专利名称：一种应用于中高频发声单元的振膜及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种振膜，特别是涉及一种应用于中高频发声单元的振膜及其制备方法。
背景技术：
传统的发声单元包括动铁单元、屏蔽壳以及发声管，动铁单元是发声的主要部件，动铁单元包括振膜和磁力驱动机构，传统的动铁单元的磁力驱动机构电磁转换效率较高，磁力驱动机构中的铁片的共振高，因此会产生中高频段的声音，主要是通过磁力驱动机构来决定发声单元的音频的高低。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种应用于中高频发声单元的振膜。本发明的技术方案如下一种应用于中高频发声单元的振膜，所述振膜包括振膜主体、连接部、振膜支架以及预应力薄膜，所述振膜主体与所述预应力薄膜贴合接触；所述振膜主体上开设有若干小孔；所述预应力薄膜绷紧固定于所述振膜支架上；所述振膜主体的一端通过所述连接部连接于所述振膜支架上。优选的，所述若干小孔为通孔或盲孔。优选的，所述小孔的孔径范围为O. 05-0. 2mm。优选的，所述小孔的横截面为圆形、椭圆形、三角形、棱形、矩形或异形。
优选的，所述小孔的横截面积为所述振膜主体的面积的40%_60%。优选的，所述振膜主体、连接部以及振膜支架为铝材质或铝镁合金材质或铜材质或铁镍合金材质。优选的，所述连接部的厚度小于所述振膜主体的厚度。优选的，所述振膜主体、连接部以及振膜支架一体成型。本发明还提供另一个技术方案一种振膜的制备方法，用于成型如上所述的振膜，包括以下步骤
(一)备料和参数计算，准备振膜所用的原材料并且根据所述振膜的形状进行蚀刻或冲压成型或激光切割参数的计算；
(二)蚀刻或冲压成型或激光切割，根据所述蚀刻或冲压成型或激光切割参数对所述原材料进行蚀刻或冲压成型或激光切割。优选的，所述步骤(一)中的蚀刻或冲压成型或激光切割参数包括振膜主体的形状尺寸、小孔的形状尺寸、连接部的形状尺寸以及振膜支架的形状尺寸中的一种或多种，所述步骤(二)中的蚀刻或冲压成型或激光切割包括对所述振膜主体的形状、小孔的形状、连接部的形状以及振膜支架的形状中的一种或多种进行蚀刻或冲压成型或激光切割。采用以上技术方案的有益效果一、通过在发声单元的振膜上设置若干小孔，使振膜的刚性不会降低，而重量得到减轻，从而使发声单元具有中高频的音频；二、通过蚀刻的方式来蚀刻小孔，提高了工作效率。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明公开的应用于中高频发声单元的振膜实施例1的结构示意 图2为本发明公开的应用于中高频发声单元的振膜实施例2的结构示意图。图中的数字或字母所代表的相应部件的名称1.振膜主体11.小孔12.连接孔2.连接部3.振膜支架4.预应力薄膜。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例1
参见图1，如其中的图例所示，一种应用于中高频发声单元的振膜，所述振膜包括一振膜主体1、一连接部2、一振膜支架3以及一预应力薄膜4，振膜主体I与预应力薄膜4贴合接触；振膜主体I上开设有若干小孔11 ;预应力薄膜4绷紧固定于振膜支架3上；振膜主体I的一端通过连接部2连接于振膜支架3上。若干小孔11为通 孔或盲孔。小孔11的孔径为O. 1mm。小孔11的横截面为圆形。小孔11的横截面积为振膜主体I的面积的40%。振膜主体1、连接部2以及振膜支架3为铝材质。连接部2的厚度小于振膜主体I的厚度。下面介绍本发明公开的应用于中高频发声单元的振膜的制作步骤
一、分装，分别制作振膜主体1、连接部2、振膜支架3以及应力薄膜4，在振膜主体I上开设小孔11和连接孔12，连接孔12用于连接驱动机构；应力薄膜4的尺寸与振膜支架3的尺寸相匹配；
二、组装，将应力薄膜4通过粘接的方式绷紧固定于振膜支架3上；在将连接部2的一端通过粘接的方式或焊接的方式固定于振膜支架3上；然后将振膜主体3的一端通过粘接的方式或焊接的方式固定于连接部2的另一端。下面介绍本发明公开的应用于中高频发声单元的振膜的工作原理。发声单元的磁力驱动机构传动连接振膜主体I的连接孔12，并且驱动振膜主体I进行振动，由于振膜主体I上开设有若干小孔11，而小孔11由于孔径较小，不会对振膜主体I的刚性产生影响，但是却大大减小了振膜主体I的重量，而振膜主体I越轻，则越能发出高频的音质，因此对于发声单元产生中高频段的声音是有帮助的。实施例2
