1.一种热致发声装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、提供一基底(1)，所述基底(1)具有一平整的表面；
S2、在所述基底(1)的表面旋涂光刻胶，以在所述基底(1)上形成一具有一定厚度的光刻胶层；
S3、将具有所述光刻胶层的基底(1)通过光刻板进行光刻曝光，所述光刻板上具有多个成阵列排列的不透光图案；
S4、将具有所述曝光后的光刻胶层的基底(1)进行固化，然后显影溶解，以在所述基底(1)上形成刻蚀掩膜层，所述刻蚀掩膜层包括多个成阵列排列的柱体的光刻胶体；
S5、对具有所述刻蚀掩膜层的基底(1)进行各向同性刻蚀，以在所述刻蚀掩膜层和基底(1)之间形成基底结构层(2)，所述基底结构层(2)包括多个成阵列排列的锥体结构；
S6、对具有所述刻蚀掩膜层和基底结构层(2)的基底进行氧等离子体刻蚀，以去除所述刻蚀掩膜层；
S7、在具有所述基底结构层(2)的基底上溅射一金属薄膜层(6)；
S8、在具有所述金属薄膜层(6)的基底上平铺一石墨烯层(3)，所述石墨烯层(3)通过所述基底结构层(2)的锥体顶点支撑。
2.根据权利要求1所述的热致发声装置的制备方法，其特征在于，还包括：
S9、在所述金属薄膜层(6)和石墨烯层(3)上分别涂抹导电浆料(4)，所述导电浆料(4)的一侧分别连接有电极(5)。
3.根据权利要求1所述的热致发声装置的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，通过匀胶机在所述基底(1)上旋涂光刻胶，所述匀胶机的转速为3000～6000转。
4.根据权利要求1所述的热致发声装置的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，还包括：在所述基底(1)上旋涂所述光刻胶之前， 先对所述基底(1)进行烘烤，用于清除所述基底(1)表面的水分；所述烘烤的温度为120℃，所述烘烤时间为30分钟。
5.根据权利要求1所述的热致发声装置的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，还包括：在所述基底(1)上旋涂所述光刻胶后，将所述具有光刻胶层的基底(1)放置于120℃的热板上烘烤2分钟，以使所述光刻胶固化。
6.根据权利要求1所述的热致发声装置的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，通过光刻机对具有所述光刻胶层的基底(1)进行光刻曝光，所述光刻曝光的时间为80～150秒。
7.根据权利要求1所述的热致发声装置的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述固化为将具有所述曝光后的光刻胶层的基底(1)放置于120℃的热板上烘烤2分钟；所述显影溶解为对所述基底(1)上的光刻胶层的已曝光区域通过显影液显影溶解。
8.根据权利要求1所述的热致发声装置的制备方法，其特征在于，在所述步骤S5中，通过等离子体刻蚀机对具有所述刻蚀掩膜层的基底(1)进行刻蚀，所述刻蚀的时间为1～2小时。
9.根据权利要求1所述的热致发声装置的制备方法，其特征在于，还具有如下参数要求：
S1、所述基底(1)的材质为绝缘材料，且厚度为500μm；
S2、所述光刻胶层的厚度为1～5μm，且材质为正性光刻胶；
S3、所述光刻板上的不透光图案为圆形或多边形，所述圆形或多边形的半径或边长为5～15μm，且间距为10～30μm；
S4、所述刻蚀掩膜层上的成阵列排列的柱体的光刻胶体的底面形状为圆形或多边形，所述圆形或多边形的半径或边长为5～15μm，且高度为1～5μm；
S6、所述金属薄膜层(6)的厚度为200～500nm，材质为铝。
10.一种热致发声装置，其特征在于，是采用如权利要求1-9任一项所述的热致发声装置的制备方法而制成的。