一种mos管驱动控制器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种MOS管驱动控制器，包括电阻R1、三极管VT1、二极管D1、电容C1、MOS管VT2和电阻R2，所述电阻R1一端连接电源VCC1、输入控制信号Vi和二极管D1正极，二极管D1负极通过电阻R2连接三极管VT1基极，三极管VT1集电极分别连接电阻R3、电容C1和MOS管VT2基极，MOS管VT2的S极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电容C1另一端和三极管VT1发射极并接地，MOS管VT2的D极连接负载RL，负载RL另一端分别连接电源VCC2和电阻R3另一端。本实用新型MOS管驱动控制器可以减缓电压变化率dv/dt，使MOS管发热量得到减少，对MOS管起到保护作用，电路结构简单，成本低，适用范围广。
【专利说明】
一种MOS管驱动控制器
技术领域
[0001 ] 本实用新型涉及一种驱动器，具体是一种MOS管驱动控制器。
【背景技术】
[0002]金属氧化物半导体场效应管，简称金氧半场效晶体管、MOS管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管与P型金氧半场效晶体管。
[0003]目前，在许多电器设备的电源电路中，会使用到MOS场效应晶体管驱动电路。一般在MOS管的栅极施加一个可调节的驱动信号，通过调节驱动信号的占空比来控制MOS管的导通和关断时间，从而输出可调节、可控制的的电压，但是很多这样的驱动控制电路在设计上存在一定的缺陷，存在因稳定不高而导致MOS管功耗过高、升温快的问题。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种MOS管驱动控制器，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0006]一种MOS管驱动控制器，包括电阻Rl、三极管VTl、二极管Dl、电容Cl、M0S管VT2和电阻R2，所述电阻Rl—端连接电源VCC1、输入控制信号Vi和二极管Dl正极，二极管Dl负极通过电阻R2连接三极管VTl基极，三极管VTl集电极分别连接电阻R3、电容Cl和MOS管VT2基极，MOS管VT2的S极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电容Cl另一端和三极管VTl发射极并接地，MOS管VT2的D极连接负载RL，负载RL另一端分别连接电源VCC2和电阻R3另一端。
[0007]作为本实用新型进一步的方案:所述电源VCCl电压为5V。
[0008]作为本实用新型再进一步的方案:所述电源VCC2电压为12V。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型MOS管驱动控制器可以减缓电压变化率dv/dt，使MOS管发热量得到减少，对MOS管起到保护作用，电路结构简单，成本低，适用范围广。
【附图说明】
[0010]图1为MOS管驱动控制器的电路图。
【具体实施方式】
[0011]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0012]请参阅图1，本实用新型实施例中，一种MOS管驱动控制器，包括电阻R1、三极管VTl、二极管Dl、电容Cl、M0S管VT2和电阻R2，所述电阻Rl—端连接电源VCCl、输入控制信号Vi和二极管Dl正极，二极管Dl负极通过电阻R2连接三极管VTl基极，三极管VTl集电极分别连接电阻R3、电容Cl和MOS管VT2基极，MOS管VT2的S极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电容Cl另一端和三极管VTl发射极并接地，MOS管VT2的D极连接负载RL，负载RL另一端分别连接电源VCC2和电阻R3另一端;所述电源VCCl电压为5V;所述电源VCC2电压为12V。
[0013]本实用新型的工作原理是:请参阅图1，输入控制信号Vi为高电平时，三极管VTl导通，则K点处电压只有三极管的压降0.7V左右，这时MOS管VT2不导通，当1输入控制信号Vi为低电平时，三极管￥!1不导通，这时12￥电源￥0:2通过1?加到皿)3管￥了2上，这时候皿)3管￥丁2就导通，Rl是用来防止上电时输入控制信号Vi来不及输出高电平会导致MOS管VT2导通，二极管Dl是防止12V电压直接加到1 口上损坏单片机(输入控制信号Vi从单片机1口输出)的；电阻R2可以避免1口高电平时出现过驱动现象，电容Cl跨接在MOS管VT2的G极和S极之间，可以减缓电压变化率dv/dt，使MOS管发热量得到减少，对MOS管起到保护作用。
[0014]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0015]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种MOS管驱动控制器，包括电阻Rl、三极管VTl、二极管Dl、电容Cl、M0S管VT2和电阻R2，其特征在于，所述电阻Rl—端连接电源VCCl、输入控制信号Vi和二极管Dl正极，二极管Dl负极通过电阻R2连接三极管VTl基极，三极管VTl集电极分别连接电阻R3、电容Cl和MOS管VT2基极，MOS管VT2的S极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电容Cl另一端和三极管VTl发射极并接地，MOS管VT2的D极连接负载RL，负载RL另一端分别连接电源VCC2和电阻R3另一端。2.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动控制器，其特征在于，所述电源VCCl电压为5V。3.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动控制器，其特征在于，所述电源VCC2电压为12V。
【文档编号】H03K17/08GK205545188SQ201620110767
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年2月3日
【发明人】陈志择
【申请人】陈志择