5MHz的 谐振频率和大约4. 5~10. 5MHz的带宽，第H单元111c具有大约7.OMHz的谐振频率和大 约4~lOMHz的带宽，第四单元llld具有约6. 5MHz的谐振频率和大约3. 5~9. 5MHz的带 宽时，通过结合四个单元（也就是，第一、第二、第H和第四单元llla、mb、lllc和llld) 制成的元件110可W具有宽带频率特性，也就是，大约3. 5~llMHz的带宽。
[0051] 在W上示例性实施方式中，构成元件110的所有单元111被描述为包括不同数量 的沟槽131、131'、132'、131"、132"和133"。然而，本示例性实施方式不限于此，一些单 元111可W不包括沟槽，或者可W包括与其它单元111相同数量的沟槽。尤其地，单元111 中的至少一个可W包括沟槽。在此情况下，单元111中的至少两个单元可W包括不同数量 的沟槽。此外，在W上描述中，单元111被描述为基于形成在膜111中的沟槽131、131'、 132'、131"、132"和133"的相应数量而具有不同的频率特性。然而，单元111的频率特 性可^不仅基于沟槽131、131'、132'、131"、132"和133"的数量而改变，而且可^基于 沟槽131、131'、132'、131"、132"和133"的形状、尺寸和/或位置中的任一种或多种而 改变。详细地，单元111可^基于形成在膜115中的沟槽131、131'、132'、131"、132"和 133"的数量、形状、尺寸和位置中的至少一种而具有不同的频率特性。
[0052] 图3B、图3C和图3D示出了形成在膜115中的沟槽131、131'、132'、131"、132"和 133"的每个具有矩形截面形状。然而，本示例性实施方式不限于此，沟槽131、131'、132'、 131"、132"和133"可W具有各种截面形状中的任一种或多种。频率特性可W基于沟槽 131、131'、132'、131"、132"和133"的截面形状而改变。图6A和图她示出了形成在膜 115中的沟槽134和135的变型截面形状。详细地，图6A示出了形成在膜115中的沟槽134 具有H角形截面形状，图6B示出了形成在膜115中的沟槽135具有半圆形截面形状。沟槽 的截面形状不限于此，沟槽可W具有各种截面形状中的任一种。
[0053] 图2示出了形成在膜115中的沟槽131、131'、132'、131"、132"和133"的每个 具有圆形平面形状。然而，本示例性实施方式不限于此，沟槽131、131'、132'、131"、132" 和133"可W具有各种平面形状中的任一种或多种。单元的频率特性可W基于沟槽131、 131'、132'、131"、132"和133"的平面形状而改变。图7A和图7B为示出形成在膜115中 的沟槽的变型平面形状的平面图。详细地，图7A示出了形成两个沟槽136和137并且沟槽 136和137中的每个具有矩形平面形状。沟槽136和137的数量可W被不同地修改。此外， 沟槽136和137的位置和/或间距（即，相对间隔）可W被不同地修改。图7B示出了在膜 115中形成的沟槽138和139的每个具有六边形平面形状。图7B示出了形成沟槽138和 139。沟槽138和139的数量可W被不同地修改。此外，沟槽138和139的位置和/或间距 (即，相对间隔）可W被不同地修改。另外，可W形成具有不同的多边形截面形状或者不同 的平面形状的沟槽。此外，沟槽可W形成在膜115的中也部分处。如上所述，具有不同的频 率特性的单元111可W通过改变形成在膜115中的沟槽的截面形状、平面形状和/或位置 中的任一种或多种而制成。另外，具有宽带特性的一个元件110可W通过结合如上制成的 单元111而实现。
[0054]图8为根据另一示例性实施方式的电声转换器的单元211的截面图。为了便于说 明，图8示出构成一个元件的单元211中的仅一个单元211的示例。参照图8,单元211包 括衬底212、设置在衬底212上并且其中形成有腔220的支撑件214、设置在支撑件214上 W覆盖腔220的膜215、W及设置在膜215的上表面上的电极216。衬底212可W由例如导 电材料诸如低阻娃来形成。由例如娃氧化物形成的绝缘层213可W进一步形成在衬底212 的上表面上。
