下达模块为开关。
4.如权利要求1所述的一种延时电路，其特征在于，所述缓冲延时模块为串联连接的电阻和电容。
5.如权利要求1所述的一种延时电路，其特征在于，所述双向隔离模块为阴极相连的两个二极管。
6.如权利要求1所述的一种延时电路，其特征在于，所述工作模块为场效应管。
7.如权利要求1所述的一种延时电路，其特征在于，所述控制模块为电压为3.3V的电平。
8.如权利要求1所述的一种延时电路，其特征在于，所述记忆模块为微处理器。
【专利摘要】本申请提供一种延时电路。所述电路包括开关机指令下达模块，缓冲延时模块，双向隔离模块，工作模块，控制模块，记忆模块。本申请实施例提供的一种延时电路，通过在电子产品中增加延时和记忆的硬件电路，可以在延时的有限时间内配合微处理器记忆电子产品的正常工作状态。这样能够保证下次开机时，电子产品可以调用上次记忆的工作状态信息，快速确定上次的工作状态，能够改善用户体验。
【IPC分类】H03K17-28
【公开号】CN204517775
【申请号】CN201520247843
【发明人】董凯, 侯国春
【申请人】郑州市辉邦电子科技有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年4月22日