11则为另一对角之角落。
[0022] 此外，所述第一支架12与第二支架13的外型能依据设计者需求而加以调整，如图 2中的第一支架12则是以L型为例，藉以供天线模块3设于其上，但不受限于此。
[0023] 所述发话模块2即为用户在通话过程中，通讯装置100发出声音的部位。换言之， 发话模块2为通讯装置100通话过程中，最为接近使用者大脑之构件。再者，所述发话模块 2是设置于上述附加电路板11的前板面111，并且发话模块2的位置大致对应于第一区块 1121〇
[0024] 所述天线模块3包含有一地片31、一第一天线单元32、一高频親合天线33、一低频 親合天线34。上述第一天线单元32、高频親合天线33、及低频親合天线34皆连接于地片 31，并且所述高频耦合天线33与低频耦合天线34用以分别于耦合于第一天线单元32。所 述地片31是设置于附加电路板11之后板面112的接地区块1122上。
[0025] 所述第一天线单元32适于应用在一高频频率与一低频频率，上述第一天线单 元32的外型在此不加以局限，而高频频率与低频频率于本实施例中是分别以1780MHz与 824MHz为例，但不受限于此。上述第一天线单元32设于第一支架12的第一端部121，并该 第一天线单元32具有一馈入段（未标示）与一接地段321，并且第一天线单元32的馈入段 与接地段321分别电性连接于馈入线（图略）及地片31。
[0026] 所述高频耦合天线33的一端连接于地片31且朝远离第二区块1123的方向形成 于第一区块1121上，并接续绕着第一支架12的第二端部122而转向朝所述第二支架13的 第四端部132方向延伸。
[0027] 进一步地说，所述高频耦合天线33自相连于地片31的一端依序延伸形成有一第 一区段331、一第二区段332、及一第三区段333,上述第一区段331位于附加电路板11的第 一区块1121上，第二区段332及第三区段333则是绕着第一支架12的第二端部122。其 中，所述高频耦合天线33大致呈J字型，并且第一区段331与第三区段333皆平行于长度 方向L，而第二区段332平行于厚度方向H，且第二区段332的两端分别垂直地相连于第一 区段331与第三区段333。
[0028] 再者，所述高频耦合天线33的第三区段333朝附加电路板11正投影所形成的区 域，部分落于接地区块1122上。也就是说，所述高频耦合天线33的第三区段333突伸出该 第一支架12,并且突伸出第一支架12的高频耦合天线33的第三区段333之部位相对于附 加电路板11呈悬空状。此外，第一支架12亦可变更其外型（图略），使第三区段333完全 位于第一支架12上。
[0029] 所述高频耦合天线33的长度大致为上述高频频率的四分之一波长，而于本实施 例中，1780MHz之高频频率的四分之一波长即大致为46公厘（mm)。藉此，所述天线模块3 经由高频耦合天线33于高频频率时耦合于第一天线单元32,以降低第一天线单元32于高 频频率运作时朝发话模块2方向所产生的电场峰值，进而达到降低SAR值的效果。
[0030] 需补充说明的是，上述高频耦合天线33的长度并非随意取得，而是经由具体的测 试而得到的数据，请参阅下表1，其为在天线模块3仅具有第一天线单元32的单天线架构 下，对不同长度之高频耦合天线33进行SAR值的测试。由表1即可清楚得知，当所述高频耦 合天线33的长度在46mm时，能使天线模块3取得较佳的SAR值，而46mm即相当于1780MHz 之高频频率的四分之一波长。
[0031] 表 1
[0032]
[0033] 所述低频耦合天线34 -端连接于地片31且朝远离第一区块1121的方向形成于 第二区块1123上，并接续绕着第二支架13而转向朝第一支架12的方向延伸。
[0034] 进一步地说，所述低频耦合天线34自相连于地片31的一端依序延伸形成有一第 四区段341、一第五区段342、及一第六区段343。上述第四区段341位于附加电路板11的 第二区块1123上，而第五区段342及第六区段343则是绕着第二支架13。其中，所述低频 耦合天线34大致呈"J"字型，上述第四区段341与第六区段343皆平行于长度方向L，而第 五区段342平行于厚度方向H，且第五区段342的两端分别垂直地相连于第四区段341以及 第六区段343。
[0035] 再者，低频耦合天线34的第四区段341与第五区段342的长度于本实施例中大致 分别相同于高频耦合天线33的第一区段331与第二区段332的长度。所述低频耦合天线 34的第六区段343朝附加电路板11正投影所形成的区域，部分落于接地区块1122上。也 就是说，上述低频耦合天线34的第六区段343突伸出第二支架13,并且突伸出第二支架13 的低频耦合天线34的第六区段343之部位相对于附加电路板11呈悬空状。此外，第二支 架13亦可变更其外型（图略），使第六区段343完全位于第二支架13上。
[0036] 所述低频耦合天线34的长度大致为上述低频频率的四分之一波长，而于本实施 例中，824MHz之低频频率的四分之一波长即大致为90公厘（mm)。藉此，所述天线模块3经 由低频耦合天线34于低频频率时耦合于第一天线单元32,以降低第一天线单元32于低频 频率运作时朝发话模块2方向所产生的电场峰值，进而达到降低SAR值的效果。
[0037] 需补充说明的是，上述低频耦合天线34的长度并非随意取得，而是经由具体的测 试而得到的数据，请参阅下表2,其为在天线模块3仅具有第一天线单元32的单天线架构 下，对不同长度之低频耦合天线34进行SAR值的测试。由表2即可清楚得知，当所述低频耦 合天线34的长度在90mm时，能使天线模块3取得较佳的SAR值，而90mm即相当于824MHz 之低频频率的四分之一波长。
[0038] 表 2
[0039]
[0040] 接着，本实施例将进一步界定低频耦合天线34设置于第二支架13的何处为较佳， 也就是说，所述低频耦合天线34的第五区段342及第六区段343可能是绕着第二支架13 的第三端部131 (如图4)、第四端部132 (如图1)、或第二支架13的中央（如图3)而转向 朝第一支架12的方向延伸。进一步地说，请参阅下表3,其为在天线模块3仅具有第一天 线单元32的单天线架构下，针对图1、图3、及图4的具体SAR值测试而得到之数据。由表 3即可清楚得知，在单天线架构下，如图1所示将高频耦合天线33与低频耦合天线34设置 于对角的位置时，会得到较佳的SAR值。
[0041 ]表 3
[0042]
[0043]
[0044] 实施例二
[0045] 请参阅图5至图8,本实施例与实施例一差异主要在于：本实施例的天线模块3进 一步包含有一第二天线单元35,并且上述第二天线单元35可选择性地设置于第二支架13 的第三端部131与第四端部132的其中之一，而低频耦合天线34则是大致位于第二支架13 的第三端部131与第四端部132的其中另一。
[0046] 具体来说，如图6所示，当第二天线单元35设置于第二支架13的第四端部132,而 低频耦合天线34是大致位于第二支架13的第三端部131时，所述高频耦合天线33与其所 相邻之该附加电路板11长边缘的距离（DH)较佳为8mm，而低频耦合天线34与其所相邻之 附加电路板11长边缘的距离（DL)较佳为4mm，藉以使天线模块3取得较佳的