参见图2，如其中的图例所示，其余与所述实施例1相同，不同之处在于，小孔11的横截面为矩形，小孔11的横截面积为振膜主体I的面积的50%。实施例3
其余与所述实施例1相同，不同之处在于，小孔11的横截面为椭圆形或三角形、棱形或异形。实施例4
其余与所述实施例1相同，不同之处在于，振膜主体、连接部以及振膜支架为铝镁合金材质或铜材质或铁镍合金材质。实施例5
其余与所述实施例1或2或3或4相同，不同之处在于，振膜主体、连接部以及振膜支架一体成型。下面介绍本振膜的制备方法，包括以下步骤
(一)备料和参数计算，准备振膜所用的原材料(不锈钢薄板)并且根据振膜的形状进行蚀刻参数的计算，具体的蚀刻参数 包括振膜主体的形状尺寸(长度、宽度以及厚度)、小孔的形状尺寸(腔体孔径和腔体孔深)、连接部的形状尺寸(长度、宽度以及厚度)以及振膜支架(外部长度、外部宽度、内部长度、内部宽度以及厚度);
(二)蚀刻，根据上述蚀刻参数对所述原材料进行蚀刻，具体的蚀刻包括对振膜主体的形状(长度、宽度以及厚度)、小孔的形状尺寸(腔体孔径和腔体孔深)、连接部的形状尺寸(长度、宽度以及厚度)以及振膜支架(外部长度、外部宽度、内部长度、内部宽度以及厚度)进行蚀刻。实施例6
其余与所述实施例5相同，不同之处在于，所述步骤(一)和(二)中的蚀刻为冲压成型或激光切割。采用以上技术方案的有益效果一、通过在发声单元的振膜上设置若干小孔，使振膜的刚性不会降低，而重量得到减轻，从而使发声单元具有中高频的音频；二、通过蚀刻的方式来蚀刻小孔，提高了工作效率。以上为对本发明实施例的描述，通过对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求
1.一种应用于中高频发声单元的振膜，其特征在于，所述振膜包括振膜主体、连接部、振膜支架以及预应力薄膜，所述振膜主体与所述预应力薄膜贴合接触；所述振膜主体上开设有若干小孔；所述预应力薄膜绷紧固定于所述振膜支架上；所述振膜主体的一端通过所述连接部连接于所述振膜支架上。
2.根据权利要去I所述的应用于中高频发声单元的振膜，其特征在于，所述若干小孔为通孔或盲孔。
3.根据权利要求2所述的应用于中高频发声单元的振膜，其特征在于，所述小孔的孔径范围为O. 05-0. 2mm。
4.根据权利要求3所述的应用于中高频发声单元的振膜，其特征在于，所述小孔的横截面为圆形、椭圆形、三角形、棱形、矩形或异形。
5.根据权利要求4所述的应用于中高频发声单元的振膜，其特征在于，所述小孔的横截面积为所述振膜主体的面积的40%-60%。
6.根据权利要求5所述的应用于中高频发声单元的振膜，其特征在于，所述振膜主体、连接部以及振膜支架为铝材质或铝镁合金材质或铜材质或铁镍合金材质。
7.根据权利要求6所述的应用于中高频发声单元的振膜，其特征在于，所述连接部的厚度小于所述振膜主体的厚度。
8.根据权利要求7所述的应用于中高频发声单元的振膜，其特征在于，所述振膜主体、连接部以及振膜支架一体成型。
9.一种振膜的制备方法，用于成型如权利要求8所述的振膜，其特征在于，包括以下步骤 (一)备料和参数计算，准备振膜所用的原材料并且根据所述振膜的形状进行蚀刻或冲压成型或激光切割参数的计算； (二)蚀刻或冲压成型或激光切割，根据所述蚀刻或冲压成型或激光切割参数对所述原材料进行蚀刻或冲压成型或激光切割。
10.根据权利要求9所述的振膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(一)中的蚀刻或冲压成型或激光切割参数包括振膜主体的形状尺寸、小孔的形状尺寸、连接部的形状尺寸以及振膜支架的形状尺寸中的一种或多种，所述步骤(二)中的蚀刻或冲压成型或激光切割包括对所述振膜主体的形状、小孔的形状、连接部的形状以及振膜支架的形状中的一种或多种进行蚀刻或冲压成型或激光切割。
全文摘要
本发明公开了一种应用于中高频发声单元的振膜，所述振膜包括振膜主体、连接部、振膜支架以及预应力薄膜，所述振膜主体与所述预应力薄膜贴合接触；所述振膜主体上开设有若干小孔；所述预应力薄膜绷紧固定于所述振膜支架上；所述振膜主体的一端通过所述连接部连接于所述振膜支架上，通过在发声单元的振膜上设置若干小孔，使振膜的刚性不会降低，而重量得到减轻，从而使发声单元具有中高频的音频，本发明还公开了所述振膜的制备方法。
文档编号H04R7/16GK103067829SQ20121056888
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月25日 优先权日2012年12月25日
发明者李梁, 周巍 申请人:苏州恒听电子有限公司