一种基于SIP技术的射频电路功能模块的制作方法

本实用新型涉及一种基于SIP技术的射频电路功能模块，属于微波电路技术领域。

背景技术：

高精尖的通信技术对微收发信道提出了多通道、小型化、幅相一致性和高可靠性等要求。

微波收发信道传统工艺设计，选用FR4、Rogers5880、Rogers4003等高频印制板为基板，以铝合金或铜为结构，将器件或芯片封装在一个独立的金属模块内，这种方式存在以下难以克服的缺点：

第一，高频电路与低频电路装配连接关系复杂，可靠性差，同时使信道结构尺寸过大，无法适应轻质化，小型化的要求。

第二，项目背景和需求的多样化，导致射频电路的多样化，MIC工艺的复杂工序和高频电路的高辐射能力导致同批次产品的一致性差，调试量度和难度都非常大，不适应低成本和通用性需求。

技术实现要素：

本实用新型解决的技术问题是：为克服现有技术不足，提供一种基于SIP技术的射频电路功能模块，实现高集成度，有效缩小尺寸，减少调试工作量，节约成本。

本实用新型的技术解决方案是：

一种基于SIP技术的射频电路功能模块，包括混频单元、衰减单元、第一放大单元、第二放大单元和保护单元，

混频单元、衰减单元、第一放大单元、第二放大单元和保护单元集成于陶瓷无引线载体封装中，

当接收射频信号时，射频信号输入到保护单元，保护单元接收射频信号，对射频信号进行限幅处理，并将限幅处理后的射频信号输入给第一放大单元，第一放大单元对射频信号进行放大处理，并将放大处理后的射频信号输入给衰减单元，衰减单元对射频信号进行衰减处理，并将衰减处理后的射频信号输入给混频单元；

本振信号输入给第二放大单元，第二放大单元对本振信号进行放大处理，并将放大处理后的本振信号输入给混频单元，混频单元对经衰减处理后的射频信号及经放大处理后的本振信号进行混频处理，得到IQ中频信号，并将IQ中频信号输出；

当发射射频信号时，本振信号输入给第二放大单元，第二放大单元对本振信号进行放大处理，并将放大处理后的本振信号输入给混频单元，IQ中频信号输入给混频单元，

混频单元对IQ中频信号和经放大处理后的本振信号进行混频处理，得到射频信号，并将射频信号输入给衰减单元；衰减单元对射频信号进行衰减处理，并将衰减处理后的射频信号输入给第一放大单元，第一放大单元对射频信号进行放大处理，并将放大处理后的射频信号输入给保护单元，保护单元接收射频信号，对射频信号进行隔直处理，得到发射射频信号，并将发射射频信号输出。

混频单元的两路输出的中频信号为正交信号。

陶瓷为高温共烧陶瓷。

本实用新型与现有技术相比的有益效果是：

(1)本实用新型基于系统级封装技术，通过合理布局，将多个射频功能单元集成于10mm*10mm以内的CQFN封装，提高了集成度，有效缩小了尺寸，同时减少了调试工作量，节约了成本；

(2)本实用新型选用高温共烧陶瓷(HTCC)作为基板材料，实现了电路印制板和封装一体化设计，减少尺寸的同时减少了生产工序，产品工艺稳定性好、成品率高、适用于大规模生产和应用。

附图说明

图1为本实用新型接收射频信号示意图；

图2为本实用新型发射射频信号示意图；

图3为本实用新型结构封装示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步描述。

一种基于SIP技术的射频电路功能模块，包括混频单元、衰减单元、第一放大单元、第二放大单元和保护单元，

如图3所示，混频单元、衰减单元、第一放大单元、第二放大单元和保护单元集成于陶瓷无引线载体封装中，

如图1所示，当接收射频信号时，射频信号输入到保护单元，保护单元接收射频信号，对射频信号进行限幅处理，并将限幅处理后的射频信号输入给第一放大单元，第一放大单元对射频信号进行放大处理，并将放大处理后的射频信号输入给衰减单元，衰减单元对射频信号进行衰减处理，并将衰减处理后的射频信号输入给混频单元；

本振信号输入给第二放大单元，第二放大单元对本振信号进行放大处理，并将放大处理后的本振信号输入给混频单元，混频单元对经衰减处理后的射频信号及经放大处理后的本振信号进行混频处理，得到IQ中频信号，并将IQ中频信号输出；

如图2所示，当发射射频信号时，本振信号输入给第二放大单元，第二放大单元对本振信号进行放大处理，并将放大处理后的本振信号输入给混频单元，IQ中频信号输入给混频单元，

混频单元对IQ中频信号和经放大处理后的本振信号进行混频处理，得到射频信号，并将射频信号输入给衰减单元；衰减单元对射频信号进行衰减处理，并将衰减处理后的射频信号输入给第一放大单元，第一放大单元对射频信号进行放大处理，并将放大处理后的射频信号输入给保护单元，保护单元接收射频信号，对射频信号进行隔直处理，得到发射射频信号，并将发射射频信号输出。

混频单元的两路输出的中频信号为正交信号,可通过组合频率计算将中频频率调整至所选频率，确保无组合频率落在工作频段内。

本实用新型选用HTCC陶瓷基板设计陶瓷无引线片式载体(CQFN)，实现电路基板和封装一体化设计，生产工序简单，整个产品尺寸小于10mm*10mm。

本实用新型选取的各功能芯片均为超宽带器件，射频信号频率为12GHz-18GHz，中频信号频率为DC-3.5GHz，并可以通过更换同类型芯片扩展频率适用范围。同时可以更换内部的功能单元满足不同的性能需求，产品性能一致性好，具备很强的通用性。

本实用新型未公开内容为本领域技术人员公知常识。