一种线性调节的射频芯片的制作方法

文档序号:12596218阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种线性调节的射频芯片,包括射频芯片本体(1),其特征在于:射频芯片本体(1)的一侧设置有衬底(2),所述衬底(2)的一侧设置有平行排布的晶体管单元(3),所述晶体管单元(3)的一侧设置有线性功率增益模块(4),所述线性功率增益模块(4)的一侧设置有误差放大器(5),所述误差放大器(5)的内部设置有一级折叠共源共栅放大器(6),所述误差放大器(5)的一侧设置有输出放大电路(7),所述输出放大电路(7)包括PMOS管(8)和分压电阻(9),所述输出放大电路(7)的一侧设置有频率补偿电路(10),所述频率补偿电路(10)包括压控电流源(11)和补偿电容(12),所述频率补偿电路(10)的内部设置有NMOS管(13),所述射频芯片本体(1)的一侧设置有第一放大电路(14),所述第一放大电路(14)的一侧设置有第二放大电路(15),所述衬底(2)的另一侧设置有芯片工作电压接口(16),所述芯片工作电压接口(16)的一侧设置有微动射频开关(17),所述微动射频开关(17)的一侧设置有第一放大电路开关(18),所述第一放大电路开关(18)的一侧设置有第二放大电路开关(19),所述射频芯片本体(1)的一端设置有自适应偏置电路(20),所述射频芯片本体(1)的另一端设置有负反馈电路(21),所述负反馈电路(21)的一侧设置有功率放大器(22),所述功率放大器(22)的一侧设置有耦合器(23)。

2.根据权利要求1所述的一种线性调节的射频芯片,其特征在于:所述晶体管单元(3)至少四个,且相邻所述晶体管单元(3)的间距从两端至中间依次递增。

3.根据权利要求1所述的一种线性调节的射频芯片,其特征在于:所述NMOS管(13)的数量为五根。

4.根据权利要求1所述的一种线性调节的射频芯片,其特征在于:所述射频芯片本体(1)的顶端设置有椭圆形凸块。

5.根据权利要求1所述的一种线性调节的射频芯片,其特征在于:所述射频芯片本体(1)的底端设置有安装片。

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