一种线性调节的射频芯片的制作方法

本实用新型涉及射频芯片，具体为一种线性调节的射频芯片。

背景技术：

随着无线通信技术的飞速发展、新的技术和标准层出不穷，用户希望能通过手中的多模终端，根据自己的需求随意地接入相应的网络进行通信，实现灵活、便捷、无限自由沟通的通信，未来的发展趋势将是各种无线技术间的不断融合。随着移动通信技术从2G,3G发展到4G LTE，对射频发射机的重要组成部分一射频功率放大器芯片的设计提出了越来越高的要求。射频功率放大器作为发射机最重要的部分之一，它的性能好坏直接影响着整个通信系统的性能优劣，高线性度、高效率、高带宽和低功耗是射频功率放大器的设计关键指标和难点，而现有的射频芯片往往高线性低、低效率、低带宽和功耗较高。

所以，如何设计一种线性调节的射频芯片，成为我们当前要解决的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种线性调节的射频芯片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种线性调节的射频芯片,包括射频芯片本体，射频芯片本体的一侧设置有衬底，所述衬底的一侧设置有平行排布的晶体管单元，所述晶体管单元的一侧设置有线性功率增益模块，所述线性功率增益模块的一侧设置有误差放大器，所述误差放大器的内部设置有一级折叠共源共栅放大器，所述误差放大器的一侧设置有输出放大电路，所述输出放大电路包括PMOS管和分压电阻，所述输出放大电路的一侧设置有频率补偿电路，所述频率补偿电路包括压控电流源和补偿电容，所述频率补偿电路的内部设置有NMOS管，所述射频芯片本体的一侧设置有第一放大电路，所述第一放大电路的一侧设置有第二放大电路，所述衬底的另一侧设置有芯片工作电压接口，所述芯片工作电压接口的一侧设置有微动射频开关，所述微动射频开关的一侧设置有第一放大电路开关，所述第一放大电路开关的一侧设置有第二放大电路开关，所述射频芯片本体的一端设置有自适应偏置电路，所述射频芯片本体的另一端设置有负反馈电路，所述负反馈电路的一侧设置有功率放大器，所述功率放大器的一侧设置有耦合器。

进一步的，所述晶体管单元至少四个，且相邻所述晶体管单元的间距从两端至中间依次递增。

进一步的，所述NMOS管的数量为五根。

进一步的，所述射频芯片本体的顶端设置有椭圆形凸块。

进一步的，所述射频芯片本体的底端设置有安装片。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该种线性调节的射频芯片，通过线性功率增益模块、误差放大器、输出放大电路和频率补偿电路，便于提高芯片的线性度和效率，同时提高了芯片的输出功率和效率，通过第一放大电路和第二放大电路，便于提高芯片的带宽，通过自适应偏置电路、负反馈电路、功率放大器和耦合器，便于降低功耗。

附图说明

图1是本实用新型的整体结构示意图；

图2是本实用新型的俯视视；

图3是本实用新型的衬底的侧视图；

图4是本实用新型的侧视图；

图中：1、射频芯片本体；2、衬底；3、晶体管单元；4、线性功率增益模块；5、误差放大器；6、一级折叠共源共栅放大器；7、输出放大电路；8、PMOS管；9、分压电阻；10、频率补偿电路；11、压控电流源；12、补偿电容；13、NMOS管；14、第一放大电路；15、第二放大电路；16、芯片工作电压接口；17、微动射频开关；18、第一放大电路开关；19、第二放大电路开关；20、自适应偏置电路；21、负反馈电路；22、功率放大器；23、耦合器。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-4，本实用新型提供一种线性调节的射频芯片：包括射频芯片本体1，射频芯片本体1的一侧设置有衬底2，衬底2的一侧设置有平行排布的晶体管单元3，晶体管单元3的一侧设置有线性功率增益模块4，线性功率增益模块4的一侧设置有误差放大器5，误差放大器5的内部设置有一级折叠共源共栅放大器6，误差放大器5的一侧设置有输出放大电路7，输出放大电路7包括PMOS管8和分压电阻9，输出放大电路7的一侧设置有频率补偿电路10，频率补偿电路10包括压控电流源11和补偿电容12，频率补偿电路10的内部设置有NMOS管13，射频芯片本体1的一侧设置有第一放大电路14，第一放大电路14的一侧设置有第二放大电路15，衬底2的另一侧设置有芯片工作电压接口16，芯片工作电压接口16的一侧设置有微动射频开关17，微动射频开关17的一侧设置有第一放大电路开关18，第一放大电路开关18的一侧设置有第二放大电路开关19，射频芯片本体1的一端设置有自适应偏置电路20，射频芯片本体1的另一端设置有负反馈电路21，负反馈电路21的一侧设置有功率放大器22，功率放大器22的一侧设置有耦合器23。

进一步的，晶体管单元3至少四个，且相邻晶体管单元3的间距从两端至中间依次递增，可以有效避免出现增益坍塌和热失效问题。

进一步的，NMOS管13的数量为五根，便于与地和漏极相连。

进一步的，射频芯片本体1的顶端设置有椭圆形凸块，便于防止芯片被挤压。

进一步的，射频芯片本体1的底端设置有安装片，便于芯片的安装。

工作原理：首先，射频芯片本体1的一侧设置有衬底2，衬底2的一侧设置有平行排布的晶体管单元3，便于散热，晶体管单元3的一侧设置有线性功率增益模块4，线性功率增益模块4的一侧设置有误差放大器5，误差放大器5的内部设置有一级折叠共源共栅放大器6，误差放大器5的一侧设置有输出放大电路7，输出放大电路7包括PMOS管8和分压电阻9，输出放大电路7的一侧设置有频率补偿电路10，频率补偿电路10包括压控电流源11和补偿电容12，频率补偿电路10的内部设置有NMOS管13，通过线性功率增益模块4、误差放大器5、输出放大电路7和频率补偿电路10，便于提高芯片的线性度和效率，同时提高了芯片的输出功率和效率，通过第一放大电路14和第二放大电路15，便于提高芯片的带宽，通过自适应偏置电路20、负反馈电路21、功率放大器22和耦合器23，便于降低功耗其次，射频芯片本体1的一侧设置有第一放大电路14，第一放大电路14的一侧设置有第二放大电路15，通过第一放大电路14和第二放大电路15，便于提高芯片的带宽，通过自适应偏置电路20、负反馈电路21、功率放大器22和耦合器23，便于降低功耗衬底2的另一侧设置有芯片工作电压接口16，便于接入工作电压，芯片工作电压接口16的一侧设置有微动射频开关17，便于控制微动射频，微动射频开关17的一侧设置有第一放大电路开关18，便于控制第一放大电路14，第一放大电路开关18的一侧设置有第二放大电路开关19，便于控制第二放大电路19，最后，射频芯片本体1的一端设置有自适应偏置电路20，射频芯片本体1的另一端设置有负反馈电路21，负反馈电路21的一侧设置有功率放大器22，功率放大器22的一侧设置有耦合器23，通过自适应偏置电路20、负反馈电路21、功率放大器22和耦合器23，便于降低功耗。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。