[00巧]构成根据本示例性实施方式的电声转换器的元件的单元211中的至少一个包括 形成在膜215中的沟槽231。在此情况下，单元211中的至少两个单元211可W包括不同数 量的沟槽231，如上所述。不同于上述示例性实施方式，沟槽231可W形成在膜215的下表 面上。虽然图8示出了形成在膜215的下表面中的沟槽231具有矩形截面形状，但是沟槽 231可W具有各种截面形状中的任一种或多种，沟槽231的数量、位置和尺寸中的任一种或 多种可W被不同地修改。因而，构成元件的单元211中的至少一个可W通过改变形成在膜 215的下表面中的沟槽231的数量、形状、尺寸和位置中的至少一种而具有不同于其它单元 211的频率特性。因此，具有宽带频率特性的元件可W通过结合单元211而实现。
[0056]图9为根据另一示例性实施方式的电声转换器的单元311的截面图。为了便于说 明，图9示出了构成一个元件的单元311中的仅一个单元311的示例。参照图9,单元311 包括衬底312、设置在衬底312上并且其中形成有腔320的支撑件314、设置在支撑件314上 W覆盖腔320的膜315、W及设置在膜315的上表面上的电极316。衬底312可W由例如导 电材料诸如低阻娃来形成。由例如娃氧化物形成的绝缘层313可W进一步形成在衬底312 的上表面上。
[0057] 构成根据本示例性实施方式的电声转换器的元件的单元311中的至少一个包括 形成在膜315中的沟槽331和332。在此情况下，单元311中的至少两个单元311可W包括 不同数量的沟槽，如上所述。不同于上述示例性实施方式，沟槽（例如，第一和第二沟槽331 和332)分别形成在膜315的下表面和上表面中。详细地，第一沟槽331形成在膜315的下 表面中，第二沟槽332形成在膜315的上表面中。虽然图9示出了第一和第二沟槽331和 332中的每个具有矩形截面形状，但是第一和第二沟槽331和332可W具有各种截面形状中 的任一种或多种，第一和第二沟槽331和332的数量、位置和尺寸中的任一种或多种可W被 不同地修改。因而，构成元件的单元311中的至少一个可W通过改变分别形成在膜315的 下表面和上表面中的第一和第二沟槽331和332的数量、形状、尺寸和位置中的至少一种而 具有不同于其它单元311的频率特性。因此，具有宽带频率特性的元件可W通过结合单元 311而实现。
[0058] 虽然根据图2中示出的示例性实施例，四个单元（也就是，第一、第二、第H和第四 单元Ilia、mb、111c和llld)构成元件110,但是构成电声转换器的一个元件的单元的数 量可W被不同地改变。图10为根据另一示例性实施方式的电声转换器的元件410的平面 图。参照图10,构成一个元件410的16个单元411被布置成二维阵列。如上所述，所述单 元411中的至少一个包括沟槽430W实现具有宽带频率特性的元件410。在此情况下，16 个单元411中的至少两个单元411可W包括不同的相应数量的沟槽430。具有不同频率特 性的单元411的位置可W被不同地修改。虽然单元411可W具有相同的尺寸，但是本示例 性实施方式不限于此。虽然图10示出了 16个单元411被布置成正方形阵列，但是单元411 的数量和布置可W被不同地修改。
[0059] 图11A为根据另一示例性实施方式的电声转换器的元件510的平面图。参照图 11A，构成一个元件510的多个单元511被布置成二维阵列，单元511可W被成六边形地布 置。如上所述，为了实现具有宽带频率特性的元件510,单元511中的至少一个包括沟槽 530。在此情况下，多个单元511中的至少两个单元511可W包括不同的相应数量的沟槽 530。具有不同频率特性的单元511的位置可W被不同地修改。虽然单元511可W具有相 同的尺寸，但是本示例性实施方式不限于此。
[0060] 图11B